开关功率晶体管的选择和正确操作
上级晶体管几乎可以是任何晶体管:高fT双极晶体管、标准MOSFET、Coolmos、a-Si、GaN、SiCJFET、GaN或SiC增强型MOSFET,这都无关紧要!了解这一点非常重要,因为提供级联的GaN和SiC制造商试图说服客户,GaN或SiC可实现快速切换。事实上,如果使用SiCoolmos代替GaN或SiC,则切换速度相同,因为这...
港晟适配器方案解析:内置第三代半导体器件,满足高性能设备使用
港晟适配器方案解析:内置第三代半导体器件,满足高性能设备使用适配器内部开关电源方案来自恩智浦,采用TEA2017AATPFC+LLC二合一控制器。内部PFC开关管和LLC开关管均采用英诺赛科氮化镓开关管,PFC整流管采用美浦森碳化硅二极管,同步整流控制器采用TEA2095,搭配使
达新半导体|张海涛:Si/SiC/GaN功率器件技术路线对比浅析
另外碳化硅跟氮化镓,分别叫金属氧化物半导体场效应晶体管,氮化镓是一个HEMT器件,是高电子迁移率晶体管,从名称可以看到,硅是一个双极型的,另外两种是单极型的器件,硅的IGBT可以等效为它是一个MOS管控制的PIN二极管,所以它是一个双极型器件。再来从器件的结构上进行对比,这里画了示意图,从下往上看。首先来看衬底,...
基础知识之晶体管
晶体管大致可以分为“NPN”和“PNP”两种类型。从右图中也可以看出,主要是根据集电极引脚侧在电路中是吸入还是输出电流来区分使用晶体管。如果想根据输入信号进行开关,那么使用NPN型晶体管,发射极接地。如果想在电源侧进行控制,则通常使用PNP型晶体管。NPN型晶体管的载流子是电子(负电荷),而PNP型晶体管的载流子是...
国芯思辰| B2M碳化硅MOSFET在LLC、移相全桥型电源应用中的优势
LLC谐振型开关电源以其兼具能够在全负载范围内实现原边开关管的ZVS开通,整流二极管的ZCS关断的特点和便于磁集成、输入电压范围宽等优势,在高频开关电源领域获得了广泛的关注和应用。移相全桥(Phase-ShiftingFull-BridgeConverter,简称PSFB),利用功率器件的结电容与变压器的漏感作为谐振元件,使全桥电源的4个开关管...
什么是光电耦合器?如何选择型号及种类
1、晶体管输出光电耦合器/晶体管耦合器当光电耦合器首次出现在市场上时,只有这种类型可用(www.e993.com)2024年8月1日。由于其低成本和高通用性,这种类型仍然是市场上使用最多的,其应用范围很广。部分产品具有高传输比、高击穿电压、低输入驱动等特点。功能方面,晶体管输出光电耦合器广泛用于信号隔离、反馈检测和隔离开关。
路边大型新能源汽车充电桩内置,华为15kW R75020G2充电模块拆解
两颗PFC开关管来自ST意法半导体,型号STGW60H65DFB,为高速IGBT,规格为650V60A,采用TO-247封装。两颗对向串联,每一相使用4颗,三相共使用12颗。PFC整流管采用微芯科技APT40DQ120BG,为超快速软恢复二极管,规格为1200V40A,符合AEC-Q101标准,采用TO-247封装,同样使用12颗对应三相PFC应用。
2024年计算机软考中级【硬件工程师】面试题目汇总(附答案)
MOS管是指绝缘栅型场效应管,下面以增强型NMOS来介绍其工作原理。在P型半导体衬底上制作两个高掺杂浓度的N型区,形成MOS管的源极S和漏极D。第三个电极称为栅极G,通常用金属铝或者多晶硅制作。栅极和衬底之间被二氧化硅绝缘层(厚度极薄,在0.1μm以内)隔开。若在漏极和源极之间加上电压,而栅源电压VGS=0,则由于...
【行业深度】行业需求风起云涌,功率半导体国产替代正当时
光控型器件一般是专门制造的功率半导体器件,如光控晶闸管。这类器件的开关行为通过光纤和专用光发射器来控制,不依赖电流或者电压驱动。从下游应用市场结构来看,2019年功率半导体下游主要是功率IC,占比54.30%,其次分别是MOSFET以及功率二极管/整流桥,占比分别为16.40%和14.80%。IGBT位列第四,占比12.40%。
一文讲透上下拉电阻
CMOS器件在使用是一般要加上下来避免输入悬空因为CMOS输入是电压控制型,输入阻抗很高,所以上下拉电阻的值可以很大,理论上用MΩ级别的电阻都没问题。不过理论归理论,工程师得认清现实。现实的CMOS输入结构,为了保护MOS管的栅极,会在栅极上加入ESD二极管,二极管反向偏置的时候是有漏电流的,还会随温度的升高还会指数增长...