闪存颗粒到底是何物?浅析闪存及制程

闪存颗粒,又称闪存,是一种非易失性存储器,即在断电的情况下依旧可以保存已经写入的数据,而且是以固定的区块为单位,而不是以单个的字节为单位。根据用途和规格不同,闪存颗粒有很多不同的变种,今天我们主要讨论的是用于固态硬盘等存储设备中的、最为常用的NAND闪存颗粒。NAND闪存颗粒,是闪存家族的一员,最早由日立...

NAND闪存,迎新局

业界信息显示，NANDFlash即闪存颗粒，是数据存储的核心介质，也是数据存储的载体，目前SSD使用的闪存颗粒包括TLC（三层单元）、QLC（四层单元）等。图片来源：拍信网当前AI时代催生了大量的存储需求，SSD在其中扮演重要角色。从运行作用来看，全球市场研究机构TrendForce集邦咨询指出，在AI模型训练过程中，SSD不仅负责储存...

机构:苹果计划最早于 2026 年在 iPhone 中使用 QLC NAND 闪存

QLCNAND，全称为Quad-levelcells（四层单元），是一种先进的闪存技术，每个存储单元可以存储4位数据。与TLCNAND（三层单元）相比，QLCNAND的存储密度提高了33%。尽管QLCNAND可能不适合写入密集型工作负载，但其高存储密度使得它成为大容量存储应用的理想选择。苹果公司计划利用这一技术，提升iPhone...

存储器巨头正聚焦于NAND闪存堆叠层的突破,以及DRAM先进制程节点和...

NAND闪存主要厂商正聚焦于堆叠层的突破。近期,《韩国经济日报》报道称,三星预计将于本月晚些时候量产第9代NAND闪存(V-NAND)。该公司在2022年已经实现了236层的第8代V-NAND闪存的规模化生产。即将推出的第9代V-NAND闪存仍将采用双层NAND闪存堆叠结构,层数将达到290层。业界预测,三星未来的第10代V-NAND预计将...

跟随铠侠增产步伐,消息称三星电子调升西安厂 NAND 闪存开工率至 70%

IT之家3月11日消息,据韩媒TheElec报道,三星电子已将西安工厂的闪存开工率至70%。西安工厂是三星电子唯一处于韩国境外的存储半导体生产基地,月产能为20万片300mm晶圆,占三星整体NAND产量的40%。目前三星正将西安工厂的工艺升级至236层(第8代V-NAND),因此产能本身低于满载。

江波龙首颗自研 2D MLC NAND 闪存发布:容量 32Gb,带宽 400MB/s

IT之家1月31日消息,江波龙公司宣布,首颗自研32Gb(4GB)2DMLCNANDFlash于近日问世(www.e993.com)2024年11月22日。该产品采用BGA132封装,支持ToggleDDR模式,数据访问带宽可达400MB/s,将有望应用于eMMC、SSD等产品上(该公司拥有雷克沙等品牌)。IT之家注:MLC是指Multi-LevelCell多层单元闪存,每一个单元可以存储两位...

存储亮剑!NAND技术多点突破

2DNAND到4DNAND的发展概念图来源:SK海力士公开资料显示,SK海力士目前的4DNAND采用了PUC(PeriUnderCell,单元下外围)技术,将外围控制电路放置在存储单元的下方,较更传统的外围电路侧置设计可减少芯片占用空间。而SK海力士未来的NAND将在两块晶圆上分别制造外围电路和存储单元,此后采用W2W(晶圆对晶圆)形式的混合键...

手机闪存是什么

1.**eMMC闪存**:eMMC(EmbeddedMultiMediaCard)是一种嵌入式多媒体卡,它将NAND闪存芯片和控制芯片集成在一个封装内,常用于中低端手机中。eMMC的读写速度相对较慢,但成本较低。2.**UFS闪存**:UFS(UniversalFlashStorage)是一种新型的闪存标准,它采用串行接口,具有更高的带宽和更低的延迟。UFS闪存通常...

NAND市场,激战打响

三星的V-NAND便不再追求缩小cell单元,而是通过3D堆叠技术封装更多cell单元,实现增加容量的目的。2013年,三星发布全球首款V-NAND闪存并量产,标志着3DNAND闪存从技术概念向商业市场的转变。而如今,这一技术已经迭代到第九代。与第八代V-NAND相比,第九代V-NAND的单位面积存储密度提高了约...

形势严峻:被美国打压,国产NAND芯片原地踏步,份额仅5%

我所说的国产NAND闪存厂商,指的就是长江存储,这家成立于2016年的国产存储芯片厂商,表现是非常猛的。2016年才成立,2017年就量产32层堆叠的3DNAND,然后在2018年发明了晶栈技术,也叫做Xtacking。有了这个技术之后,长江存储就真的牛了,进入64层堆叠存储技术之后,直接跳过96层,迈入128层,和三星、SK海力士、美光等...