液态金属存储器:在溶液中如大脑般读写信息
液态金属存储器是一类利用溶液中液态金属独特的氧化还原机制制成的新一代信息存储器,其中的典型材料镓基液态金属(gallium-basedliquidmetal,GLM)由于在室温下具有良好的流动性和出色的电学性质,为此类存储器的研发提供了物质基础。而且GLM在溶液环境中会出现许多重要的物理化学行为,这为构筑仿生物乃至类脑智能提供了...
探索AI大算力芯片的未来形态:全数字存算一体
因为是全数字化,数据以二进制的方式放进存储单元内,“一个忆阻器(ReRAM)只表示一位,也就只有高低电平、高低电阻、高低电流的区别,这种情况下就能做到可靠”。熊大鹏博士在谈到存算一体芯片的算力大规模扩展时,提出当前面临的三大挑战。其一是精度不可信的问题;其二,基于模拟计算,数模模数转换带来了能耗、diesize...
光学计算70年
与当时的存储器相比,光存储有两个吸引人的特点:潜在的高密度和并行访问的可能性。早在1963年,vanHeerden就提出了三维材料光存储理论。1968年,贝尔实验室制造出第一个全息存储器,其全息矩阵为32x32页,每页64x64位。1974年,Thomson-CSF的d'Auria等人构建了第一个完整的三维光学存储器系统,将信息存储到具有角度复用...
全球首颗忆阻器芯片,清华团队突破了什么?
例如,芯片中一种存储数据的元器件叫SRAM,有电就能保持数据不变,基本单元由6个晶体管(Transistor)构成,即6T。作为对比,清华新型芯片用来存储数据的元器件叫“忆阻器”(Memristor,是Memory和Resistor,即内存和电阻的组合词),其“秘密武器”基本单元(Cell)由晶体管和忆阻器构成,比如1T1R、2T2R,即一个晶体管、一个忆...
不惧卡脖子,清华大学取得重大成果:全球首枚忆阻器存算一体芯片
例如,芯片中一种存储数据的元器件叫SRAM,有电就能保持数据不变,基本单元由6个晶体管(Transistor)构成,即6T。作为对比,清华新型芯片用来存储数据的元器件叫“忆阻器”(Memristor,是Memory和Resistor,即内存和电阻的组合词),其“秘密武器”基本单元(Cell)由晶体管和忆阻器构成,比如1T1R、2T2R,即一个晶体管、一个忆...
固态硬盘为啥如此便宜?解密NAND工艺!
闪存由FG-MOS或FG-MOSFET(浮栅金属氧化物场效应晶体管)组成(www.e993.com)2024年9月19日。每个FGMOS都可以捕捉或者释放电子。而这种捕捉到电子和已释放电子的状态,就被标记为二进制的0或者1的存储状态。这些晶体管就被称为单元。众多单元通过记录或者改写这种0或1的电子状态,完成记录数字化内容。而闪存存储器有两种类型,NOR型闪存和...
KeeWiDB在存储上的八百个心思,都在这篇了
存储层图1展示的是存储在磁盘上的数据文件格式,数据文件由若干个固定大小的Page组成,文件头部使用了一些Page用于存储元信息,包括和实例与存储相关的元信息,元信息后面的Page主要用于存储用户的数据以及数据的索引,尾部的ChunkPage则是为了满足索引对连续存储空间的需求。Page至顶向下分配,ChunkPage则至底向上,这种...
国产存储等待一场革命
SRAM的基本单元则最少由6管晶体管组成:4个场效应管(M1,M2,M3,M4)构成两个交叉耦合的反相器,2个场效应管(M5,M6)用于读写的位线(BitLine)的控制开关,通过这些场效应管构成一个锁存器(触发器),并在通电时锁住二进制数0和1,因此SRAM被称为“静态随机存储器”。除了6管,SRAM还可以使用8管、10管甚...
关于半导体存储的最强入门科普
SRAM的基本单元,则最少由6管晶体管组成:4个场效应管(M1,M2,M3,M4)构成两个交叉耦合的反相器,2个场效应管(M5,M6)用于读写的位线(BitLine)的控制开关,通过这些场效应管构成一个锁存器(触发器),并在通电时锁住二进制数0和1。
存储技术的前世今生(下)
SRAM的基本单元,则最少由6管晶体管组成:4个场效应管(M1,M2,M3,M4)构成两个交叉耦合的反相器,2个场效应管(M5,M6)用于读写的位线(BitLine)的控制开关,通过这些场效应管构成一个锁存器(触发器),并在通电时锁住二进制数0和1。因此,SRAM被称为“静态随机存储器”。