上海华力集成电路制造有限公司申请超级闪存及其制造方法专利,改善...

金融界2024年11月15日消息,国家知识产权局信息显示,上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“超级闪存及其制造方法”的专利,公开号CN118946147A,申请日期为2023年5月。专利摘要显示,本发明公开了一种超级闪存,器件单元包括位于源区顶部的第一栅极沟槽,在第一栅极沟槽的侧面自对准形成有第一侧墙结构,第...

荣耀70系列处理器是什么 电池容量是多少?

不是荣耀70运存和闪存分别是LPDDR4X以及UFS2.2荣耀70Pro和荣耀70Pro+内存和闪存配置是UFS3.1+LPDDR5荣耀70荣耀70可以用鸿蒙系统吗?不支持荣耀70系列均预装了MagicUI6.1(基于Android12),该系统是荣耀旗下手机使用的系统,和其他很多手机厂商定制的系统一样,都是基于开源的Android系统开发。华为的...

我国科学家突破硅基闪存器件尺寸极限

同时，研究团队研发了不依赖先进光刻设备的自对准工艺，结合原始创新的超快存储叠层电场设计理论，成功实现了沟道长度为8纳米的超快闪存器件。该器件是目前国际最短沟道闪存器件，突破了硅基闪存物理尺寸极限，约15纳米。研究人员介绍，此项研究工作将推动超快闪存技术的产业化应用。编辑樊一婧...

【授权】中芯国际“NAND闪存器件及其形成方法”专利获授权;清华...

天眼查显示,中芯国际近日新增多条专利信息,其中一条名称为“NAND闪存器件及其形成方法”,公开号为CN113078099A,法律状态显示该专利已获授权。专利摘要显示,一种NAND闪存器件及其形成方法,方法在形成第一源漏掺杂区之后,刻蚀减薄第一初始间隙壁结构,使第一初始间隙壁结构形成第一间隙壁结构;形成第一间隙壁结构之后,在...

复旦团队国际首次验证超快闪存集成工艺:10 年非易失

同时,研究团队研发了不依赖先进光刻设备的自对准工艺,结合原始创新的超快存储叠层电场设计理论,成功实现了沟道长度为8纳米的超快闪存器件,是目前最短沟道闪存器件,并突破了硅基闪存物理尺寸极限(约15纳米)。在原子级薄层沟道支持下,这一超小尺寸器件具备20纳秒超快编程、10年非易失、十万次循环寿命和多态...

国际首次!复旦团队实现超快闪存的规模集成和极限微缩

快科技8月13日消息,据"复旦大学微电子学院"官微发文,周鹏-刘春森团队从界面工程出发,在国际上首次实现了最大规模1Kb纳秒超快闪存阵列集成验证,并证明了其超快特性可延伸至亚10纳米(www.e993.com)2024年11月22日。据介绍,人工智能的飞速发展迫切需要高速非易失存储技术,当前主流非易失闪存的编程速度普遍在百微秒级,无法支撑应用需求。

复旦团队研发超快闪存集成工艺:20纳秒超快编程、10年非易失。-24...

同时,研究团队研发了不依赖先进光刻设备的自对准工艺,结合原始创新的超快存储叠层电场设计理论,成功实现了沟道长度为8纳米的超快闪存器件,是当前国际最短沟道闪存器件,并突破了硅基闪存物理尺寸极限(约15纳米)。在原子级薄层沟道支持下,这一超小尺寸器件具备20纳秒超快编程、10年非易失、十万次循环寿命和多态存储...

复旦团队实现纳秒级编程闪存规模集成

同时,研究团队研发了不依赖先进光刻设备的自对准工艺,结合原始创新的超快存储叠层电场设计理论,成功实现了沟道长度为8纳米的超快闪存器件,是当前国际最短沟道闪存器件,并突破了硅基闪存物理尺寸极限(约15纳米)。在原子级薄层沟道支持下,这一超小尺寸器件具备20纳秒超快编程、10年非易失、十万次循环寿命和多态存储性...

复旦大学研发超快闪存集成工艺,突破存储速度极限

同时,研究团队研发了不依赖先进光刻设备的自对准工艺,结合原始创新的超快存储叠层电场设计理论,成功实现了沟道长度为8纳米的超快闪存器件,是当前国际最短沟道闪存器件,并突破了硅基闪存物理尺寸极限(约15纳米)。在原子级薄层沟道支持下,这一超小尺寸器件具备20纳秒超快编程、10年非易失、十万次循环寿命和多态存储...

新研究将推动超快闪存技术产业化应用

这是当前国际最短沟道闪存器件,突破了硅基闪存物理尺寸极限(约15纳米)。在原子级薄层沟道支持下,这一超小尺寸器件具备20纳秒超快编程、10年非易失、10万次循环寿命和多态存储性能。相关论文信息:httpsdoi/10.1038/s41928-024-01229-6