麦峤里半导体申请开尔文探头测量金属功函数的方法及系统专利,可...
专利摘要显示,本发明提供了一种开尔文探头测量金属功函数的方法及系统,包括:提供基板,所述基板的表面具有待测金属薄膜;将所述金属薄膜接地;利用电压施加装置对开尔文探针装置的振动探头施加变化的电压;利用电流监测装置实时监测所述探头与所述待测金属薄膜之间的电流变化,当监测到电流值为0时,停止电压的施加,并获取当前...
华峰测控取得一种电压电流源测试电路及测试方法专利,实现每次测试...
该电压电流源包括控制单元、输出功放电路、电流测量电路和电压测量电路,及其连接的四线开尔文电路,所述电压电流源还包括:两路差分电压测量电路,采集所述四线开尔文电路的电压线和电流线上的电压,经过差分运算输出差分电压至所述控制单元。
热电偶基础——利用塞贝克效应进行温度测量
确定绝对塞贝克系数的一种常见方法是应用开尔文关系。热电测温需要不同的材料从上述讨论中可以推测,需要具有不等塞贝克系数的材料来产生与温度梯度成比例的电压差。例如,对于0°C时塞贝克系数为+1.5μV/°C的铜,我们可以使用0°C下塞贝克系数绝对值为-40μV/℃的康铜线。用康铜线代替“金属2”,万用表应测...
不断改进 OBC 设计,适应更高的功率等级和电压
图2:EliteSiC1200VMOSFET采用TO247-4L封装,提供开尔文源极连接(第3根引线),可消除栅极驱动环路内共源极寄生电感的影响APM32功率模块系列集成安森美先进的1200VSiC器件,针对800V电池架构进行了优化,更适用于高电压和功率级OBC。APM32系列包括用于功率因数校正(PFC)级的三相桥模块,例...
瑶芯微电子技术分享:栅极米勒平台震荡时电压应力分析
在MOS开关过程中,容易发生栅极电压震荡,产生很高或很低的电压尖峰,外部测量的Vgs值可能远超器件规格书容许的最大值。使用人员往往会担心栅极应力过大导致器件栅极损坏。这个现象发生在非开尔文引脚的器件(比如TO247-3),主要是源极(焊引脚和键合线)的寄生电感L导致。根据U=L*di/dt,开关速度快,即di/dt大,则在...
华峰测控获得发明专利授权:“一种电压电流源测试电路及测试方法”
本发明在传统四线开尔文接线的基础上,通过增加两路电压信号测量电路实现额外的差分电压测量,以测量电流线上的压降,从而实现每次测试时动态的读回电流线上的等效接触电阻(www.e993.com)2024年10月26日。今年以来华峰测控新获得专利授权20个,较去年同期增加了17.65%。结合公司2023年年报财务数据,2023年公司在研发方面投入了1.32亿元,同比增12.03%。
鼎阳科技获得实用新型专利授权:“一种具有开尔文四线功能的双量程...
通过串并联及开关连接电路就可以实现双量程单通道电源的开尔文四线功能,进而实现双电源电压的采集和校准,不但功能实现简单,且操作容易。今年以来鼎阳科技新获得专利授权25个,较去年同期增加了257.14%。结合公司2023年中报财务数据,2023上半年公司在研发方面投入了3365.2万元,同比增62.01%。
中国科大在功率电子器件领域取得重要进展
图5.(a)氧化镓PN-HJFET器件和(b)氧化镓S/ohmic-HJFET器件结构示意图,(c)PN-HJFET器件的栅极电流-电压(IG-VG)特性,(d)在温度范围25-250℃下测量的PN-HJFET器件的栅极电流-电压特性,(e)IG-1000/T的Arrhenius曲线,(f)从图(e)提取的激活能EA。
基础知识之电阻器
最高使用电压:根据电阻器规定的、可以施加于电阻器的直流电压或交流电压(有效值)的最大值。分流电阻器什么是分流电阻器(电流检测电阻器)?过去,为扩大电流的测量范围而作为分流器与电流计并联的电阻器称为分流器(Shunt),近年来则开始将检测电路电流的电流检测用途的电阻器统称为分流电阻器。
大功率电机驱动器应用的系统设计注意事项
??使用示波器探测栅极电源电压以确保稳定性??使用DMM或LCR确认功率级中的无源器件值??了解任何FAULT信号被置位的原因幸好,大功率设计一般不是出错之后开展的补救性实验。如前所述,可以采取一些措施来缓解潜在问题。这些操作可能会改变电路板架构或栅极驱动器运行方式,从而增加对元件或电路板面积的...