氮化镓晶体管散热革命与高性能电子器件的未来 | 金刚石大会
作为对照组实验,研究团队用在碳化硅衬底上制造的相同形状的晶体管进行了比较,以验证用相同方法在金刚石衬底上制造的氮化镓晶体管的散热情况。结果证实,在金刚石衬底上的晶体管的散热能力比在碳化硅衬底上的晶体管提高大约2.3倍。此外,他们实验得到的金刚石衬底上的晶体管比之前其他研究中在金刚石衬底上制作的晶体管实...
CPU里都有几十亿个晶体管,万一坏掉几个还能用吗
既然CPU里边的电路和普通肉眼能看到的电路本质是一样的东西,所以如果CPU里边某个晶体管坏了,碰巧用上这个晶体管,在一些关键的部位上,比如管脚上,肯定是会造成这个管家的功能失效的。因为这个管脚一旦失效,除非CPU设计了一套能检测到管脚失效的电路来,否则它本身是不会知道这个管脚工作是否正常的,CPU功能这些多,不可...
【Nature】金属所发明热发射极晶体管
该研究成果于8月15日以题为“Ahot-emittertransistorbasedonstimulatedemissionofheatedcarriers”(一种基于载流子可控受激发射的热发射极晶体管)的论文发表在《自然》(Nature)期刊上。这款新型晶体管由两个耦合的“石墨烯/锗”肖特基结组成(如图1所示)。在器件工作时,载流子由石墨烯基极注入,随后扩散到...
还不会设计直流伺服放大电路?详细步骤+元件清单+工作原理
晶体管Q5是恒流电路,作为输出mos管的偏置,可以通过调节VR1调节,使电路稳定性更好,应谨慎选择VR1。3、保护mos管功率mos管的栅极有稳压二极管,防止输入信号高于14V造成mos管会损坏。4、防止mos过载过载时,mos管的温度更高,mos管的电阻也更高(在普通晶体管中,电阻会降低),因此通过...
扩展栅场效应晶体管化学与生物传感器现状与展望
第一个基于场效应晶体管的传感器起源于1970年由Bergveld引入的离子敏感场效应晶体管(ISFET)结构。从那时起,我们见证了ISFET在大量应用中的发展,包括pH传感,早期疾病检测,药物筛选等。虽然典型的基于FET的器件与金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)具有相同的基本结构,具有嵌入式源(S),漏极(D)和栅极(G)金属化...
NPN型晶体管-IC电子元器件
NPN型晶体管是一种三极管,由三个不同掺杂的半导体材料组成(www.e993.com)2024年9月23日。它是最常见的晶体管类型之一,用于放大和开关电路中。NPN型晶体管具有很高的电流放大倍数和较低的输入电流要求,因此在电子电路中得到广泛应用。NPN型晶体管基本结构NPN型晶体管的基本结构由三个掺杂不同材料的半导体层构成,分别是P型半导体、N型半导体和P...
从晶体管到集成电路:仙童半导体与德州仪器的争夺战
1959年,仙童半导体公司的霍尼发明了平面晶体管。在此基础上,诺伊斯想到,可以利用平面工艺将所有元件都集成在硅晶圆的平面上,并通过晶圆上的金属线互连起来,从而解决互连问题,发明了可大规模制造的集成电路。但是,集成电路这个想法跟大多数人的直觉相抵触,成本高、制造困难,业界普遍不看好其应用。贝尔实验室等...
重新定义数据处理的能源效率,具有千个晶体管的二维半导体问世|总...
新处理器将1024个元件组合到一个一平方厘米的芯片上。每个元件都包含一个2D二硫化钼晶体管以及一个浮动栅极,用于在其存储器中存储电荷,以控制每个晶体管的导电性。以这种方式耦合处理和内存,从根本上改变了处理器执行计算的方式。研究人员指出,通过设置每个晶体管的电导率,他们可向处理器施加电压并测量输出,一步执行...
227亿晶体管的自信,天玑9300测试与深度分析:遥遥领先的全大核
天玑9300的227亿晶体管,是真正的遥遥领先:苹果A16是160亿,A17Pro是190亿,苹果M2是200亿。即便是刚发布的苹果M3,也“仅”有250亿晶体管,而高通好几代没公布晶体管数目了。历史性的取消小核,CPU由4颗X4超大核和4颗A720大核组成,最高频的X4有更大的缓存。跳出安卓SoC的视角看,天玑9300的4颗超大核和4...
OLEDoS和LEDoS的像素驱动电路
TFT为LCD的大规模发展和快速普及奠定了基础,原因就在于组成TFT阵列的电子元件:晶体管和电容。晶体管提供了像素独立控制的可能,电容则储存信号。在OLED时代,像素电路也经历了重大的迭代,像素电路不仅需要完全独立的控制和信息储存,还需要进一步具备补偿功能,以消除像素之间的差异,这些都是为了让OLED显示屏每个像素的亮度...