电驱逆变器SiC功率模块芯片级热分析
我们利用这一概念组装了两个不同的功率模块:第一个模块叫做GAP1,内部裸片阈压Vth的最大分布范围是250mV(围绕平均值+/-125mV),第二个模块叫做GAP2,Vth的最大变化范围是500mV(围绕平均值+/-250mV)。采用两个不同的开关频率进行测试:电驱逆变器的典型工作频率8kHz和12kHz。众所周知,耗散功率的增加与开关...
低功耗MCU,又卷起来了
配置方面,AIROCCYW20829包括96MHzARMCortexM33(应用MCU)和48MHzARMCortexM33(蓝牙子系统)两个核心,可全面支持蓝牙5.4、低功耗、10dBm输出功率(无需功率放大器)、256KB应用SRAM、一个支持XIP的四通道SPI接口,允许灵活选择外部闪存,以及各种外设包括CANFD、PDM、I2S、ADC、定时器。此外...
功率半导体IGBT行业科普
(3)IGBT是功率半导体中的核心器件,兼具MOSFET及BJT两类器件优势,驱动功率小而饱和压降低。金氧半场效晶体管(MOSFET)输入阻抗高、驱动功率小、开关速度快;而双极型三极管(BJT)饱和压降低,BJT更强调工作功率,MOSFET更强调工作频率,因此IGBT兼有以上两种器件的优点,性能优势显著。表1MOSFET,IGBT和BJT性能对比资料...
开关电源传导发射抑制措施分析
开关电流的幅值是由电源的额定功率决定的,无法改变;增加开关管的导通/关断时间可以使转折频率减小,有效的减小差模电压高频分量部分,但是由于导通/关断期间会有能量损耗,因此会加大功率损耗,降低开关电源的效率,这个需要权衡。因此,从源头上解决实现是有一定难度的。接下来从耦合路径分析,根据前面的分析,减小滤波电容的ES...
【Lidar头条】炬光科技激光雷达线光斑发射模组项目获定点;光特...
dToF(directTime-of-Flight)是指直接飞行时间技术路线,通过直接测量光脉冲的发射和接收飞行时间间隔,从而计算出ToF相机与被测目标之间的距离。dToF是光鉴科技继结构光、iToF、sToF等3D视觉路线后,又一次在新技术路线的拓展。为了支持远距离3D感知的需求,光鉴科技协同灵明光子,共同研发出全新dToF3D相机——Nebula...
干货|TTL电路详细讲解,工作原理+电路图
大功率TTL电路4、肖特基TTL电路肖特基TTL电路用于加快操作时间(www.e993.com)2024年9月11日。这种类型的TTL提供的速度是高功率TTL提供的速度的两倍。两个TTL的功耗相同,没有额外的功耗。下图表示基于NAND的基本肖特基TTL图。电路图与大功率TTL非常相似,这里缺少大功率TTL的Q晶体管。用于这种TTL的肖特基晶体管是一个基极和集电极...
深度解析特斯拉Model 3 逆变器的构造
4.RDS(on)是MOSFET在导通状态下的漏极到源极电阻,这里的最大值为26毫欧姆。这个值越低,MOSFET在导通时的功率损耗越小。5.ID(最大电流):100A这是MOSFET能够承受的最大漏极电流,为100安培。6.AEC-Q101认证7.非常快速且强健的内置体二极管...
基础知识之晶体管
VBE测定法硅晶体管的情况下基极-发射极间电压:VBE根据温度变化。图1.热电阻测量电路由此,通过测定VBE,可以推测结温。通过图1的测定电路,对晶体管输入封装功率:PC(max)。(假设1W晶体管的情况下,输入条件为VCB=10VIE=100mA)如图2:测定VBE的初始值VBE1...
武汉英弗耐斯取得功率管驱动电路相关专利,能避免功率开关管在关断...
第二电阻的第一端以及功率管驱动子电路的第一输出端;功率管驱动子电路的第二输入端分别耦接至PNP三极管的集电极、稳压二极管的阳极以及第一电容的第一端,稳压二极管的阴极分别耦接至第一电容的第二端、第二电阻的第二端以及功率管驱动子电路的第二输出端;从而能够避免功率开关管在关断时误导通,进而避免同一桥臂上下...
功率晶体管的历史和新兴设计
达林顿功率双极晶体管(图1右侧)能够改善低通态电流增益的问题。它利用基极驱动晶体管T1向输出晶体管T2提供驱动电流,如图1中的等效电路所示。这种方法允许在导通状态下增加电流增益,但关断增益仍然很差。更重要的是,由于晶体管T1的电流流经晶体管T2的基极-发射极结,达林顿功率晶体管具有类似二极管的导通状态特性。这使得...