中科院金属所《Nature》:发明热发射极晶体管!

中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家研究中心与北京大学的科研团队合作,采用了一种创新思路,通过可控调制热载流子来提高电流密度,发明了一种由石墨烯和锗等混合维度材料构成的热发射极晶体管,并提出了一种全新的“受激发射”热载流子生成机制。该研究成果于8月15日以题为“Ahot-emittertransistorbasedonstimula...

时光机——前苏联火箭“联盟号”的时钟芯片设计

电阻值是通过调整高电阻混合杂质的红色部分半导体的长度来调整的。134ЛА8采用NPN型晶体管,基极使用P型半导体,集电极和发射极使用N型半导体。电流通过使电流通过基极P型半导体在集电极和发射极之间流动的机制。用于外部输出的晶体管产生外部信号,因此电流比其他晶体管高得多。因此,Ken说,尺寸比其他晶体管大。该图显示...

中国科学院、北大团队发明新型“热发射极”晶体管,成果登上 Nature

在器件工作时，载流子由石墨烯基极注入，随后扩散到发射极，并激发出受电场加热的载流子，从而导致电流急剧增加。这一设计实现了低于1mV/dec的亚阈值摆幅（如图2所示），突破了传统晶体管的玻尔兹曼极限（60mV/dec）。此外，该晶体管在室温下还表现出峰谷电流比超过100的负微分电阻（如图3所示...

【复材资讯】中国科学院金属所发明热发射极晶体管,Nature

中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家研究中心与北京大学的科研团队合作,采用了一种创新思路,通过可控调制热载流子来提高电流密度,发明了一种由石墨烯和锗等混合维度材料构成的热发射极晶体管,并提出了一种全新的“受激发射”热载流子生成机制。该研究成果于近日以题为“Ahot-emittertransistorbasedonstimulated...

金刚石:新能源汽车IGBT功率模块散热的新利器

当在IGBT的栅极-发射极间加阈值电压以上的正电压时,在栅极电极正下方的P层上会形成反型层(沟道),开始从发射极电极下的N-层注入电子。电子作为P+N-P晶体管的少数载流子,从集电极衬底P+层开始流入空穴,进行电导率调制(双极工作),降低集电极-发射极间饱和电压,使IGBT导通。当在栅极施加一个负偏压或栅...

集电极开路什么意思?集电极开路电路工作原理讲解

因此集电极开路的输出视为NPN晶体管,它允许电流吸收到公共端(www.e993.com)2024年11月4日。对于这样集电极开路电路,必须有一个电源才能使输出正常工作。当我们要求未连接任何电源时计算输出电压时,电压不会发生变化。必须计算输出端的电压以了解集电极开路电路的正常运行。该电路可以根据晶体管的类型(NPN或者PNP)提供灌电流或拉电流输出。

还不会设计晶体管施密特触发器?不要错过

双晶体管施密特触发器现在假设Vi开始增加,T1的发射极电压由流入T2的电流保持固定,因此当Vi达到高于该值0.6v(称为VP)时,T1将吸收一些基极电流并开始导通。这个时候,T1开始使T2缺乏基极电流,因此T2开始关闭,因此其发射极电压开始下降。但这会增加T1的基极-发射极电压,因此T1会更快地开...

双极性结型晶体管的开关损耗

SPICE模拟提供了另一种更准确的估计传导损耗的方法。例如,考虑图2中的LTspice电路。该模拟双极性结型晶体管的Q1由3.3V数字信号控制,并将电流切换到50Ω负载。一种LTspice双极结晶体管电路。图2:在LTspice中建模的图3显示了运行模拟时产生的基极-发射极和集电极-发射极电压。

华为公司申请鳍式双极结型晶体管专利,提高驱动电流能力

鳍式双极结型晶体管FinBJT,包括:衬底和设置在衬底上的两个集电极、多个发射极以及至少一个基极。FinBJT中的每个集电极包括至少一个鳍,每个发射极包括至少一个鳍,每个基极包括至少一个鳍。例如,可以采用FinFET工艺形成集电极、发射极以及基极。其中,FinBJT中的多个发射极和至少一个基极均位于两个集电极之间;每个集电极...

基础知识之晶体管

下面通过发射极接地时的开关工作来介绍起到开关作用的晶体管。当晶体管的基极引脚被施加电压(约0.7V以上)并流过微小电流时,晶体管会导通,电流会在集电极和发射极之间流动。反之,当施加到基极引脚的电压较低(约0.7V以下)时,集电极和发射极处于关断状态,电流不流动。