如果说7nm是制程工艺物理极限 那么1nm是什么概念?

芯片的制造工艺常常用90nm、65nm、40nm、28nm、22nm、14nm来表示,比如Intel最新的六代酷睿系列CPU就采用Intel自家的14nm制造工艺。现在的CPU内集成了以亿为单位的晶体管,这种晶体管由源极、漏极和位于他们之间的栅极所组成,电流从源极流入漏极,栅极则起到控制电流通断的作用。所谓的XXnm其实指的是,CPU上形成...

苹果4代芯片对比:证明芯片工艺,越来越假,接近极限了

但实际才提升了20-25%左右,可见现在的3nm,真的是快接近芯片极限了,因为接近极限,所以才提升这么难,所以工艺,是真的越来越假,注水量越来越多了,你觉得呢?按照这个逻辑,接下来的2nm、1nm之类的工艺,其实也是等效工艺,估计同样注水严重,有实力可以上这种工艺,搞搞噱头,没实力的话,上不上这些工艺,并不重要,因为...

华为“极限”工艺,宣称7nm是尽头?历史惊人相似让人难以全信!

再来看看现在的情况，华为说7nm工艺是极限，可我总觉得他们在憋大招。毕竟，历史总是惊人的相似。当年华为宣布要回归低端市场，结果推出的Mate60手机竟然搭载了先进的芯片堆叠技术，这么一来，谁还敢小看华为？华为在关键技术上的突破，总是让人目瞪口呆。现在，虽然华为说他们只能自主研发生产7nm芯片，但别忘了，三...

摩尔定律没死,0.2nm不是芯片极限,往后还有好多代呢

3nm后是2nm,再是1.4nm,再是1nm,0.7nm,0.5nm……要知道硅原子的直径大约是0.22nm,所以就算按极限来讲,比一个硅原子大就行了,那么在0.5nm,之后,还有0.3nm……事实上,按照ASML光刻机的规划路径,在2037年的时候,就会实现0.2nm的工工艺,在2039年之后,要实现比0.2nm更小的芯片工艺。如下图大家就看到,未来...

中芯的好消息:EUV光刻机没有下一代,芯片工艺达到极限

近期，据媒体报道，台积电在1.6纳米芯片工艺节点上，拟继续采用当前标准的EUV光刻机，即数值孔径为0.33NA的光刻机，而非最新款的HighNAEUV光刻机。台积电方面表示，此举主要是因为HighNAEUV光刻机价格过高，单台售价达3.5亿欧元，约合人民币30亿元，投入成本不易回收。此外，由于ASML的高NA...

台积电推2nm,芯片制程极限升级,2nm或不再是我们理解的2nm了

事实上,无论对于厂商还是消费者,工艺制程升级带来的成本提升,变得越来越不划算(www.e993.com)2024年11月9日。我们知道,最先进制程芯片的量产是一项系统工程,需要产业链上下游设备、材料、IP等技术厂商的共同进步迭代,且很烧钱,台积电2nm代工价被曝光了,近2.5万美元/片(晶圆),与之对比,3nm-2万美元/片,4/5nm-1.6万美元/片,6/7nm-1万美元...

台积电规划1.5nm到0.1nm工艺冲击晶体管数量极限

台积电规划1.5nm到0.1nm工艺冲击晶体管数量极限在本月举行的IEDM2023会议上,台积电制定了一个包含1万亿个晶体管的芯片封装路线图。这一计划与英特尔去年透露的规划相似。然而,需要注意的是,这个数字来自单个芯片封装上的3D封装小芯片集合。虽然如此,台积电也在致力于开发单个芯片上拥有2000亿晶体管的处理能力。为了...

半导体工艺的极限:1nm之战

Imec在今年5月公布了1nm以下晶体管的路线图,在其路线图中1nm等于10埃。不仅如此,到了6月,Imec更是表示其与ASML签署了一项重要协议,与ASML共同合作开发1nm以下芯片。ASML将提供最新型号0.55NAEUV、2nm和1nm工艺开发关键的TWINSCANEXE:5200,以及最新型号0.33NAEUVTWINSCANNXE:3800。

...超导集成电路专用工艺平台,支撑发展下一代“颠覆性”信息技术

基于超导集成电路工艺技术可规模化制造超导传感器和探测器,超导条带光子探测器(SSPD)具有接近理论极限的探测效率和极低暗计数率,已经广泛用于光量子信息领域,为量子通信和光量子计算技术的飞速发展提供了关键支撑,并在深空探测、激光雷达和生物荧光显微等领域也具有重要应用前景。超导量子干涉器件(SQUID)是一种通用磁通...

光芯片,火力全开

光芯片,火力全开“20倍、50倍、100倍、1000倍、3000倍、10000倍...”,光芯片在计算方面超越硅芯片的速度与日俱增。近几十年以来,微电子技术与电子芯片产业遵循着摩尔定律不断发展,随着传统制程工艺逼近极限,电子芯片在进一步提升计算速度和降低功耗方面的技术突破,面临难以解决的瓶颈。