先进封装设备行业报告:AI拉动算力需求,先进封装乘势而起
Wafer作为集成电路的载体以及RDL和TSV的介质和载体,在2.5D封装中用于制作硅基板、在WLP晶圆级封装中用于承载晶圆。TSV起着Z轴电气延伸的作用,是2.5D/3D封装技术实现的主要途径。从技术推出时间前后及先进性程度来看,排序为Bump、RDL、Wafer、TSV。1.2.1.先进封装四要素:Bump、RDL、Wafer...
江化微2023年年度董事会经营评述
12寸晶圆IGBT制程TiN腐蚀液量产、12寸晶圆PM/PMAEBR量产;12寸晶圆旋转蚀刻系硅腐蚀成功导入高端半导体并实现量产,也为未来在高端半导体打下夯实的基础;江化微自主研发的Profie可控铝蚀刻液,报告期内顺利导入客户端并给公司销售提供增量。
“大芯片”的挑战、模式和架构
3DTetris使用混合存储器立方体(HMC)[41],[42]作为三维存储器基板,与逻辑芯片垂直面对面堆叠,通过高速硅通孔(TSV)通信,那么片外带宽应与面积成正比,如公式16所示。这里,bwoff-chip,area的单位是GBps/mm??如图9所示,我们可以得到两种实现方式的性能模型,其中芯片间带宽来自传统的HMC设计。由于采用了...
半导体材料为何「难投」,千亿市场如何破局? | 指数洞察
硅片正在向更大直径发展,在同样工艺条件下,12英寸晶圆可使用面积超过8英寸的两倍以上,可使用率(衡量单位晶圆可生产的芯片数量的指标)是8英寸硅片的2.5倍左右。12英寸硅片目前为市场主流应用,占比约69%,一般用于制造难度较高的逻辑芯片。同时随着DRAM与NAND闪存等技术升级,12英寸单晶硅片需求量急剧提升。但在国产...
印度唯一的晶圆厂,什么水平?
晶圆厂的产能通常以每月晶圆开工量(WSPM)来衡量,并且没有关于SCL的200毫米晶圆尺寸180纳米工艺节点晶圆厂生产线可能的WSPM的公开信息。鉴于迄今为止芯片订单仅限于印度的一些学术、研究和空间应用目的,过去多年实现的WSPM可能远低于该设施理论上应该能够交付的水平。
起底硅晶圆整合潮:4 大玩家包揽 9 成市场,环球晶圆靠买买买逼近第一
表面颗粒尺寸需达到纳米级,先进制程中的硅晶圆颗粒需要小于10nm;表面高度落差小于10nm;表面杂质含量小于百亿分之一(www.e993.com)2024年9月10日。另一方面,硅晶圆厂商想要通过客户认证也需要较长的时间周期。面向常规应用的抛光片和外延片认证周期一般为9-18个月,SOI硅片认证周期通常为1-2年;汽车电子、医疗健康以及航空航天等应用...
【SMM金属早参】美元连续跳水 金属涨跌互现 | 进出口数据分析 |...
11月7日LME基本金属仓储总库存一览(单位:吨)11月7日LME基本金属注册及注销仓单一览(单位:吨)SMM周度数据:周末全国主流地区铜库存增加0.6万吨截至11月7日周一,SMM全国主流地区铜库存环比上周五增加0.6万吨至10.22万吨,已经连续2个周一累库,总库存较去年同期的9.52万吨高0.7万吨,关注后市能否持续累库。周...
告别硅时代?石墨烯芯片如何重塑半导体?
一般来说,硅的电子迁移率大约在1400cm??/(V*s)左右,而空穴迁移率则是450cm??/(V*s)。这样的高低差,是硅材料本身固有晶格结构、电子结构决定的,虽然人们可以通过特定的掺杂工艺来缩小二者的差距,但由于硅本身的迁移率上限,这样的人工优化,仍很难突破一个固定的比例(大约是2到3:1)。
【深度报告——工业硅】工业硅上市系列专题(三):多晶硅篇
行业中常用硅单耗代表单位高纯硅产品所耗费的硅量,计算方式是将外购工业硅粉、三氯氢硅等含硅物料全部折成纯硅计算,再扣除外售氯硅烷按含硅比折成的纯硅数量。据CPIA数据,2021年硅耗水平下降0.01kg/kg-Si,达到1.09kg/kg-Si,预计随着冷氢化处理及副产物回收利用水平的提高,预计到2030年将降低到1.07kg/...
半导体硅片行业分析:半导体硅材料历久弥新
步骤二:切片。单晶硅棒磨成相同直径,然后根据客户要求的电阻率,用内径锯或线锯将晶棒切成约1mm厚的薄片,形成晶圆。根据目前的工艺、技术水平,为了降低硅材料的损耗、提高生产效率和表面质量,一般采用线切割方法进行切片。步骤三:倒角:硅片倒角加工的目的是消除硅片边缘表面经切割加工所产生的棱角、裂缝、毛刺、崩边...