GMIF2024 | 西部数据:3DQLCNAND技术革新,驱动AI时代的存储未来
随着AI时代的到来,存储需求呈现出爆炸性增长,预计全球将会有数个ZB的数据需要存储。李艳博士指出,3DQLCNANDFlash在满足这些需求方面具有巨大的潜力,尤其是在AI、大数据和云计算等领域,3DQLC的高密度存储将成为理想的选择。“在企业级应用中,3DQLC可以替代传统的硬盘驱动器(HDD),提供更高的存储容量和更快的...
清华段路明研究组刷新量子存储容量国际记录
国内有研究组利用高维态空间的方法,实现了3到7维光信号的量子存储,该信号能编码2到3个量子比特。段路明研究组引入二维量子存储阵列的方法(如下图所示),大大提高了量子存储器的存储容量,将原子存储单元的数目增加到225个,比国际原有记录提高了近20倍。实验演示任意原子存储单元与光子间的量子纠缠存储。该实验利用...
未来两年,德国大型储能系统装机容量将增加5倍!
据分析,截至2024年上半年末,德国安装了151万个家庭储能单元,总容量约为13GWh。商用电池的存储容量约为1.1GWh,使总装机容量接近16GWh。因此,安装的存储容量不断增加。然而,光伏目前的发展速度甚至更快。德国的装机容量已经超过90GW,正是在阳光明媚的日子里,电价暴跌或需要对安装进行监管。存储是及时转移这种注...
新兴存储,冰火两重天
从上世纪70年代起,DRAM进入商用市场,并以其极高的读写速度成为存储领域最大分支市场;功能手机出现后,迎来NORFlash市场的爆发;进入PC时代,人们对于存储容量的需求越来越大,低成本、高容量的NANDFlash成为最佳选择。如今,伴随AI浪潮的兴起,HBM一骑绝尘。存储技术发展更迭50年,如今逐渐形成了DRAM、Flash和SRAM这几...
存储技术,掀起一轮新革命
三星表示,堆叠式DRAM可充分利用Z轴空间,在更小的面积内容纳更多存储单元,单芯片容量可超过100Gb。今年5月,三星指出,已与其他公司一起成功制造出16层3DDRAM,但强调尚未做好量产准备。3DDRAM预计将采用晶圆到晶圆混合键合技术生产,同时也考虑采用BSPDN(背面电源传输网络)技术。美光已提交了与三星不同的3D...
苹果迎接AI浪潮,酝酿为iPhone改用QLC NAND:存储上限至2TB
QLC的全称是Quad-levelcells(四层单元),每个单元可储存4bit数据,跟TLC相比,QLC的储存密度提高了33%(www.e993.com)2024年10月18日。QLCNAND通常用于入门级消费者固态硬盘和大容量存储应用中,QLCNAND的耐久度最低,通常P/ECycle(ProgramEraseCycle)在100到1000之间。
存储行业:存储行业景气度拐点已至,AI国产化需求复苏带来新周期
存储芯片千亿市场规模,DRAM和NAND为主流品类信息储存媒介不断变化,NAND和DRAM为当前主流上世纪60年代,ICT产业不断发展,存储芯片行业萌芽。当时主要产品是超低容量DRAM芯片,用于计算机内存。70年代,EPROM和EEPROM芯片问世。这一阶段信息产业呈现“低基数高增速”发展,数据存储需求较小,仅数十亿美元市场规模。90年代...
被放弃的存储技术,3D XPoint细节首度公开
美光在IEDM2023上公布的第二代3DXPoint内存技术是一种存储容量为256Gbit的非易失性内存,由四个堆叠的64Gbit交叉点结构单元阵列组成。这一事实已于2021年6月由芯片分析服务公司TechInsights作为第二代芯片的分析结果发布。该公司的报告已经透露,工艺技术和存储单元结构与第一代几乎相同。
2TB iPhone 准备来了!内存容量翻倍再翻倍
QLC的全称Quad-levelcells(四层单元),每个单元可储存4bit数据,跟TLC(三层单元)相比,QLC的储存密度提高了33%,QLCNAND的耐久度最低,通常P/ECycle(ProgramEraseCycle)在100到1000之间,能在相同物理空间内实现更大容量,另外QLC成本也会低于TLC,能够有利于降低生产零件...
为什么CPU中的SRAM容量相对较小?
结构复杂:SRAM的存储单元由6个晶体管组成(通常是6TSRAM),这使得它的集成度较低,单位面积的存储容量较小。1.2Flash(Non-volatileMemory)非易失性:Flash存储器在断电后可以保留数据,因此适用于长期数据存储。存储密度高:Flash的存储单元通常使用单个晶体管(如NANDFlash)或两个晶体管(如NORFlash),使得它...