绝缘栅双极型晶体管(IGBT)知识解析
2019年5月30日 - 网易
IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。
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中国农业大学833《电子技术基础》2019年硕士研究生入学考试初试...
2013年7月1日 - 中公考研网
四、场效应管放大电路掌握结型场效应管:JFET的结构和工作原理、JFET的特性曲线及参数;掌握金属—氧化物---半导体场效应管:N沟道增强型MOSFET、N沟道耗尽型MOSFET;各种FET的特性比较及使用注意事项掌握场效应管放大电路:FET的直流偏置电路及静态分析、FET放大电路的小信号模型分析法;掌握各种放大器件电路性能。
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毫欧姆级电阻测量电路设计
2008年11月23日 - 电子产品世界
整个电路等效为恒流源电路。恒流源扩展电路如图3所示,运算放大器工作在开环状态,由于同相端和反相端的压差几乎为零,运算放大器的偏置电流可以忽略不计,因此恒流源电流在NR上的压降与VMOS场效应管的源极电流在R上的压降必定相等。当选择I1=1mA,NR=999R时则Is=999*I1=999mA所以I0=I1+Is=1mA+999mA=...
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