为何这些PC电源效率极高,拆解发现采用这些功率器件

PFC开关管来自英飞凌,型号IPW60R099C7,为CoolMOSC7系列,NMOS,耐压650V,导阻99mΩ,采用TO247封装。Wolfspeed沃孚半导体C3D08060A两颗碳化硅二极管来自Wolfspeed,型号C3D08060A,是一颗耐压600V的碳化硅二极管,采用TO220封装。Infineon英飞凌IPA60R060P7四颗全桥LLC开关管来自英飞凌,型号IPA60R060P7,为CoolMOS...

MOS管-IC电子元器件

MOS管全称为金属氧化物半导体场效应管(MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor),也被称为MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor)。它是一种半导体器件,常用于电子电路中的开关、放大、稳压等功能。01MOS管特点1、高输入阻抗:MOS管的输入电阻非常高,因此可以减小输入信号源的功耗。2、...

吃透MOS管,看这篇就够了

MOS管学名是场效应管,是金属-氧化物-半导体型场效应管,属于绝缘栅型。本文就结构构造、特点、实用电路等几个方面用工程师的话简单描述。其结构示意图:解释1:沟道上面图中,下边的p型中间一个窄长条就是沟道,使得左右两块P型极连在一起,因此mos管导通后是电阻特性,因此它的一个重要参数就是导通电阻,选用mo...

高性能电子器件,深入了解上海贝岭BLS65R165 N型MOS管

N型金属氧化物半导体场效应晶体管(简称N型MOS管)是一种重要的半导体器件,广泛应用于集成电路中。它是一种场效应晶体管(简称FET),属于MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)的一种类型。N型MOS管的核心组成包括一块N型半导体材料,被称为源极和漏极,之间通过一层氧化物隔开。在这之上,有一个被称为栅极的金...

??基础回顾:电阻、电容、电感、二极管、三极管、mos管

IOL和IOH表示输出为低、高电平时的电流值,同样-号表示从器件流出的电流。4上下拉电阻上拉是对器件输入电流,下拉是输出电流;强弱只是上拉电阻的阻值不同,没有什么严格区分;对于非集电极(或漏极)开路输出型电路(如普通门电路)提升电流和电压的能力是有限的,上拉电阻的功能主要是为集电极开路输出型电路输出电流通...

MOS管H桥电路与专用电机驱动方案

MOS管H桥电路图所谓MOS管H桥电路,是指使用4个N型MOS管(也可以使用2个N型MOS管与2个P型MOS管),设计一个字母H形状的电路,4个MOS管的中间连接电机;4个MOS管中,Q1与Q2两个MOS管的漏极连接电源的VCC,Q3与Q4两个MOS管的源极连接电源的GND,Q1、Q2和Q3、Q4这四个MOS管的栅极连接外部的PWM1信号、PWM2信号...

MOS管烧了,可能是这些原因

MOS管可能会遭受与其他功率器件相同的故障,例如过电压(半导体的雪崩击穿)、过电流(键合线或者衬底熔化)、过热(半导体材料由于高温而分解)。更具体的故障包括栅极和管芯其余部分之前的极薄氧化物击穿,这可能发生在相对于漏极或者源极的任何过量栅极电压中,可能是在低至10V-15V时发生,电路设计必须将其限制在安全水...

涨知识!氮化镓(GaN)器件结构与制造工艺

D-mode氮化镓功率器件和低压MOSFET串联,共用栅极和源极,形成常关器件。(2)E-mode/增强型E-mode(Enhance-mode/增强型)为常关型,使用方式类似传统硅MOS,器件结构简单,适合高频化应用,增强型器件不需要负电压供电,实际应用中的氮化镓功率器件都需要是常关型的器件。

从内部结构到电路应用,这篇文章把MOS管讲透了。

MOS管即金属氧化物半导体型场效应管,属于场效应管中的绝缘栅型,因此,MOS管有时被称为绝缘栅场效应管,在一般电子电路中,MOS管通常被用于放大电路或开关电路。1、MOS管的构造在一块掺杂浓度较低的P型半导体硅衬底上,用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的N+区,并用金属铝引出两个电极,分别作为漏极D和...

功率半导体行业深度报告:能源变革大时代,功率器件大市场

它是由BJT和MOSFET组合起来的，属于全控型的、靠电压驱动的功率半导体器件。IGBT没有放大电压的能力，在导通的时候就像导线一样，断开的时候就相当于开路。IGBT同时具备BJT和MOSFET的长处，像高输入阻抗、导通压降低、驱动功率小、饱和压降也低这些。跟BJT或者MOS管比起来，IGBT的优势就是能提供比标准双极型晶体管更大...