为什么D类放大器需要反并联二极管
我们也可以使用MOSFET代替双极结型晶体管来实现D类放大器的开关。图10显示了功率MOSFET的截面。N型沟道功率MOSFET的横截面。图10N-channel功率MOSFET的结构。图片由IXYS提供利用这种结构,电流垂直流过硅片。在晶片的底部,我们有金属化漏极连接。在晶片的顶部,我们有金属化的源极连接和多晶硅栅极。当漏源电压为...
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2021年全国人民代表大会通过的《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》指出,要集中优势资源攻关多领域关键核心技术,特别指出“集成电路领域攻关”具体包括了“绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、微机电系统(MEMS)等特色工艺突破,碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体发展”。2024年4月,中国证监会发布...
双极性结型晶体管的开关损耗
该模拟双极性结型晶体管的Q1由3.3V数字信号控制,并将电流切换到50Ω负载。一种LTspice双极结晶体管电路。图2:在LTspice中建模的图3显示了运行模拟时产生的基极-发射极和集电极-发射极电压。在开关周期的有源部分,模拟BJT开关的基极-发射极和集电极-发射极电压。图3。在开关周期的有效部分期间,基极到发...
基础知识之晶体管
当晶体管的基极引脚被施加电压(约0.7V以上)并流过微小电流时,晶体管会导通,电流会在集电极和发射极之间流动。反之,当施加到基极引脚的电压较低(约0.7V以下)时,集电极和发射极处于关断状态,电流不流动。晶体管的开关工作就像使用基极作为开关来打开和关闭从集电极流向发射极的电流。开关导通示意图作为放大器...
干货|TTL电路详细讲解,工作原理+电路图
从上图可以看出,T1是输入三极管,在开关时间上有优势。晶体管T2是分相器,晶体管T3和T4提供图腾柱输出。该TTL电路具有极低的输入阻抗、高扇出和更好的抗噪性,并且能够进行高电容驱动。当输入A和B为高电平时,晶体管T2和T3导通并充当共发射极放大器。晶体管T4和发射极处的二极管正向偏...
半导体专题篇十五:功率半导体
(2)绝缘栅双极型晶体管(IGBT)IGBT是一种介于MOSFET和普通双极型晶体管之间的功率半导体器件(www.e993.com)2024年9月11日。它结合了双极型晶体管的高电压能力和MOSFET的低导通压降特性,具有导通压降低、开关速度快、饱和压降小等优点。IGBT在工业驱动、交流电机控制、电力变换等领域有着广泛的应用。
三极管的奥秘:如何用小电流控制大电流
截止区:当发射结电压小于导通电压(约0.6-0.7V),发射结没有导通,集电结处于反向偏置,三极管没有电流放大作用,相当于一个断开的开关。放大区:当发射结电压大于导通电压,发射结正偏,集电结反偏,三极管的基极电流控制着集电极电流,集电极电流与基极电流近似于线性关系,三极管起到电流放大作用,相当于一个可调的电阻。
半导体芯片,到底是如何工作的?|栅极|肖特基|二极管|场效应晶体管...
栅极上很小的电流变化,能引起阳极很大的电流变化。而且,变化波形与栅极电流完全一致。所以,三极管有信号放大的作用。一开始的三极管是单栅,后来变成了两块板子夹在一起的双栅,再后来,干脆变成了整个包起来的围栅。围栅真空三极管的诞生,是电子工业领域的里程碑事件。
功率半导体介绍及分类,功率半导体技术挑战和解决方案
IGBT没有放大电压的功能,导通时可以看做导线,断开时当做开路。IGBT同时具有BJT和MOSFET的优点,即高输入阻抗、低导通压降、驱动功率小而饱和压降低等,IGBT与BJT或MOS管相比,其优势是它提供了一个比标准双极型晶体管更大的功率增益,以及更高的工作电压和更低的MOS管输入损耗。因此广泛应用于直流电压为600V及...
NMOS和PMOS详解
此外,P沟道MOS晶体管阈值电压的绝对值一般偏高,要求有较高的工作电压。它的供电电源的电压大小和极性,与双极型晶体管——晶体管逻辑电路不兼容。PMOS因逻辑摆幅大,充电放电过程长,加之器件跨导小,所以工作速度更低,在NMOS电路(见N沟道金属—氧化物—半导体集成电路)出现之后,多数已为NMOS电路所取代。只是,因PMOS...