MOS管及其外围电路设计

该电流igd会流过驱动电阻Rg,在mos管GS之间又引入一个电压,当该电压高于mos管的门槛电压Vth时,mos管会误开通,为了防止mos管误开通,应当满足:式(6)给出了驱动电阻Rg的上限值,式(6)中Cgd为mos管gd的寄生电容,Vth为mos管的门槛电压,均可以在对应的datasheet中查到,dV/dt则可以根据电路实际工作时mos的DS电压和...

MOS管烧了,可能是这些原因

在某些调谐条件下,当一个MOS管关闭而另一个器件打开时,这会导致电流“续流”通过MOS管的内部体二极管。这个原本不是什么问题,但当对面的MOS管试图开启时,内部体二极管的缓慢关断(或反向恢复)就会出现问题。与MOS管自身的性能相比,MOS管体二极管通常具有较长的反向恢复时间。如果一个MOS管的体二极管在对立...

吃透MOS管,看这篇就够了

上面图中,下边的p型中间一个窄长条就是沟道,使得左右两块P型极连在一起,因此mos管导通后是电阻特性,因此它的一个重要参数就是导通电阻,选用mos管必须清楚这个参数是否符合需求。解释2:n型上图表示的是p型mos管,读者可以依据此图理解n型的,都是反过来即可。因此,不难理解,n型的如图在栅极加正压会导致导通,...

MOS管驱动电流估算

于是乎得出这样的结论,驱动电流只需250mA左右即可。仔细想想这样计算对吗?这里必须要注意这样一个条件细节,RG=25Ω。所以这个指标没有什么意义。应该怎么计算才对呢?其实应该是这样的,根据产品的开关速度来决定开关电流。根据I=Q/t,获得了具体MOS管Qg数据,和我们线路的电流能力,就可以获得Ton=Qg/I。比如45N...

MOS管的安全工作区SOA详解(一)限制线介绍

只要使用的条件(电压、电流、结温等)不超出SOA圈定的区域,MOSFET必然能够按照我们想象的那样,任劳任怨的持续运行,反之,则可能烧掉。SOA图形是一个非常有用的图形,特别在一些热插拔,电机驱动,开关电源等用到开关MOS的场合。因为这些场合,MOS在开通或关断的切换过程中,瞬间功率可能是很高的,如果超过SOA区,那么就有...

再总结60条硬件设计基础知识!

因为MOS管和三极管关闭时,漏极D和集电极C是高阻态,输出无确定电平,实际应用必须通过电阻上拉至确定电平(www.e993.com)2024年11月4日。3333、电路产生自激振荡的幅值条件和相位条件是什么?幅值条件是:|AF|≥1相位条件是:φA+φF=2nπ(n=0,1,2,...)34

MOSFET基本原理、参数及米勒效应全解

在uGS=0V时iD=0,只有当uGS>UGS(th)后才会出现漏极电流,所以,这种MOS管称为增强型MOS管,如下图所示:图3uGS>UGS(th)时iD受uDS影响uGS对漏极电流的控制关系可用转移特性曲线描述,转移特性曲线如下图b所示,转移特性曲线的斜率的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。

干货|技术参数详解,MOS管知识最全收录

第三是灵活性不同。有些MOS管的源极和漏极可以互换运用,栅压也可正可负,灵活性比三极管好。第四是集成能力不同。MOS管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多MOS管集成在一块硅片上,因此MOS管在大范围集成电路中得到了普遍的应用。

干货| 用 MOS管构建双向逻辑电平转换器电路

第一个条件是,低电平逻辑电压(本例中为3.3V)需要连接到MOS管的源极,高电平逻辑电压(本例中为5V)必须连接到MOS管的漏极引脚。第二个条件是,MOS管的栅极需要连接到低压电源(本例中为3.3V)。双向逻辑电平转换器的仿真1、双向逻辑电平转换器的仿真...

MOS管参数,一一解惑

MOS管参数,一一解惑原标题:MOS管参数,一一解惑来源:面包板社区最大额定参数最大额定参数,所有数值取得条件(Ta=25℃)VDSS最大漏-源电压在栅源短接,漏-源额定电压(VDSS)是指漏-源未发生雪崩击穿前所能施加的最大电压。根据温度的不同,实际雪崩击穿电压可能低于额定VDSS。关于V(BR)DSS的详细描述...