TSMC可能于近期试产28nm低功耗芯片

台湾TSMC40nm和32nm工艺的问题在最近几个季度中对整个产业带来了严重的影响。不过根据数个乐观分析师的介绍,TSMC已经决定开始使用28nm工艺的低功耗芯片试产。根据报道,TSMC已经计划在2010年4季度开始使用28nm工艺生产Altera的FPGAs(field-programmablegatearrays),很有可能采用的是28LP工艺,该工艺仍然使用的是前一代...

一文讲透半导体28nm技术节点

28nm工艺技术在功耗控制和散热管理方面具有明显的优势。相较于更落后的40nm及以下制程,28nm工艺在频率调节、功耗控制和尺寸压缩方面表现优异。这使得28nm工艺在满足现代电子设备对能效要求的同时,还能保持较高的性能水平。28nm技术节点主要应用于高性能、低功耗的移动和消费类应用(如平板电脑、智能电话、可穿戴设备等)、...

芯片产能利用率提升下的冰火两重天

群智咨询表示，由于消费电子、工控、物联网、新能源车等应用需求增长，28nm、40nm成熟制程产能利用率仍保持在较高水位，但由于目前新产能持续开出，晶圆代工厂之间仍存在一定价格竞争压力，预计今年第一季度28nm、40nm代工价格将有小幅度下调，55nm、90nm价格降幅则会收窄。群智咨询指出，由于2023~2024年IDM扩产较积极，...

没有EUV光刻机,怎么做5nm芯片?

以193nm光源的浸润式光刻机为例,其k1为0.28,水的折射率n为1.44,sinθ为0.93,其HalfPitch=(0.28×193)/(1.44×0.93)=54.04/1.3392≈40nm,即分辨率为40nm。所以,如果要提高光刻机的分辨率,可以调整公式中的变量,扩大分母或者缩小分子,对应有四种可能性:即增加聚光角度,提升sinθ、提高介质的折射率n、降低k1系...

MCU制程“大跃进”|闪存|nm|存储器|mram|mcu制程_网易订阅

三是在MCU设计层面,国内外相比差距不大,可提前做平台预研和开发,加快演进至28nm或16nm步伐。40nmMCU仍是主流应着力提升国产化比例尽管18nmMCU已呼之欲出,但从长期来看,40nmMCU市场仍是长周期市场。对此朱利安也提及,18nm工艺的优势在于高功率密度和超低功耗,但并不是所有的MCU都需要采用这一工艺,ST在基...

晶合集成2023年年度董事会经营评述

公司积极布局OLED驱动芯片代工领域,正在进行40nm和28nm的研发,未来将具备完整的OLED驱动芯片工艺平台(www.e993.com)2024年11月3日。(2)汽车半导体市场快速增长近年来,随着汽车的电动化、智能化、网联化趋势,每辆车的半导体含量正在稳步增加,根据标准普尔的预测,每辆汽车的平均半导体含量未来七年内将增长80%,从2022年的854美元增长到2029年的1,54...

意法半导体为MCU开启FD-SOI时代

而18nm理论上是22nm的半代节点,相比于28nm又前进了一代,从工艺上说要比现在的40nm提升了两代,无论是密度还是功耗都会有明显的提升。如果能把成本控制好,2代工艺差带来的性能和功耗优势无疑是显而易见的。虽然这次是和三星共同开发的技术,但ST在整个FDSOI产业链的重要性几乎是无可取代的,而目前ST拥有在产量最...

谁说MCU不用拼制程?

新型存储,打破28nm那堵墙在过去,即便是40nm抑或是90nm的eFlash,都足够MCU使用。随着市场需求越来越复杂,MCU逐渐向200MHz以上主频、低功耗和大容量存储方向发展,加之多核异构需求,其片上的大多器件制程也需要压到28nm以下,eFlash的制程限制就越来越明显了。

中芯国际发布2023年年报,营收63.2亿美元

据了解,中芯国际28nm超低功耗项目平台、40nm嵌入式存储工艺汽车项目平台、4XnmNORFlash工艺平台等项目在2023年已完成研发,进入小批量试产。智能化产品带来新的机遇中芯国际在报告中指出,2023年下半年,终端市场的需求呈一定复苏迹象,但整体供应链库存处于高位,终端产品销售状况处于调整阶段,库存消化仍为2023年半导体...

中芯国际的好消息:中国新客户抢单,40nm、28nm产能爆满

近日，中芯国际在业绩发布会上传来好消息：中芯国际的40nm和28nm工艺产能利用率已经恢复到了100%。而造成产能利用率爆满的原因来自中国市场的需求增加。原因在于供应链洗牌，一些新供应商进入供应链并获得了新订单。这个消息背后所蕴含的意义是非常值得关注的。在40nm和28nm工艺上，中芯国际的产能供不应求，产能已经...