半导体金属行业深度报告:镓、钽、锡将显著受益于半导体复苏

磷化铟(InP)、锑化铟(InSb)和硫化镉(CdS)等I-V族化合物材料为主,由于化合物半导体的宽禁带优势以及下游应用领域的进一步发展,砷化镓与磷化铟未来的使用量将提升;第三代半导体材料则是以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)和氮化铝(AIN)...

??基础回顾:电阻、电容、电感、二极管、三极管、mos管

在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子,这种电子器件按照外加电压的方向,具备单向电流的转导性。一般来讲,晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。在其界面的两侧形成空间电荷层,构成自建电场。当外加电压等于零时,由于p-n结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相...

亚毫米气泡和常规尺寸气泡气液两相流流动与传质特性对比

在常规鼓泡塔中,由于气泡尺寸较大,上升速度较快,径向混合不充分,所以气体主要沿分布器外围几个大孔向上运动,而分布器中心处开孔率较低,导致反应器中心气含率较低,直到接近液面处才达到比较均匀的气含率径向分布,而亚毫米气泡反应器中气相在距离分布器很短的高度上就达到了均匀分布,气液在轴向和径向上的分布都...

激光雷达历史、发展梳理

如果将P型半导体和N型半导体制作在同一块半导体基片(硅或锗)上,一方面由于浓度差,P型区多子(空穴)会向N型区扩散,而N型区多子(电子)会向P型区扩散,形成载流子扩散运动。另一方面,滞留的带电离子(P区失去空穴产生负离子区,N区失去电子产生正离子区)形成的内电场,驱动P(N)型区的少子向低电势移动,形成反向的漂...

电子能量损失谱 (EELS)原理与应用

造成这种改善的主要因素如下：它们的相对重要性根据样品类型以及是否涉及常规TEM或STEM而变化。2.零损耗衍射图衍射图的能量滤波可以通过传统TEM中的成像滤波器来完成，比通过非成像光谱仪的入口孔径扫描衍射图要有效得多。零损耗滤波消除了非弹性(主要是等离子体)散射产生的漫射背景，使微弱的衍射特征更加明显。由于非...

深市上市公司公告(12月22日)

“适应医疗卫生体制改革带来的变化、面临公立医院在内的诸多竞争、由于地理位置和经营环境可能引起的人才短缺等,是公司可能存在的风险(www.e993.com)2024年11月29日。”盘龙药业表示,公司将紧紧抓住国家大力支持社会办医、社办养老的利好政策,以“医、康、养”服务业务为重心,积极做好“医疗+养老”产业的管控工作,加强人才队伍建设力度,通过培育和引...

(材料化学的故事)信息革命的基础---半导体

更大直径的、均匀无缺陷的硅单晶的制备是难以实现的。这是由于重力的影响,熔融硅中存在的温度差和浓度差会导致有害液体流动,进而导致所制备的硅单晶不均匀。现在人们正在考虑利用空间站,在太空无重力或微重力的条件下制备大的优质硅单晶。现在具有广泛用途的半导体集成电路是利用一系列集成化工艺,在半导体材料的局部...

科普| 现代半导体的基本知识

本征激发的结果,造成了半导体内部自由电子载流子运动的产生,由此本征半导体的电中性被破坏,使失掉电子的原子变成带正电荷的离子。由于共价键是定域的,这些带正电的离子不会移动,即不能参与导电,成为晶体中固定不动的带正电离子。受光照或温度上升影响,共价键中其它一些价电子直接跳进空穴,使失电子的原子重新恢复电...

半导体封装材料的性能评估和热失效分析

梅特勒托利多全套热分析技术为半导体封装材料的性能评估和热失效分析提供全面、创新的解决方案。差示扫描量热仪DSC可以精准评估封装材料的Tg、固化度、熔点和Cp,并且结合行业内具有优势的动力学模块(非模型动力学MFK)可以高精准评估环氧胶的固化反应速率,从而为Moldex3D模拟环氧塑封料、底部填充胶的流动特性提供可靠的数据...

日本限制23项半导体设备出口!10-14nm以下工艺必不可少

半导体器件的电学性能取决于半导体掺杂的杂质浓度,在半导体晶圆制造过程中,要使导电性能很差的纯净硅变为一种有用的半导体,需要加入少量杂质使其结构和电导率发生改变,这个过程就被称为掺杂。目前掺杂工艺有高温热扩散法和离子注入法两种。离子注入法是通过离子注入机的加速和引导,将要掺杂的离子以离子束形式入射到材料...