佰维存储获得发明专利授权:“一种闪存最优读电压参数确定方法...

证券之星消息,根据天眼查APP数据显示佰维存储(688525)新获得一项发明专利授权,专利名为“一种闪存最优读电压参数确定方法、装置及闪存设备”,专利申请号为CN202410756574.5,授权日为2024年8月30日。专利摘要:本申请涉及存储技术领域,提供了一种闪存最优读电压参数确定方法、装置及闪存设备,该方法包括:根据读重试电压...

佰维存储申请“一种闪存最优读电压参数确定方法、装置及闪存设备...

金融界2024年7月9日消息,天眼查知识产权信息显示,深圳佰维存储科技股份有限公司、成都佰维存储科技有限公司申请一项名为“一种闪存最优读电压参数确定方法、装置及闪存设备“,公开号CN202410756574.5,申请日期为2024年6月。专利摘要显示,本申请涉及存储技术领域,提供了一种闪存最优读电压参数确定方法...

苹果iPhone将用寿命/性能更低的QLC闪存

此外,QLC闪存被认为不如TLC闪存可靠,写入数据的耐久性会降低,因为每个单元写入的次数更多,因为每个单元多包含一个位。02详细参数

英睿达T705 PCIe 5.0 SSD参数曝光:读写速度再创新高,达14.5/12.7...

群联E26Max14um配有双ArmCortex-R5内核的处理器,多达八个通道;支持TLC和QLCNAND闪存,接口速率达2400MT/s;最高读取速度超过了14,000MB/s,最高写入速度达到12,000MB/s,随机读取达1,500KIOPS,随机写入达2,000KIOPS;支持DDR4和LPDDR4缓存;支持AES256、SHA512、RSA-4096和TCGOPAL硬件加密。根据另一位...

一文看懂SSD固态硬盘选购,少走弯路不踩雷!附高性价比推荐清单

闪存:128层NANDTLC颗粒缓存:DRAM独立缓存1GB耐用等级(1T):750TBW保修时间:五年推荐理由:追求性能的伙伴可以看看SK海力士的P31,目前号称最强PCIe3.0SSD之一,非常适合用作系统盘,能够显著提升电脑的启动和运行速度。芯片配置上,P31采用海力士原厂3DNAND颗粒,搭配独立缓存DRAM,128层TLC颗粒、4通道PCI-E3.0...

KIOXIA铠侠CD8-R PCIe4.0 NVMe1.4 KCD81RUG1T92

采用KIOXIA112层BiCSFLASH??3DTLC闪存,支持高密度存储部署,容量高达15.36TB(www.e993.com)2024年11月25日。适用于超大规模数据中心应用,如超大规模、IoT和大数据分析、在线交易处理、虚拟化环境以及流媒体和内容传送网络。同系列产品参数:产品相关参数支持PCIe??4.0、NVMe??1.4规范采用2.5英寸、15毫米厚度的形态采用专有的...

实力派SSD比拼!美光 M4较量OCZ Vertex4_SSD内存硬盘导购_太平洋...

美光M4与OCZVertex4主要参数对比产品型号美光M4OCZVertex4容量128G128G接口SATAIII(6Gb/s)SATAIII(6Gb/s)尺寸100.5x69.85x9.599.8x69.63x9.3主控芯片Marvell88SS9184IndilinxEverest2闪存芯片美光25nmMLCOCZ25nmMLC缓存大小128MB512MB...

骁龙865+UFS 3.1闪存还省电 魅族17核心参数公布

骁龙865+UFS3.1闪存还省电魅族17核心参数公布4月24日消息，魅族科技公布了魅族17的核心参数：骁龙865旗舰平台+UFS3.1闪存。官方介绍，魅族17拥有特猛、特快的速度还兼顾了省电。据悉，骁龙865是高通今年主打的5G高端平台，它基于7nm工艺制程打造，使用全新的Kryo585架构。具体来说，骁龙865由一颗超级核心+三...

闪存分类和关键参数必读

写数据时,隧道注入,即量子隧道效应也就是大家知道的Fowler-Nordheim隧道效应,是一种将电荷载流子通过氧化物绝缘体注入浮置栅极的方法。据说,这种方法可以节省功率同时能缩短写操作时间。NAND和OneNAND闪存的性能同类参数的比较如表所示。存储器局限性闪存最关键的限制可能是写/擦除周期数有限。多数商用基于快闪产品都...

数字存储完全指南 04:固态硬盘的参数解读与实际性能_腾讯新闻

[3].查看储存颗粒详细参数可以上httpsflashinfo/这个网站或者使用FlashMaster,另外这里也放一份俄罗斯人OchkinVadim制作的FlashID读取工具。[4].闪存颗粒的生产过程可以看一下镁光官方在YouTube上传的视频「MakingMemoryChips–ProcessSteps」。