美光科技公司取得存储存储器单元及偏移存储器单元专利
金融界2024年9月30日消息,国家知识产权局信息显示,美光科技公司取得一项名为“存储存储器单元及偏移存储器单元”的专利,授权公告号CN112639974B,申请日期为2019年8月。本文源自:金融界作者:情报员
天津(滨海)人工智能创新中心 一批高性能计算主板单元、数据存储...
一批高性能计算主板单元、数据存储计算单元及配套材料招标项目的潜在投标人应在天津经济技术开发区滨海-中关村科技园大唐总部基地东区7号楼1单元四楼获取招标文件,并于2024年10月09日09点30分(北京时间)前递交投标文件。一、项目基本情况项目编号:ZHHZB-2024-296项目名称:一批高性能计算主板单元、数据存储计算单...
台积电申请双端口静态随机存取存储器单元电路专利,提供了一种特定...
专利摘要显示,本发明的实施例提供了一种双端口静态随机存取存储器(SRAM)电路,包括Vdd节点和具有相同结构的第一SRAM单元和第二SRAM单元的双端口静态随机存取存储器(SRAM)单元对。第一SRAM单元是十晶体管SRAM单元,包括第一上拉晶体管和第二上拉晶体管、与第一上拉晶体和所述第二上拉晶体形成锁存器的...
台积电、高通两大半导体巨头试水存储赛道?
第一SRAM单元是十晶体管SRAM单元,包括第一上拉晶体管和第二上拉晶体管、与第一上拉晶体和所述第二上拉晶体形成锁存器的第一下拉晶体和第二下拉晶体、连接至锁存器的第一传输门晶体和第二传输门晶体以及p型隔离晶体管,p型隔离晶体管包括连接至第一上拉晶体管的漏极区的第源极/漏极区和连接至Vdd节点的栅极。
存储产业变革的风吹到了SSD
存储芯片中,NANDFlash即闪存颗粒,是数据存储的核心介质,也是数据存储的载体。当前SSD使用的闪存颗粒包括TLC(三层单元)、QLC(四层单元)等,业界看好QLCSSD发展,除了因为其具有更高容量和更快的读取速度优势外,还因为它具有更优的TCO总体拥有成本优势:凭借更高的存储密度,优化服务器和物理占用空间,并降低...
SLC(单层单元)NAND 闪存的特性与价值
SLC(单层单元)NAND闪存作为一种高端存储技术,在存储领域有着举足轻重的地位(www.e993.com)2024年10月8日。其每个存储单元仅存储一位数据,这一独特设计极大提升了耐用性与写入速度。因写入操作相对简便,SLCNAND能够迅速完成数据写入,且错误率极低。而且,SLCNAND具有出色的数据保持能力,即便断电也能确保数据安全无失,这对于高数据安全...
【回暖】2024年Q2 全球PC市场回暖,预计下半年将迎来AI PC热潮
1S1R是3DPCM的基本存储单元,带有MonteCarlo功能的1S1RSPICE模型是3DPCM可靠性设计和良率提升的关键,也是国际空白。团队在国际上首次提出带有MonteCarlo功能的1S1RSPICE模型,依据OTS、PCM由电场强度控制阈值转换的特性,引入了参数的统计分布,准确模拟1S1R单元电学特性的统计分布,并在SPICE电路级仿真中还原3D...
苹芯科技杨越:拆解存算一体技术进阶,解读大模型芯片的四个优化...
最初,斯坦福实验室于1969年首先提出了存算技术这个概念。后来,1992年在多伦多大学,1997年在伯克利实验室,相继尝试以逻辑电路的形式拉近存储与计算的距离。但在上个世纪的计算机体系的整个架构中,计算的瓶颈位于处理器端,因此大家主要提高了CPU的效率。同时,外加摩尔定律当时仍然有效,从存算的角度来说它的杀手级应用...
高通公司取得只读存储器单元阵列专利,实现更高效的存储器系统
专利摘要显示,一种只读存储器(ROM)单元阵列,包括:第一晶体管,耦合到第一字线;第二晶体管,耦合到第二字线;以及第三晶体管,设置在所述第一晶体管和所述第二晶体管之间,该第三晶体管具有永久耦合到电源轨的第一栅极端子。
台积电取得存储器单元、存储器阵列、SRAM器件及其方法专利,提高...
专利摘要显示,SRAM包括多个存储器单元,每个存储器单元包括数据存储单元;数据I/O控件,用于将数据输入到数据线(BL)以及从数据线(BL)输出数据;以及多个存取控件,分别连接到至少两个存取控制线(WL)并且用于启用和禁用来自至少两个WL(WX和WY)的数据输入和输出。存取控件配置为仅当两个WL处于其相应的状态时允许数据输入。