唯样代理|适用于48V电池断开开关的80V双门极MOSFET及其应用仿真
双门极MOSFET由2个并联交错的晶体管长在同一硅芯片组成,具有共同的漏极和源极,但是通过指定的引脚实现独立的门极。一个门极代表ONFET,稳态工作时实现低导通电阻;另一门极代表LINFET,提供优异的SOA和线性工作性能。这使得其适用于充电电容冲击电流的控制以及短路关断后的有源钳位。2个MOSFET共享一个芯片的好处在于可...
1㎝??芯片包含1024个元件,科学家制备二维半导体内存处理器,可...
1㎝??芯片包含1024个元件,科学家制备二维半导体内存处理器,可用于AI大模型和信号处理,芯片,信号,半导体,晶体管,内存处理器
SPICE与IBIS:为电路仿真选择更合适的模型
SPICE模型由不同的块组成,这些块展示器件的每个参数,包括引脚功能;各个块可能包括原始和原生元件,如电容、电阻、二极管、电压源和电流源等。另一方面,IBIS模型由I/V和V/T数据表组成,这些数据表是对每个数字I/O缓冲器建模的结果。如何获取模型?SPICE和IBIS模型大多位于各家半导体公司的网页上。如今,半导体制造商针...
中国电子往事——与华为、富士康、光弘、小米、比亚迪有关的科技史
彩色电视机使用的电子调谐器是电视接收终端中的重要器件,俗称“高频头”,完成接收放大、选通、变频、图声解调的过程,若其中有畸变和失真,会使接收的图像和伴音质量变差。1970年代,飞利浦公司推出第一块表面贴装集成电路,这是一种纽扣状微型器件,后来发展成小外形集成电路,它的引线分布在器件两侧,呈鸥翼形。由于表面...
负微分跨导电路中的石墨烯桥异质结器件
窄带隙材料通常具有良好的电子和空穴载流子迁移率,在FET器件中具有较高的ONID值,一般来说OFFID较差。能带隙特性导致不同的传输特性,如图1(b)所示。图1(c)显示了典型的顶栅晶体管器件原理图和双极FET谷状传输特性模型。主动通道的窄带隙意味着即使VG的微小变化,也会引起大量的载流子靠近谷状转移曲线的中心,...
今天中国半导体学术进展真不少!纳芯微并购麦歌恩分析解读;国产...
碳纳米管(CNT)具有优异的电学性能、准一维晶格结构、高载流子迁移率等特点,是构建新型CMOS晶体管和集成电路的理想半导体沟道材料之一(www.e993.com)2024年9月11日。与传统硅基半导体材料不同,碳纳米管由C-Csp2共价键组成,化学稳定性强,难以实现可控稳定掺杂,极大限制碳基器件电学调控自由度。
半导体芯片,到底是如何工作的?
不管是电子管(真空管),还是晶体管,都是用电来控制电的小元件。晶体管基于半导体材料,所以能做得足够小。这是芯片(集成电路)能做到“极小身材,极大能力”的本因。今天这篇,我们继续往下讲,说说芯片的诞生过程——从真空管、晶体管到集成电路,从BJT、MOSFET到CMOS,芯片究竟是如何发展起来的,又是如何工作的。
功率半导体IGBT行业科普-电子头条-EEWORLD电子工程世界
IPM模块通常包括一个功率MOSFET、IGBT(绝缘栅双极晶体管)或SiC(碳化硅)等开关器件,以及一个驱动电路,用于控制这些开关器件的导通和截止。此外,IPM模块还通常集成有电源电路、电流和电压传感器、过温保护和短路保护等功能,可以提供全面的保护措施,以保证高功率电子设备的安全和可靠性。
算力简史_腾讯新闻
基尔比发明的集成电路1959年之后的计算机,大量采用了晶体管和集成电路。计算机的算力不断增强,体积和功耗反而不断减小。软件产业的萌芽计算机硬件技术准备腾飞的同时,计算机软件也开始萌芽了。包括ENIAC在内的早期计算机,没有操作系统的概念,都是操作员进行手工操作。正在操作ENIAC的女程序员后来,进入1950年代,为了提升操...
吴汉明院士:关于后摩尔时代我国集成电路制造领域的一些思考
图4.中国集成电路产品收入按技术节点划分。单位为百万美元。后摩尔时代有以下五个特点:①技术方向仍在探索中;②(晶体管)线宽不再是唯一有意追求的参数;③应用范围广,应用在世界各地和日常生活的各个部分;④存在市场分散,没有明显的垄断;⑤研发经费投入相对较低。