程华电子:恒压驱动开关电源的变压器测试

开关管内置恒流驱动开关电源的变压器,初级绕组85T,0.31mm线径;次级绕组13T,0.47mm线径。初级电感量如图4-4所示,品质因数如图4-5所示。由图4-4可知,4层纸的气隙产生的初级电感量接近设计要求。3.开关管外置恒流驱动开关电源的变压器测试开关管外置恒流驱动开关电源的变压器,初级绕组70T,0.31mm线径;次级绕组2...

MOS管常见的几种应用电路

MOS管在这里实现的仍是开关的功能,但是避免IC1和IC2的端口直接相连造成信息干扰,同时芯片控制端电压比较低,可以驱动较大的负载。由于IC1和IC2任何一个输出高电平时,都会导通一个MOS管,从而让LED可以点亮。常见的简单电源切换电路如图1所示,但这个电路应用条件是有限制和缺陷的,比如电池电压VBAT不能大于外部电压VI...

开关电源噪声,还可以这样解决

导通时间过长,通过高频变压器传输了过多的能量;直流整流的储能电感本周期内能量未充分释放,经PWM判断在下一个周期内没有产生令开关管导通的驱动信号或占空比过小;开关管在之后的整个周期内为截止状态,或者导通时间过短;储能电感经过多于一整个周期的能量释放,输出电压下降,开关管下一个周期内的占空比又会大…...

当开关电源输入过压,如何防护?

因此考虑到输入电压在305VAC基础上存在一定的波动而输入电压过压,选用规格为650V的MOS管在电路中工作,MOS管的应力还有一定的裕量,并且MOS管的电压应力可以通过进一步调整变压器和电路参数进行优化降低。因此当输入电压在305VAC稳态工作时,即使电网电压存在一定的波动,选用650V的MOS管,也是有一定的电压应力裕量,可以提高...

8种开关电源MOS管的工作损耗计算

注:一般地,V(BR)DSS具有正温度系数。故应取设备最低工作温度条件下之V(BR)DSS值作为参考。2、漏极电流其次考虑漏极电流的选择。基本原则为MOSFET实际工作环境中的最大周期漏极电流不大于规格书中标称最大漏源电流的90%;漏极脉冲电流峰值不大于规格书中标称漏极脉冲电流峰值的90%即:...

吃透MOS管,看这篇就够了

2)、开关速度快:MOSFET的开关速度和输入的容性特性的有很大关系,由于输入容性特性的存在,使开关的速度变慢,但是在作为开关运用时,可降低驱动电路内阻,加快开关速度(输入采用了后述的“灌流电路”驱动,加快了容性的充放电的时间)(www.e993.com)2024年11月5日。MOSFET只靠多子导电,不存在少子储存效应,因而关断过程非常迅速,开关时间在10—100ns...

MOS管烧了,可能是这些原因

当MOS管用作开关器件时,工程师可以简单获得MOS管固有体二极管形式的续流二极管,这解决了一个问题,但创造了一个全新的问题...MOS管体二极管的缓慢反向恢复诸如特斯拉线圈之类的高Q谐振电路能够在其电感和自电容中存储大量能量。在某些调谐条件下,当一个MOS管关闭而另一个器件打开时,这会导致电流“续流”通过...

MOS管的核心参数解析(导通电阻与栅极电荷)

MOS管的核心参数解析(导通电阻与栅极电荷)功率管的最主要的应用是控制电流的通断,即在一定的电压条件下对流经器件的电流进行开关控制。首先,在可以承受的击穿电压的前提下(即器件的工作电压平台),器件导通电阻越低,其导通损耗就越低。其次,器件在开关状态间切换时,栅极电荷越小,器件的开关速度就越快,其动态...

一文了解那些显示器都在用的MOS管

内置MOS型号新洁能NCEP1520K新洁能NCEP1520K是一颗耐压150V,导阻59mΩ的NMOS管,采用TO252封装。在红米显示器作为升压开关管使用。新洁能NCE30PD08S两颗MOS管来自新洁能NCE30PD08S,是一颗双PMOS管,耐压30V,导阻16mΩ,采用SOP8封装。LGUltraFine275K显示器...

功率半导体行业深度报告:能源变革大时代,功率器件大市场

封装测试有以下挑战：1）在封装环节，要选择键合引线、模具、框架等材料；2）要平衡功率半导体模组的散热问题和可靠性；3）缺乏车规试验条件或者测试经验，不知道怎么设定具体试验参数。SJMOSFET、IGBT还有碳化硅MOSFET，这些都属于中高端功率半导体器件。国内的厂家呢，在器件设计、晶圆制造工艺以及封测环节，都或多或少...