混合键合技术的利与弊

铜CMP应留下平坦的晶圆表面(总厚度变化或TTV),并且根据间距,1nm铜凹槽变化;EVGroup推出的新型无机粘合剂粘合和激光解键合工艺可使用硅载体晶圆,该晶圆可提供100nm的TTV、更好的几何稳定性和更高的热导率。硅载体上的后一种工艺还允许硅载体重复使用,从而减少工艺步骤并降低拥有成本。EVG的Urhmann表示:“我们...

最新FiFET技术,英特尔晶圆代工的关键

英特尔代工技术开发副总裁WalidHafez解释说,从历史上看,“金属的厚度决定了阈值电压。功函数金属越厚,阈值电压越低。”但随着设备和电路的缩小,这种对晶体管几何形状的依赖也带来了一些缺点。制造过程中的微小偏差可能会改变栅极金属的体积,从而导致阈值电压范围相当宽。这就是intel3工艺体现英特尔从只为自己制造芯...

如何建一个200亿美元的晶圆厂?

目前常见的增层方法包括热氧化(将晶圆暴露在熔炉中的氧气中,从而在晶圆表面形成一层薄薄的二氧化硅)、化学气相沉积(CVD)(将气态化学物质聚集在一起,将其反应物沉积在表面上)晶圆)和溅射(用等离子体离子轰击固体材料,导致原子脱离并沉积在晶圆表面)。现代半导体元件的小尺寸要求这些分层方法具有极高的精度。例如,现代...

一款颠覆性的RISC-V芯片

测试芯片是在Pragmatic的FlexLogic晶圆厂中制造的,采用薄膜沉积工艺,在厚度为30??m的200毫米聚酰亚胺晶圆上制造的,该工艺可创建金属氧化物TFT和电阻器的图案层,具有四个可布线的金属层和一个额外的RDL(重新分布层),用于将芯片的核心焊盘重新布线到将成为与外部世界接口的外围焊盘。测试基础设施和...

【复材资讯】更新至299种重点新材料,碳纤维、石墨烯、碳纳米管...

(1)聚晶金刚石复合片PCD:硬度≥HV4000,拱形度≤0.1mm,厚度公差≤±0.1mm;(2)聚晶PCBN刀片:硬度≥3200HV,抗冲击韧性≥25J,抗弯强度≥500MPa。超精密加工用超硬材料制品(1)减薄砂轮:硬度偏差≤8%;动平衡精度≤0.2g;晶圆加工精度:TTV≤3μm;...

高精度超薄结构化玻璃晶圆升级量产,公差低于20微米

●对于准确定位和结构对齐来说,提高精度和公差至关重要(www.e993.com)2024年11月18日。●通用性增强,提供多种玻璃类型、物理和化学属性来满足众多应用需求。●肖特从产品开发到量产提供全面合作。肖特结构化玻璃晶圆和玻片组合FLEXINITY??现在兼具最佳精度、紧密公差(低于20微米(±10微米))、最大厚度和宽度范围(从0.1–3.3mm的超薄...

晶圆加工精度控制的关键!Yaw偏航角追踪的闭环XY方向控制

在平面反射镜上进行测量时,M12/C1.6/wf传感器头的角度公差规定为±30m°,距离为1米。这种公差仍然是用户友好的,以便对齐xy的设置,同时也保证了低余弦误差。与其他干涉仪制造商相比,这是另一个好处。重要的是,我们的测量原理使我们能够拥有不同的传感器头可供客户选择。

EVG集团300毫米聚合体自动晶圆键合系统销量大增

无论是在CMOS图像传感器还是堆叠式逻辑存储器的应用方面,全自动晶圆键合技术责任重大,它是制造商转而制造较大的晶圆基层(300毫米)以降低整体生产成本的必然选择。例如,键合后能否将粘胶层的总厚度变化(TTV)降到最小是影响最终产品厚度公差的关键。这也将最终影响薄化晶圆和设备在提高接合密度和降低硅通孔(TSV)整合成...

等离子清洗器在晶圆领域的特点是什么?

在半导体生产过程中,几乎每道工序都需要清洗,而晶圆清洗的质量对设备的性能有着严重的影响。正是因为晶圆清洗是半导体制造过程中最重要、最频繁的步骤,而其工艺质量将直接影响设备的良率、功能和可靠性,因此等离子清洗是一种先进的干洗方式。随着微电子行业的快速发展,等离子清洗机也越来越多地应用于半导体行业,具有绿色...

3D工业视觉行业研究:机器人的眼睛

目前CCS标准光源尺寸厚度最小为3mm,奥普特各型号光源厚度在10mm~20mm之间。在3D相机中,光源是红外激光发射器,其发射图像的质量对整个识别效果至关重要,VCSEL是近红外光源最佳方案。红外线的主要波长是700nm~2500nm。目前的摄像头图像传感器对900nm以上的红外光感应差,需要更强的光才能感测到,...