台积电说中国能造8nm,华为却认为制造先进芯片面临很大困难背后

这款氟化氩光刻机分辨率≤65nm,套刻≤8nm,大概可以量产28nm工艺的芯片,中国成为世界上唯一一个通过一国技术能力完成的套刻≤8nm的DUV浸没式光刻机的国家。业内均知,这是一款相对初级的DUV光刻机,没法用来加工7nm先进芯片。ASML在高端EUV上的护城河很深,28nm距离威胁到它的地位还很远。但是在如今,台积电前...

国产光刻胶通过量产验证!极限分辨率高达 120nm

他们从基础研究入手,不断优化材料和配方,改进生产工艺,最终研制出性能优异的产品。从性能上看,T150A光刻胶对标国际头部企业主流KrF光刻胶系列,在极限分辨率、工艺宽容度、稳定性等方面表现出色。其极限分辨率高达120nm,优于国外同系列产品,且在复杂的刻蚀工艺中能保持稳定,确保芯片图案的完整性和精度。太紫微...

中国“芯”突破!国内首条光子芯片中试线正式启用

然而，随着制造工艺的越来越小，芯片内晶体管单元已经接近分子尺度，目前半导体光刻的制造工艺几乎来到了摩尔定律的物理极限，芯片性能提升的难度和成本越来越高，人们迫切需要寻找新的技术方案。光子芯片是一种利用光子作为信息载体的新型集成芯片，它具有高速并行处理、低功耗和高带宽的优势，因此被认为是未来信息产业的重...

双光束超分辨光刻技术的发展和未来

目前,芯片制造技术已经能够实现最小线宽尺寸在2nm左右的制程工艺,但是这种工艺还处于研究和实验阶段,尚未在商业化生产中得到广泛应用。当前,主流的商业化芯片制造工艺一般能够实现7nm、5nm、3nm等级的微细线宽制造。尽管现代芯片的制造技术已经达到了如此高的精度,但是由于制造难度增加,以及成本和复杂度的逐步上升,实现更...

中芯的好消息:EUV光刻机没有下一代,芯片工艺达到极限

此外，由于ASML的高NAEUV产能有限，每年仅生产几台或十余台，大部分产能已被英特尔预订，因此台积电暂时无法获得供应。因此，台积电在综合考虑价格和产能等因素后，决定继续采用多重曝光技术，在标准EUV光刻机上制造1.6nm芯片。台积电强调，并非仅凭HighNAEUV才能进入2nm以下制程，事实上，标准EUV光刻机...

【科普】芯片制造工艺:光刻(中)--新曝光方式之电子束、X射线...

电子束曝光可以直接在抗蚀层写出图形,不需要掩膜(www.e993.com)2024年11月9日。电子束直写的灵活性和高分辨率使它成为当今微纳米科学研究与技术开发的重要工具。利用现代电子束曝光设备和特殊的抗蚀剂工艺已经能够制作小于5nm的精细结构。电子束曝光也是制作掩膜的主要工具之一,现在已经成了制作极紫外(EUV)曝光掩膜的唯一工具。

芯片制造难不难:1、3nm只是文字科技,3nm原来是23纳米

比如说,一开始栅极到28nm或者14nm就差不多到极限了,要是工艺和设计图不行,成品处理速度才10M/s,改进之后速度变成20M/s,(说法而已,不严谨)-就敢号称10nm芯片啦(其实大多数栅极还是28nm呢)!还有啊,整个芯片有亿级数量的晶体管,里面有几个7nm的,嘿嘿,就敢号称几nm啦!

上海交大团队研发分子计算芯片,极限尺寸为50nm,成功探索近零功耗...

日前,上海交通大学研究员和合作者通过亚百纳米线宽金属电极的精准制造,成功研制出一款分子计算芯片。它的极限尺寸为50nm,阵列规模达到1Kb,集成密度超过34Gb/inch2,加工良品率超过90%。表示:“这是目前全球微缩尺寸最小、集成密度最高的、也是全球首个与硅芯片集成的混合信号分子神经形态硬件系统。也是...

【科技实话】Intel酷睿Ultra不只有AI,还是芯片设计制造的全面跃迁

但是,在芯片制造进10纳米后,Intel工艺技术开始明显落后竞争对手。光刻机物理极限、介电层难题等障碍大幅拖累其迭代速度。而TSMC等专注晶圆制造的专业代工厂在7nm/5nm节点上不断突破。这迫使Intel开始推动策略性转型,提出了“四年五个制程节点”计划。即通过在四年内推进Intel7、Intel4、Intel3、Intel20A和Intel...

芯片内部为什么能这么小?100多亿个晶体管是怎么装进去的?

Rlitho为光刻系统可分辨的图形周期;k1为工艺因子。3光刻芯片制造中光刻是最复杂、昂贵且关键的工艺,通常使用投影式光刻系统将掩模版的电路结构图投射到硅晶片的表面。光学透镜可以聚集衍射光提高成像质量,在光刻技术中为得到尽可能小的图案,在掩模板和光刻胶之间采用了一种具有缩小倍率的投影成像物镜。