中国科学院大学微电子所在铁电存储器可靠性研究方面取得进展
基于HfO2的铁电存储器(FeRAM)由于其高速、良好的可微缩性和CMOS工艺兼容性备受关注。但FeRAM的特性对温度极其敏感,性能受温度影响很大。如何减轻温度对FRAM阵列性能的影响,使其能在高温下实现高可靠性操作需要更加深入研究。针对这一问题,微电子所刘明院士团队提出了一种考虑温度效应的铁电阵列操作方法,并在128kb1T...
存储器密度超8倍,取代HBM的新技术出现了?
3DX-AI芯片的底层有个神经元电路层,可处理同一芯片上300个存储器层所储存的数据。NEOSemiconductor表示,由于8,000个中子电路(neutroncircuits)可在存储器中进行AI处理,该3D存储器效能可提升100倍,存储器密度比目前HBM高8倍,透过减少在GPU中处理的数据量,可降低99%耗电量。NEOSemiconductor创办人兼CEO许富菖指...
液态金属存储器:在溶液中如大脑般读写信息
液态金属存储器是一类利用溶液中液态金属独特的氧化还原机制制成的新一代信息存储器,其中的典型材料镓基液态金属(gallium-basedliquidmetal,GLM)由于在室温下具有良好的流动性和出色的电学性质,为此类存储器的研发提供了物质基础。而且GLM在溶液环境中会出现许多重要的物理化学行为,这为构筑仿生物乃至类脑智能提供了...
长鑫存储取得测试方法专利,提高了存储器电路仿真结果的可靠性
在本公开中,通过使反熔丝模型在编程电压和编程时间满足熔断条件后熔断,降低了反熔丝模型与实际的反熔丝晶体管的物理特性的差异,从而提高了存储器电路仿真结果的可靠性。同时,通过在反熔丝模型满足熔断条件后,自动地调整反熔丝模型的状态,从而提高了存储器电路仿真的效率。本文源自:金融界...
长鑫存储申请存储器访问方法及设备专利,有效提升存储器在使用过程...
本公开通过按照访问优先级由高到低的顺序,在多个存储库中优先选择访问优先级高的存储库,由此可以增加对数据保持能力高的存储库的利用率,降低对数据保持能力低的存储库的利用率,有效提升存储器在使用过程中的整体可靠性及寿命。本文源自金融界
...和存储器系统的操作方法专利,提高存储器单元或检查数据的可靠性
在检查操作期间,控制器控制存储器设备以通过使用检查电平从存储器单元中的目标存储器单元读取检查数据,将检查数据与存储在目标存储器单元中的原始数据进行比较,以及基于比较结果确定目标存储器单元或检查数据的可靠性(www.e993.com)2024年9月8日。金融界提醒:本文内容、数据与工具不构成任何投资建议,仅供参考,不具备任何指导作用。股市有风险,投资需...
华为公司申请铁电存储阵列专利,提高存储器的性能的均一性和可靠性
专利摘要显示,本申请提供了一种铁电存储阵列及其制备方法、存储器、电子设备,涉及半导体技术领域,旨在提高存储器的性能的均一性和可靠性。该铁电存储阵列可以为二维结构,还可以为三维结构,其包括阵列式排布的多个存储单元,每个存储单元包括铁电电容器和晶体管。铁电电容器包括相对设置的第一电极和第二电极,及设置于第一...
...提供光模块专用SoC以及配套的电源管理、大容量高可靠性存储器...
同花顺(300033)金融研究中心03月11日讯,有投资者向上海贝岭(600171)提问,您好董秘贵公司有参与光模块业务研发吗?公司回答表示,投资者您好!公司围绕电信和数据中心应用提供光模块专用SoC以及配套的电源管理、大容量高可靠性存储器等产品,并不断完善产品布局。谢谢!点击进入互动平台查看更多回复信息...
长鑫存储申请电源切换电路及存储器专利,提高器件的可靠性
大大减小甚至消除了第一输出单元与第二输出单元同时开启或同时关闭的时间,即重叠(overlap)时间,实现输出节点的有效输出,提高器件的可靠性,并且,采用本公开的电源切换电路实现消除重叠时间相较于使用延迟消除重叠时间而言,控制逻辑简单,可靠,且对工艺不敏感,进一步提高了器件的可靠性。
长鑫存储取得存储器工艺专利,确保漏电路径缺陷筛选的可靠性和高效性
指定时长大于参考时长,参考时长为存储器在未进行直流应力测试的工况下电荷分享的基准时长。通过本公开的技术方案,如果目标位线和伪位线之间存在漏电路径,则通过配置指定时长的电荷分享,能够放大基于漏电路径产生的漏电干扰的效应,进而保证了对漏电路径缺陷筛选的可靠性和高效性。本文源自:金融界作者:情报员...