上海新阳申请EUV光刻胶专利,该光刻胶组合物具有低曝光剂量、高...
专利摘要显示,本发明公开了一种EUV光刻胶及其制备方法和应用。本发明的EUV光刻胶组合物包括以下组分:以重量份数计的55??75份式A化合物、光致产酸剂、有机碱及有机溶剂。该EUV光刻胶组合物具有低曝光剂量、高分辨率及低LER值,有良好的应用前景。本文源自:金融界作者:情报员...
随时可能断供?90%光刻胶都是日本生产,若断供我们如何解决?
在光刻胶的帮助下,光刻机能够每个层次上实现精确的图案转移,从而构建各种电路和元件。通过多次光刻和显影步骤,最终复杂的电路和互连结构。最后,在制造芯片的基本步骤进行完毕之后,还需要为芯片进行尺寸控制和工艺控制。通过控制光刻胶的涂覆厚度、预烘烤条件和暴露参数,光刻机能够妥善地解决这些问题,从而彻底将芯片定型...
将EUV扩展至14A的关键技术有哪些?
三大晶圆代工厂计划最早在2025年为18A一代实施高NAEUV光刻技术,但用标准EUV(NA=0.33)的双重曝光技术取代单次曝光高NA(0.55),取决于其是否能以合理的每片晶圆成本提供更好的结果。到目前为止,对于高数值孔径EUV光刻技术而言,2024年是标志性的一年。英特尔代工厂已接收了一台高数值孔径EUV光刻机。英特尔、imec、...
光刻工艺之涂胶问题 - OFweek电子工程网
使光刻胶层变薄达到最终要求的膜厚,这个阶段的转速一般在1500-6000转/分,转速的选定同样要看光刻胶的性能(包括粘度,溶剂挥发速度,固体含量以及表面张力等)以及基片的大小。快速旋转的时间可以从10秒到几分钟。匀胶的转速以及匀胶时间往往能决定最终胶膜的厚度。一般情况下,匀胶转速快,时间长,膜厚就薄。影响匀...
随时可能会断供?90%光刻胶都日本生产,若是断供我们怎么解决呢
用光刻技术向光刻胶照射光,使胶层中的特定区域暴露出来,再用显影工艺除去曝光区,最后得到期望的图形...
EUV光刻,新里程碑|掩模|孔径|euv|光刻胶_网易订阅
我们的团队将从最终分辨率(最终目标是线/空间的金属间距为18nm,接触孔的间距为28nm)、稳定性(例如,曝光后结构临界尺寸(CD)和缺陷密度的稳定性)和有效焦深(DOF)方面评估集群(www.e993.com)2024年9月11日。由于数值孔径较大,DOF预计比0.33NAEUV小2-3倍——这是在0.55NAEUV中使用更薄光刻胶膜的原因之一。
中金| 国内光刻胶产业:百舸争流,剑指高端
??IC光刻胶:按照光源波长的从大到小,光刻胶可分为紫外宽谱(300-450nm)、g线(436nm)、i线(365nm)、KrF(248nm)、ArF(193nm)、EUV(13.5nm)等6个主要品类;按照在光刻工艺中的显影效果,光刻胶可以分为正性光刻胶和负性光刻胶两种。正胶在曝光后可以被显影液溶解,留下的光刻胶薄膜的图像与掩模板相同...
新一轮光刻胶战争打响
TokyoElectron声称用量减少了38%,而LamResearch声称干式抗蚀剂用量减少了50%。TokyoElectron还声称新的曝光后烘烤可实现极其均匀的抗蚀剂厚度和低金属污染。如果这些说法成立,那么这可以延长湿光刻胶的使用寿命。同样,TokyoElectron和JSR拥有新的湿法开发工艺,可以抵抗支柱倒塌(pillarcollapse)问题。36...
三巨头决战EUV光刻胶
TokyoElectron声称用量减少了38%,而LamResearch声称干式抗蚀剂用量减少了50%。TokyoElectron还声称新的曝光后烘烤可实现极其均匀的抗蚀剂厚度和低金属污染。如果这些说法成立,那么这可以延长湿光刻胶的使用寿命。同样,TokyoElectron和JSR拥有新的湿法开发工艺,可以抵抗支柱倒塌(pillarcollapse)问题。
下一代光刻机,万事俱备?
当前基于钽的吸收器通常约为60~70nm厚,旨在吸收足够量的光,与13.5nm波长相比,厚度较大,因此以特定入射角(在传统EUV光刻中以6°为中心)照射掩膜,会扭曲空中图像,最终转移到光刻胶中的光图案,并降低其图像对比度。这些所谓的掩膜3D效果还伴随着更多的特征相关变化和对晶圆的最佳聚焦,这对DOF原本就...