全新Ergo KPFM让表面电势的测量简单又准确

KPFM并不直接测量功函数,而是测量样品与探针(功函数已知)间的功函数差异,也就是接触电势差(CPD)。如下图示例,有两种金属:样品Al(功函数4.2eV)以及镀金探针(功函数5.2eV),在两者不导通时,它们各自有其费米能级。若是两者导通,电子会从高费米能级往低费米能级流动,直到样品与探针的费米能级变为相同。这个由于费...

中科院物构所高鹏/张江实验室李东栋AFM:反溶剂辅助结晶法制备工业...

开尔文探针力显微镜(KPFM)被用来评估沉积在ITO衬底上的自组装膜的表面电势,其中ITO/Mx-SAM的接触电势差(??431.5mV)明显低于ITO/Me-4PACz(??334.2mV),证实了ITO/Mx-SAM具有更大的功函数和更深的费米能级。同时,ITO/Mx-SAM均匀的表面电势有利于界面空穴的提取。紫外光电子能谱(UPS)测量确定了ITO/Me-4PAC...

原子力显微镜助力光伏新时代

相比之下,KPFM感知的是探针和样品之间的接触电势差(图3和4)。KPFM最关键的优点是能够定量测量功函数,这是许多光伏系统中电势变化的根本原因。使用KPFM进行功函数的纳米级成像可以得到关于能带弯曲、掺杂剂密度和光诱导变化相关的详细信息。KPFM通常采用双通道振幅调制(AM)方法进行操作,类似于EFM,但也可以在单通道频率...

AFM技术文章:通过边带KPFM(Sideband KPFM)对分子聚集体进行电势成像

功函数是一种材料特性,可用于区分复合材料中的单一成分或用于区分样品与基体。开尔文探针力显微镜(Kelvinprobeforcemicroscopy,KPFM)能利用已知的探针功函数,以纳米分辨率去成像样品表面功函数分布。在这里,我们介绍了ParkSystems研究型原子力显微镜中新开发的边带KPFM(SidebandKPFM)。边带KPFM显著提高了电势的灵敏度...

最新Nature: 深度解读!32.5%认证效率的钙钛矿-硅串联叠层电池

所有TCOs在退火后都被优化为等效片电阻和载流子浓度;在这注意到退火后IZO仍然是无晶态,而ITO和IZrO是多晶的。作者首先研究了20nm厚的裸TCO层的功函数(WF),这是串联文献中最常报道的互连TCOs的厚度。这些结果表明,不同的相互连接的TCOs的表面电位均匀性存在空间变化,作者利用KPFM映射进一步探索了这一点。作者...

石墨烯光电探测器概述及研究现状

通常情况下可以利用石墨烯与电极材料间的功函数差、器件表面的局部化学掺杂效应、栅极电压等方式来形成内建电场(www.e993.com)2024年12月20日。值得注意的是对器件施加栅压时会产生较大的暗电流,增大了器件的静态功耗。光热电效应当信号光照耀在石墨烯与其他材料的接触面上时会有热电子产生,因为不同材料的塞贝克系数不同,所以会在接触界面处产...

后摩尔时代的碳基电子技术:进展、应用与挑战

因此,2003年AliJavey和DaiHongjie等人经过大量尝试,发现可通过使用高功函数的金属钯(Pd)作为碳纳米管的电极来得到无势垒P型欧姆接触的弹道晶体管,其室温下开态电导接近量子电导的理论极限,首次展现了碳纳米管晶体管的高性能优势[10]。2007年,北京大学团队实现了以低功函数的金属钪(Sc)作为碳纳米管电极的N型欧姆...

晶体管的发展史:技术如何逼近极限?

选择多晶硅的另一个原因是MOS晶体管的阈值电压与栅极和沟道之间的功函数差相关。早先,当工作电压在3-5伏范围内时,使用金属门。但是,随着晶体管的缩小,这确保了器件的工作电压也降低了。在这种条件下,具有如此高的阈值电压的晶体管将无法工作。与多晶硅相比,使用金属作为栅极材料会导致较高的阈值电压,因为多晶硅的成分...

《Science》子刊:困扰人类2000年的摩擦带电机制,终于解答了!

目前基本上,需要考虑三种电荷转移:电子、离子或带部分电荷的材料的转移。一般认为,对于金属-金属接触,电子在两个表面之间转移,从而建立了接触电位,这是由相应的功函数的差给出的。基于功函数差的预测与观察到的电荷转移相一致,有力地支持了金属-金属接触中电子转移的概念。