大研智造丨电子装联中的静电放电危害:ESD防护策略详解

ESD产生的电磁脉冲还可能导致逻辑电路异常翻转、数据错误和丢失。这些问题不仅影响组件、设备和系统的可靠性,还可能对电子产品的质量和制造商的声誉造成严重影响。尽管如此,许多人仍然存在“重技术轻管理”的倾向,忽视了静电防护管理的重要性。2.静电对电子元器件的危害静电放电现象在电荷转移时发生,其危害不容忽视。

揭秘电子设计中的巧妙接地:为什么PCB地与金属机壳用阻容连接?

在进行ESD测试时,或者在复杂电磁场环境下使用,电荷注入电路板后难以得到有效释放,进而会积累;当积累到一定程度,超出电路板及外壳间绝缘最薄弱点能够承受的电压值,便会引发放电现象——在极短时间内,电路板上可产生数十至数百安培的电流,这可能导致电路由于电磁脉冲而停止运行,或是破坏放电部位附近的连接元器件。若加...

...仿真方法与电子设备专利,实现对具有回折特性的ESD器件的电路仿真

金融界2024年1月30日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司申请一项名为“电路仿真方法与电子设备“,公开号CN117473917A,申请日期为2022年7月。专利摘要显示,本公开提供一种电路仿真方法与电子设备。方法包括:获取一或多个目标静电保护电路与多个不同幅值的预设静电脉冲对应的静电保护实测数据;对于每个目标静...

一文总结,6种ESD保护电路PCB布局

因此必须在设计早期就考虑到ESD保护电路。三、ESD保护电路设计1、TVS二极管和二极管电路TVS二极管保护电路是非工业低电压设置中最常见的电路之一。与嵌入在电源管理IC或微控制器中的其他ESD保护元件相比,TVS浪涌二极管保护器可以提供更高的电压抑制,如下例所示。下图为ESD保护电路示例,该电路由差分I/...

《ESD与Latch-up: 高抗性与解决方案》 全部更新完毕!

·ESD保护必须要遵守的基本概念及常用ESD防护器件(ggnmos,sgpmos,bigFET,scr等器件在ESD冲击下的行为模式)6.工艺对ESD的影响及对应的防护技术·宏观介绍工艺对ESD防护的影响·工艺对ggnmos,scr等带回扫特性的影响及解决方案·最后介绍使用scr的必要设计概念及多种以scr为基础的防护方案...

电子元器件常见的测试项目有哪些?

·检查电路中是否存在短路或开路情况,确保电路的完整性(www.e993.com)2024年11月10日。10.热测试·使用热成像仪或热电偶监测元器件的工作温度,识别潜在的过热问题。11.电磁兼容性(EMC)测试·测试元器件在电磁干扰和电磁辐射方面的性能,以确保其符合相关标准。12.静电放电(ESD)测试...

低触发电压可控硅结构静电防护器件

而对于输出级，由于两级ESD保护会给正常工作下的电路带来信号延时，LSCR和MLSCR一般不用于输出级的静电保护。图2MLSCR器件剖面图2、低触发电压SCR（Low-VoltageTriggeringSCR，LVTSCR）如图3所示，LVTSCR通过在结构中嵌入一个NMOS将器件开启电压降低到约7V，与短沟NMOS的漏击穿电压或穿通电压相近。此器件可独立...

多叉指MOSFET器件静电防护鲁棒性提升技巧

图2为一种采用栅极耦合技术的静电防护电路。通过不断调试电容和电阻的大小,在高ESD应力下,可以将一个合适的电压耦合到NMOS和PMOS的栅极,从而降低NMOS和PMOS的开启电压,大尺寸多叉指NMOS器件的非均匀开启问题可以通过栅极耦合技术得到克服。然而对于NMOS和PMOS,如果耦合到栅极的偏置电压较高,会引起更多的沟道电流和较...

找功率器件供应商就来2024(春季)亚洲充电展

专业从事功率器件的研发、制造与销售，并提供电源管理、电路保护解决方案，ARK可根据客户需求，提供高端定制开发。公司专注于技术创新和应用创新，是以应用为导向不断提升技术水平的行业领军者。以市场需求带动创新研发，以技术发展引导应用升级，是ARK一贯宗旨。产品以集成控制的方式提供具有出众的功率处理和电源管理能力，...

2024(春季)亚洲充电展将在深圳举办,30家功率器件企业确认参展

公司成立以来即专注于MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发、设计生产及销售,产品优质且系列齐全,涵盖了主流的集成电路的系统应用。主营产品:肖特基二极管、三极管、低中高压MOS、快恢复二极管、低压降肖特基、IGBT等,广泛应用于消费电子、汽车电子、工业电子、新能源汽车及充电桩、智能装备制造、轨道交通、光伏新能源...