更加本土化!测试测量巨头在中国的挑战和答案

通过信道测量实验,可以获取海量的信道测量数据,并通过高精度多径参数估计算法对测量数据进行处理,提取信道参数,从而对信道特性进行深入的研究与分析。王院长进一步解释了信道测量的两种方法:一种是以往使用的频域信道测量,基于矢量网络分析仪搭建,测试的内容受到限制,因为发送和接收物理上集成于同一单元,所以动态范围和可...

如何计算和提高泵的效率?

则:输出功率=0.325立方英尺/秒×1441296磅/平方英尺=468421磅·英尺/秒=851.67马力计算效率:从这个例子可以看出,计算泵的效率需要一些单位转换,但使用泵效率计算器可以简化这个过程。如何测量泵的效率?为了实时测量泵的效率,我们需要监测静态变量和动态变量。静态变量(如额定马力和水源的高度)只需测量...

圣邦股份获得发明专利授权:“一种功率管的漏源电压检测电路和开关...

漏源电压检测电路包括电压采样模块、补偿模块和输出模块,电压采样模块用于采集功率管的漏端电压和源端电压,以获得采样电流,补偿模块用于根据该采样电流获得补偿电流,输出模块根据所述采样电流和补偿电流获得表征功率管的漏源电压的检测电流。补偿模块可对电压检测模块中的晶体管的栅源电压造成的失调进行补偿,从而使得补偿后...

大功率管差分DMX512并联驱动控制芯片原理与应用领域

封装形式:SOP16大功率管差分DMX512并联驱动控制芯片SM16520P应用领域:大功率管驱动大功率点光源洗墙灯,投光灯户外情景照明建筑亮化工程大功率管差分DMX512并联驱动控制芯片SM16520P管脚图

吃透MOS管,看这篇就够了

MOSFET只靠多子导电,不存在少子储存效应,因而关断过程非常迅速,开关时间在10—100ns之间,工作频率可达100kHz以上,普通的晶体三极管由于少数载流子的存储效应,使开关总有滞后现象,影响开关速度的提高(目前采用MOS管的开关电源其工作频率可以轻易的做到100K/S～150K/S,这对于普通的大功率晶体三极管来说是难以想象的)。

MOS管及其外围电路设计

常用的mos管驱动电路结构如图1所示,驱动信号经过图腾柱放大后,经过一个驱动电阻Rg给mos管驱动(www.e993.com)2024年11月15日。其中Lk是驱动回路的感抗,一般包含mos管引脚的感抗,PCB走线的感抗等。在现在很多的应用中,用于放大驱动信号的图腾柱本身也是封装在专门的驱动芯片中。本文要回答的问题就是对于一个确定的功率管,如何合理地设计其对应的驱动...

??基础回顾:电阻、电容、电感、二极管、三极管、mos管

一般硅管的反向电流比锗管小得多,小功率硅管的反响饱和电流在nA数量级,小功率锗管在μA数量级。温度升高时,半导体受热激发,少数截流子数目增加,反向饱和电流也随之增加。二极管种类有很多,按照所用的半导体材料,可分为锗二极管(Ge管)和硅二极管(Si管)。根据其不同用途,可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管...

基础知识之晶体管

图1.热电阻测量电路由此,通过测定VBE,可以推测结温。通过图1的测定电路,对晶体管输入封装功率:PC(max)。(假设1W晶体管的情况下,输入条件为VCB=10VIE=100mA)如图2:测定VBE的初始值VBE1对晶体管输入功率,使PN结热饱和VBE的后续值:测定VBE2...

150+院士专家和龙头企业分享:热管理材料的重点研发方向!

题目:功率电子器件先进封装材料与热管理辛国庆,华中科技大学教授长期从事先进功率半导体封装材料的制备及功率电子器件热管理,包括高导热、绝缘、耐高温封装材料的制备题目:功率器件结温分布准确测量技术及在线监测技术探究邓二平,合肥工业大学教授针对高压大功率IGBT器件结温分布测量存在的关键科学问题和技术难题,提出了结...

柔性可穿戴电子设备材料的导电测试

本案例通过使用Keithley2636B和Keithley4200分析仪在空气中进行了SWCNTTFT和CMOS反相器的所有电气测量,偏压(VDS)为-0.25V(或0.25V),扫描步长为-0.01V(或0.01V)。使用上述仪器来测量制备的SWCNT薄膜晶体管的电学特性,如载流子迁移率、开关比、迟滞和亚阈值摆幅等,来评估材料在柔性电子器件...