爱范儿

由此,M4Ultra最多将会配备32核CPU与80核GPU以及32核NPU,在晶体管数量上也将达到M4Max的两倍。作为参考,M2Ultra在Geekbench6多核测试中得分为21241,而M2Max的得分为14621,M4Ultra也一样,虽然有边际效应的影响,但双倍芯片依旧能带来强大的性能提升。由于第一批搭载M4...

集电极开路什么意思?集电极开路电路工作原理讲解

1、当NPN晶体管工作在“高”状态时,它向地提供灌电流;在“低”状态时,输出端将浮动,直到它通过上拉电阻连接到正电源电压。2、当PNP晶体管工作在“高”状态时,它向地提供源电流;在“低”状态时,输出端将浮动,直到使用下拉电阻连接到地。下图是集电极开路逻辑图。集电极开路逻辑二、集电极开路晶体管...

干货|TTL电路详细讲解,工作原理+电路图

E处的低电平还正向偏置二极管D2以从晶体管Q3的基极分流电流,因此Q3也关闭。由于两个图腾柱晶体管都处于截止状态,因此输出端基本上是开路。具体的可以看如下真值表:F=1时,电路作为正常逆变器运行,因为F处的高输入对晶体管Q1或二极管D2没有影响。在此启用条件下,输出只是逻辑输入的反...

基础知识之晶体管

当晶体管的基极引脚被施加电压(约0.7V以上)并流过微小电流时,晶体管会导通,电流会在集电极和发射极之间流动。反之,当施加到基极引脚的电压较低(约0.7V以下)时,集电极和发射极处于关断状态,电流不流动。晶体管的开关工作就像使用基极作为开关来打开和关闭从集电极流向发射极的电流。开关导通示意图作为放大器...

一文搞懂IGBT

1、开关速度低于MOS管。2、因为是单向的,在没有附加电路的情况下无法处理AC波形。3、不能阻挡更高的反向电压。4、比BJT和MOS管价格更高。5、类似于晶闸管的P-N-P-N结构,因此它存在锁存问题。04IGBT的主要参数1、集电极-发射极额定电压UCES是IGBT在截止状态下集电极与发射极之间能够承受的最大...

MOSFET开关损耗简介

在开关模式中,栅极到源极电压足够低以防止电流流动,或者足够高以使FET处于“完全增强”状态,在该状态下沟道电阻大大降低(www.e993.com)2024年11月9日。在这种状态下,晶体管就像一个闭合的开关:即使大电流流过通道,功耗也会很低或中等。随着开关模式操作接近理想情况,功耗变得可以忽略不计。开关要么完全不活动,电流为零,因此损耗为零,要么完全...

可控硅基本知识|半波|信号|导通|整流|继电器_网易订阅

可控硅导通的条件,除了像二极管一样必须具有足够大的正向电源以外,还必须在控制极与阴极基之间施加一个足够大的正向触发电压(称触发信号)。可控硅尚未导通时的状态称正向阻断。三、可控硅的工作原理1、根据可控硅的结构,可以把它看成由NPN型晶体管T??和PNP型晶体管T??所组成。如下图所示:...

江苏省科学技术厅 江苏省财政厅

·cm2,80V漏级电压应力下动态电阻退化<20%,芯片电流>20A;700-900V高压器件比导通电阻小于8mΩ·cm2,芯片电流>5A,短路耐量>10μs;纵向导通外延层位错密度<1×106cm-2,纵向二极管耐压>1700V,比导通电阻<2mΩ·cm2,抗浪涌能力>18000A/cm2;纵向晶体管耐压>1200V,导通电流密度>1000A/cm2;Si衬底...

高新发展2023年年度董事会经营评述

功率半导体IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor,绝缘栅双极型晶体管)是由双极型三极管BJT和MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管)组成的复合全控型电压驱动式功率器件,被称为电力电子行业里的“CPU”。按照工作电压的不同,IGBT在650V至6500V的电压范围内的各类应用场景广泛应用,其中工控、新能源汽车、风光储和消费...

半导体专题篇十五:功率半导体

与整流器相反,逆变器是一种将直流电转换为交流电的装置。逆变器在可再生能源发电、电动汽车充电、电网蓄能等方面起到了关键作用。常见的功率半导体器件,如金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)等,被广泛用于逆变器的设计。逆变器通过控制功率半导体器件的导通和截止,实现直流电到交流电的...