摩尔定律会失效吗?得问一道“墙”

今天的学界共识是，厚度仅为1个或几个原子层的二维半导体材料可望成为下一代芯片的理想沟道材料，比如二硫化钼、碳纳米管。不过，二维半导体材料想要闪亮登场，必须得有高质量栅介质材料与之配合。也就是说，“人造蓝宝石”的登场，让我们对二维半导体材料的诞生，有了更多憧憬。如狄增峰所言，未来，把芯片的基础材料也...

T0816-2009粉煤灰中二氧化硅、氧化铁和氧化铝含量测定方法-市政

79.84——(1/2Fe??O??)的摩尔质量(g/mol);50.98——(1/2Al??O??)的摩尔质量(g/mol);56.08——CaO的摩尔质量(g/mol);40.31——MgO的摩尔质量(g/mol)。3.17pH4.3的缓冲溶液:将42.3g无水乙酸钠(CH??COONa)溶于水中,加80mL冰乙酸(CH??COOH),用水稀释至1L,摇匀。3.18硫酸铜标准...

3D芯片,续写摩尔定律

通过TSV工艺,可以获得尺寸更小、质量更轻的封装,大幅度提高封装密度;显著减少互连长度,增加信号传输速度;有效降低功耗;获得更宽的数据位宽,相应获得更宽的带宽。但是由于工艺流程复杂繁琐、技术难度高、设备昂贵、成本高,目前TSV互连技术大多数应用在高端产品上。TSV作为实现3DIC系统各个层次之间通信的关键技术,其制...

国内半导体正在破局—专利项

该极板电容器,包括:在第一方向上相对设置的第一极板和第二极板,以及设置于所述第一极板和所述第二极板之间的介质层;所述介质层包括沿所述第一方向层叠的第一子层、第二子层和第三子层;其中,所述第一子层与所述第一极板接触,所述第三子层与所述第二极板接触,所述第一子层、所述第二子层和所述第三子...

半导体设备深度梳理

1.光刻机:摩尔定律的续命药(1)图形刻画,光刻机必不可少光刻是将设计好的电路图从掩膜版转印到晶圆表面的光刻胶上,通过曝光、显影将目标图形印刻到特定材料上的技术,可以简单理解为画图过程,是晶圆制造中最重要的技术。光刻工艺包括三个核心流程:涂胶、对准和曝光以及光刻胶显影,整个过程涉及光刻机,涂胶显影机...

关于【半导体产业现状】与【各类沉积设备】发展趋势

薄膜沉积是指在硅片等衬底上沉积待处理的薄膜材料,所沉积薄膜材料主要是二氧化硅、氮化硅、多晶硅等非金属以及铜等金属,沉积膜可为无定形、多晶的或者单晶(www.e993.com)2024年11月23日。薄膜沉积设备主要负责各工艺步骤中的介质层与金属层的沉积,包括CVD(化学气相沉积)、PVD(物理气相沉积)和ALD(原子层沉积)等,其中ALD属于CVD的分支。按照沉积工艺...

半导体金属行业深度报告:镓、钽、锡将显著受益于半导体复苏

工程上根据K值的不同,将电介质分为高K和低K介质两类:K>3.9(二氧化硅的介电常数)的为高K材料,K≤3.9的为低K材料。上个世纪末集成电路特征尺寸缩小到130nm时,摩尔定律遇到一个很重要的挑战就是栅极的漏电流问题。当特征尺寸为130nm时,为了正常地驱动MOSFET,对应的SiO2栅极层...

先进封装材料深度报告:先进封装材料国产替代加速

国家硅材料深加工产品质量监督检验中心于2018年12月出具的检验报告显示,公司产品的微米级球形硅微粉可达球形度0.987、球化率98.9%,大于100??m的磁性异物为0,从球形度、球化率、磁性异物等评价指标来看,公司球形硅微粉产品关键指标达到了国际领先水平,其性能与国外厂商同类先进材料相当,甚至有...

绕道摩尔定律,中科院研究员探索半导体的“杂交水稻”技术

除了高质量硅基磷化铟异质集成，他们也在研究高导热氧化镓异质集成晶圆。氧化镓被认为是继氮化镓、碳化硅后最有望实现产业化应用的一种宽禁带半导体材料，在功率器件领域具有应用前景，但其致命缺陷是热导率低、散热能力差，影响器件寿命。2018年起，游天桂团队探索把氧化镓与具有高热导率的衬底集成，从而帮助其散热...

半导体行业深度:先进封装引领后摩尔时代,国产供应链新机遇

根据Yole,2020年“超越摩尔定律”相关的键合设备市场规模达到17亿美金,预计到2027年将达到28亿美金。其中2020年临时键合设备市场规模为1.13亿美金,预计2027年将达到1.76亿美金,SUSS在全球占据主导地位。临时键合胶:是把功能晶圆和临时载板黏接在一起的中间层材料。不同工艺对应的临时键合在...