光催化半导体中的缺陷态和极化子的时间分辨光谱研究 | 进展

类比以往的一些半导体缺陷的经典探测方法,如紫外-可见吸收光谱、电化学阻抗谱、光致发光法(PL)、光电导率法、空间电荷限流法等,扫描激发-时间分辨中红外光谱,能够以0.02eV的能量分辨率确定带隙中束缚态电子费米能级(EFs)的位置,进而确定光激发缺陷初始态和最终态的能级位置(普通光激发只能能够确定光学跃迁的能级差),...

告诉你什么是功率半导体士兰微到底强在哪里?

按照电力电子器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分类:1.双极型器件,例如电力二极管、晶闸管、GTO、GTR;2.单极型器件,例如PowerMOSFET、SIT、肖特基势垒二极管;3.复合型器件,例如MCT(MOS控制晶闸管)、IGBT、SITH和IGCT。器件优缺点电力二极管:结构和原理简单,工作可靠;晶闸管:承受电压和电流容量在所有器件...

详解第三代半导体材料:碳化硅和氮化镓

目前,业界对于GaN与SiC这两种材料的比较、它们各自适用的半导体器件,以及它们在不同开关和射频功率应用中的适应性,有着广泛而深入的讨论。随着技术的不断进步和成本的逐步降低,SiC和GaN不仅将继续推动电子技术的发展,也将在各自的领域内实现突破,满足不同应用场景的需求。#01半导体材料的发展历程1、第一代半导体...

半导体芯片,到底是如何工作的?

半导体中有两种载流子:自由电子和空穴。自由电子大家比较熟悉,什么是空穴呢?空穴又称电洞(Electronhole)。常温下,由于热运动,少量在价带顶部的能量大的电子,可能越过禁带,升迁到导带中,成为“自由电子”。电子跑了之后,留下一个“洞”。其余未升迁的电子,就可以进入这个“洞”,由此产生电流。大家注意,空穴本身...

SiC迎来劲敌?美国出招|带隙|sic|金刚石|晶体管_网易订阅

据介绍,由于金刚石具有化学和辐射惰性、高载流子迁移率、热传导和宽电子带隙等特性,因此具有提高半导体器件性能的潜力,可以减小整体尺寸、重量和功耗(SWaP)。具体到E6方面,其对DARPAUWBGS计划的贡献将利用其在大面积CVD聚晶金刚石和高质量单晶(SC)金刚石合成方面的专业知识来实现4英寸设备级SC金刚石基...

预见2024:2024年中国MOSFET行业市场规模、竞争格局及发展前景预测...

MOSFET是一种全控制型半导体功率分立器件,通过栅极电压的变化来控制输出电流的大小,并实现开通和关断(www.e993.com)2024年11月22日。常用产品种类较多,按载流子类型可分为N型和P型MOSFET两大类。按沟道形成方式可分为增强型和耗尽型MOSFET两种,增强型MOSFET是主要产品类型。具有输入阻抗大、导通电阻小、功耗低、漏电小、工作频率高,工艺基本成熟,成本...

P型半导体与N型半导体的定义及区别

载流子类型:-P型半导体的主要载流子是空穴,表现为正电荷。-N型半导体的主要载流子是自由电子,表现为负电荷。掺杂元素:-P型半导体通常使用三价元素(如硼或铝)进行掺杂。-N型半导体则使用五价元素(如磷或砷)进行掺杂。导电性质:-在P型半导体中,空穴的移动导致了电流的形成,其移动方向是从正极向负...

吉林大学闫旭/姚栋团队AM:钙钛矿水凝胶传感器

金属卤化物钙钛矿纳米晶体由于其高载流子迁移率、高缺陷容忍性、高光致发光量子产率(PLQY)、窄的峰值半宽(FWHM)和易于调控的带隙等而成为一类引人注目的半导体材料。受益于良好的光学和电荷传输特性,钙钛矿纳米晶体在光电器件领域取得了巨大的进步,如光电探测器、太阳能电池、发光二极管等。但水稳定性和传感灵敏度依然是...

光伏的重要原料——多晶硅基本情况

多晶硅是光伏和半导体产业的上游原材料,主要是将工业硅粉通过一系列的化学手段进行提纯从而得到可以用于太阳能行业和电子行业的多晶硅料。(2)硅片:硅片技术含量相对不高,属于资本密集型环节。目前主流的硅片尺寸有3种,包括166mm(M6)、182mm(M10)、210mm(G12)。根据晶核晶面取向不同,硅片可分为单晶硅片和多晶硅片...

原子尺度上揭示光催化分解水的奥秘 | 进展|光生|空穴|原子核|金...

例如之前的研究揭示了TiO2中受激发的载流子能够形成极化子。传统分子动力学模拟也能阐明水分解的不同结构和能量过程。然而,之前研究的一个关键限制是它们依赖于绝热的玻恩-奥本海默近似,即在计算上电子和离子完全分离。这种近似虽然对描述基态性质和基态势能面上的运动很有用,但不能加入光场,不能提供光激发生成...