...的半导体发光元件专利,提升热态下量子阱与 p 型半导体的界面带阶

专利摘要显示,本发明提出了一种具有热态冷态比例调控层的半导体发光元件,包括从下至上依次设置的衬底、n型半导体、有源层和p型半导体,所述n型半导体与有源层之间设置有热态冷态比例调控层,所述热态冷态比例调控层具有峰值速率电场变化趋势和重空穴有效质量变化趋势。本发明能够提升热态下量子阱与p型半...

宁波大学Angew:模组认证纪录效率!顶部界面修饰与N型半导体提升...

此外,非极性溶剂的使用以及Y7-BO分子优异的半导体特性也使钙钛矿太阳能组件(i-PSM)在有效面积为50cm??、400cm??和1160cm??时分别达到了23.05%、22.32%和21.1%(经认证的PCE)的纪录效率,成为文献中报道的最高PCE。更重要的是,钙钛矿与PCBM层之间增强的界面机械强度显著提高了电池的...

中科院北京纳米能源所张弛研究员团队EES:基于P/N型有机半导体纤维...

研究人员将P型的有机半导体聚(3,4-乙烯二氧噻吩):全氟磺酸(PEDOT:PF)和N型的有机半导体聚(苯二呋喃二酮)(PBFD)集成到棉纺纤维上并进一步编织成三维的螺旋纤维(SF)。通过串/并联组合,SFs被编织成可穿戴的直流纺织电源。研究人员进一步系统研究了直径、机械应力、运动方式(拉伸状态和压缩状态)和串/...

天岳先进:液相法、P型SiC成功交付!

天岳先进在全球n型碳化硅市场占有率位居第二,高纯半绝缘型碳化硅衬底产品连续五年稳居全球第三。2023年,公司与英飞凌、博世等功率器件及汽车电子领域的知名企业签订了长期合作协议。导电型n型碳化硅衬底产品在高功率器件中表现出显著优势,尤其在电动汽车应用中具有突出的竞争力。天岳先进的车规级产品获得了国际客户的认可,...

华为申请半导体器件及其制备方法专利,使半导体器件具备耐压功能

可以看出,本申请提供的半导体器件不易被击穿,可靠性高。半导体器件可以包括衬底、N型漂移区、第一P型掺杂区和电介质层。衬底和N型漂移区可以沿第一方向层叠设置。第一P型掺杂区可以位于N型漂移区内部,第一P型掺杂区可以设有第一沟槽,电介质层可以位于第一沟槽内部。

发射型钙钛矿半导体的可控p型和n型行为研究

本研究报道指出,通过在宽带隙钙钛矿半导体中掺入具有强吸电子能力的膦酸分子掺杂剂,可以调整其p型和n型特性(www.e993.com)2024年11月15日。由此得到的p型和n型样品的载流子浓度均超过1013cm-3,霍尔系数范围从0.5m3C-1(n型)到0.6m3C-1(p型)。观察到费米能级在带隙间的移动。

华为公司申请半导体器件专利,降低N型FET与P型FET之间的晶格失配程度

金融界2024年3月22日消息,据国家知识产权局公告,华为技术有限公司申请一项名为“半导体器件、半导体器件的制造方法以及芯片“,公开号CN117747618A,申请日期为2022年9月。专利摘要显示,

【IPO一线】深交所:终止对泛源科技创业板IPO审核

1、“半导体及高精度平板显示掩膜版扩产项目”旨在针对市场需求增长较快和技术较先进的细分产品进行扩产,顺应半导体和平板显示产业持续发展和创新的态势,提升公司核心技术转化能力和多品类产品定制化综合服务能力,满足下游市场持续增长的需求,增强高世代高精度掩膜版产品自主可控的生产能力;...

刘冰冰教授、李全军教授团队利用压力调制Peierls畸变实现NbOI2的n...

图1:通过压力抑制Nb原子沿着b轴的偏心,导致NbOI2发生C2到C2/m的半导体-半导体相变,同时,载流子行为发生从n型到p型的显著转变。吉林大学超硬材料国家重点实验室岳磊博士、李宗伦博士(现散裂中子源博士后)为论文共同第一作者,通讯作者为吉林大学超硬材料国家重点实验室的刘冰冰教授、李全军教授。该研究得到国家重点研...

东微半导申请半导体功率器件专利,包括控制电流沟道开启和关断的...

专利摘要显示,本发明实施例提供的一种半导体功率器件,包括:n型半导体层;位于所述n型半导体层内的多个p型柱;位于所述n型半导体层内且位于所述p型柱顶部的p型体区,所述p型体区内设有n型源区;凹陷在所述n型半导体层内的控制电流沟道开启和关断的栅极结构,所述栅极结构包括栅介质层和栅极;凹陷在所述p型体区内...