蓝箭电子:公司封装产品包括二极管、三极管、场效应管等分立器件...
蓝箭电子(301348.SZ)9月25日在投资者互动平台表示,公司封装产品包括二极管、三极管、场效应管等分立器件产品和电源管理IC等模拟电路产品。从下游应用领域看,公司主要产品应用于消费类电子、工业、汽车电子等多个领域。具体信息请参见公司发布的公开信息。(记者尹华禄)免责声明:本文内容与数据仅供参考,不构成投资...
20个常用模拟电路总结,电路图+掌握要点
1、初级层次:熟练记住这20个模拟电路,清楚这20个模拟电路的作用,只要是电子爱好者,学习自动化、电子信息等专业的人来说都应该记住这20个基本模拟电路。2、中级层次:能分析20个模拟电路中的关键元器件作用,每个元器件出现故障电路时,电路功能会受到什么样的影响,测量时参数的变化规律,掌握对故障元器件的处...
罕见,院士独立作者发ACS Nano!
图5.碳纳米管样品纯度的影响:使用基于碳纳米管样品的场效应管测量转移特性曲线,其中(a)MIT团队使用的纯度为99.99%(16)和(b)北京大学团队使用的纯度优于99.9999%。对于大多数TFT应用,晶体管的典型通道长度大于500nm,而随机定向网络型碳纳米管薄膜是合适的。这些网状型薄膜材料的制备正迅速走向成熟,并已商品化。...
我国车规级IGBT市场现状及龙头企业分析
根据主要工艺,可以把晶体管分为双极晶体管和场效应晶体管,双极晶体管属于流控器件,响应速度快,驱动能力强,如:双极性三极管(BJT);场效应管属于压控器件,输入阻抗高,功率消耗相对较低,包括结型场效应晶体管(JFET)、金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)等。
如何测量场效应管好坏
场效应管的测试1、结型场效应管的管脚识别:场效应管的栅极相当于晶体管的基极,源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。将万用表置于R&TImes;1k档,用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某两个管脚间的正、反向电阻相等,均为数KΩ时,则这两个管脚为漏极D和源极S(可互换),余下的一个管...
如何用万用表测量场效应管三极管的好坏
一、定性判断MOS型场效应管的好坏先用万用表R×10kΩ挡(内置有9V或15V电池),把负表笔(黑)接栅极(G),正表笔(红)接源极(S)(www.e993.com)2024年7月30日。给栅、源极之间充电,万能表的使用方法视频此时万用表指针有轻微偏转。再改用万用表R×1Ω挡,将负表笔接漏极(D),正笔接源极(S),万用表指示值若为几欧姆,则说明场效应管...
逆变器中场效应管发热的原因有哪些
逆变器的场效应管工作于开关状态,并且流过管子的电流很大,若管子选型不合适、驱动电压幅度不够大或电路的散热不好,皆可导致场效应管发热。1、场效应管的选型不合适逆变器中的场效应管工作于开关状态,一般要求其漏极电流尽可能的大一些,导通电阻尽可能的小一些,这样可以减小管子的饱和压降,从而降低管耗,减小发热...
场效应管(FET)型号及主要参数表达含义
Up-夹断电压.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,使漏源间刚截止时的栅极电压.Ut-开启电压.是指增强型绝缘栅场效管中,使漏源间刚导通时的栅极电压.gM-跨导.是表示栅源电压UGS-对漏极电流ID的控制能力,即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值.gM是衡量场效应管放大能力的重要参数....
台积电公布架构路线图,展现下一代GAAFET、CFET场效应管技术
目前已量产的先进半导体技术为FinFET场效应管架构,根据路线图展示,下一代为采用纳米片结构的GAAFET(全环绕栅极场效应管),可以用于3nm以下制程。台积电表示,未来即将应用的2nmN2工艺节点,将使用GAAFET结构。而更先进的CFET场效应管架构,将n型和p型MOS元件堆叠在一起,最多可以垂直堆叠8个纳米片。该结构与...
场效应管测量方法
其中的大多数场效应管管,尤其是功率型场效应管管,内部集成有完好的保护电路,使用起来与双极型三极管一样方便。不过,保护单元的存在却又使得场效应管内部结构变得更加复杂,测量方法也与传统双极型三极管差不多。本文引用地址:httpeepw/article/201612/333668.htm...