江苏微导纳米科技股份有限公司
2024年4月29日 - 新浪
进入45nm制程特别是28nm之后,传统的SiO2栅介质层薄膜材料厚度需缩小至1纳米以下,将产生明显的量子隧穿效应和多晶硅耗尽效应,导致漏电流急剧增加、器件性能急剧恶化,业界提出了用高k材料来替代SiO2改善器件性能。HfO2作为栅介质层得到了广泛应用,栅介质层要求厚度原子级别的精确控制及高覆盖率和薄膜均匀性,所以需要ALD技术...
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广州市人民政府办公厅关于优化市场准入环境全面提升开办企业一体...
2022年8月26日 - 广州政府门户网
申请人通过一网通平台开办企业,可以选择一站式同步填写开户申请信息,经企业授权同意后,一网通平台可以将相关信息实时推送给企业选定的开户银行。企业可以通过“e证通”应用快捷获取开户银行反馈的企业账户预约账号,方便在企业开办后快捷办理代扣代缴税费、社会保险费等事项。本市鼓励各商业银行为企业提供银行开户免费等服务,...
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