8种开关电源MOS管的工作损耗计算

基本原则为MOSFET实际工作环境中的最大周期漏极电流不大于规格书中标称最大漏源电流的90%;漏极脉冲电流峰值不大于规格书中标称漏极脉冲电流峰值的90%即:ID_max≤90%*IDID_pulse≤90%*IDP注:一般地,ID_max及ID_pulse具有负温度系数,故应取器件在最大结温条件下之ID_max及...

MOS管的安全工作区SOA详解(一)限制线介绍

只要使用的条件(电压、电流、结温等)不超出SOA圈定的区域,MOSFET必然能够按照我们想象的那样,任劳任怨的持续运行,反之,则可能烧掉。SOA图形是一个非常有用的图形,特别在一些热插拔,电机驱动,开关电源等用到开关MOS的场合。因为这些场合,MOS在开通或关断的切换过程中,瞬间功率可能是很高的,如果超过SOA区,那么就有风...

吃透MOS管,看这篇就够了

MOSFET只靠多子导电,不存在少子储存效应,因而关断过程非常迅速,开关时间在10—100ns之间,工作频率可达100kHz以上,普通的晶体三极管由于少数载流子的存储效应,使开关总有滞后现象,影响开关速度的提高(目前采用MOS管的开关电源其工作频率可以轻易的做到100K/S～150K/S,这对于普通的大功率晶体三极管来说是难以想象的)。3...

MOS管在LED非隔离器中的应用方案

耐压能力:选择具有足够耐压能力的MOS管,以应对输入电源的波动和突发情况,确保LED系统可靠运行。封装和散热:根据实际应用需求选择合适的封装类型和散热方案,保证MOS管在工作过程中的稳定性和可靠性。通过合适选型和设计,MOS管能够有效驱动和保护LED,在LED非隔离电源中发挥重要作用。推荐微碧半导体的MOS管:微碧半导体...

一文搞懂IGBT

MOSFET与IGBT在线性区之间存在差异(红框所标位置)。这主要是由于IGBT在导通初期,发射极P+/N-结需要约为0.7V的电压降使得该结从零偏转变为正偏所导致的。06IGBT如何选型1、IGBT额定电压的选择三相380V输入电压经过整流和滤波后,直流母线电压的最大值:在开关工作的条件下,IGBT的额定电压一般要求高于直流母线电...

深圳市名家汇科技股份有限公司 关于董事兼高级管理人员辞职的公告

产品与方案业务的主要产品包括IGBT分立器件和模块等,晶圆制造服务业务主要包括IGBT、FRD、MOSFET、TMBS、SBD晶圆制造以及SiC晶圆部分工序的加工服务(www.e993.com)2024年11月11日。标的公司具备功率半导体的设计、晶圆制造及模块设计一体化的能力,致力于成为IDM模式的功率器件厂商。(三)主要产品...

详解集成电路中MOS管的基本原理和工作特性

如前面所说,我们研究I/V特性不是为了推导而推导,只是为了让我们更加清楚地了解MOS管的工作状态,在后续的表达中可以更加简洁精炼,因此我们本部分重点讨论MOS管的工作状态(主要讨论NMOS管,PMOS其实很多时候就是多一个负号,大家可以自行分析下),以及如何判断工作状态,附带地根据数学公式绘制出各个状态下的I/V特性。

超火的MOS管电路工作原理及详解

超火的MOS管电路工作原理及详解这是网上评价非常高的一篇关于MOS管电路工作原理的讲解,从管脚的识别,到极性的分辨,再到常用功能,应用电路等等,都做了详细的解释与说明,还配了相关的图片。绝对能让你彻底理解MOS管,不可多得的学习资料,赶快收藏!

MOS管知识最全收录

第三是灵活性不同。有些MOS管的源极和漏极可以互换运用,栅压也可正可负,灵活性比三极管好。第四是集成能力不同。MOS管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多MOS管集成在一块硅片上,因此MOS管在大范围集成电路中得到了普遍的应用。

【技术专栏】一文详解MOS管,看这个就够了!

MOS管应用电压的极性和我们普通的晶体三极管相同,N沟道的类似NPN晶体三极管,漏极D接正极,源极S接负极,栅极G正电压时导电沟道建立,N沟道MOS管开始工作,如图1-4-B所示。同样P道的类似PNP晶体三极管,漏极D接负极,源极S接正极,栅极G负电压时,导电沟道建立,P沟道MOS管开始工作,如图1-5-B所示。