...双列直插式存储器及其增强驱动方法专利,实现低功耗、大容量...

该存储器为可插拔双列直插式结构,兼容DDR内存接口,存储器基于低功耗内存芯片的DDR4SO??DIMM接口以信号完整性和电源完整性为原则做如下引脚分配:存储器的电源引脚和接地引脚通过对DDR4SO??DIMM接口的数据线、控制线和地址线的两端从新分配得到,使布线时数据线、控制线、地址线通过电源引脚和接地引脚隔离;存储器的...

AI内存瓶颈(下):DRAM与HBM

从结构上看,和2DNAND类似,DRAM是一个二维阵列,一整行晶体管的控制栅由一条字线(Wordline)相连,一整列的晶体管由位线(Bitline)相连。晶体管通过地址线被激活,允许对应的电容通过数据线读取或改变电荷状态。以下图为例,在一个由多个1T1C单元(一个晶体管和一个电容)组成的DRAM阵列中,每个阵列被称为一个库(...

国产SLC闪存芯片再获突破,容量扩展至8Gb,助力中国物联网发展

而NAND型更像硬盘，地址线和数据线是共用的I/O线，类似硬盘的所有信息都通过一条硬盘线传送一般，成本要低一些，而容量大得多，主要用来存储资料。那么今天我们要说的就是NAND闪存。NAND闪存芯片又通常分为SLC、MLC、TLC以及QLC四种，他们之间有一定区别，各有优缺点。其中的SLC=Single-LevelCell，其优点是速度快...

解析SRAM存储容量及基本特点

地址线:单向输入,其位数与芯片的容量有关片选线:确定哪个芯片被选中(用来选择芯片)数据线:双向输入,其位数与芯片可读出或者写入的位数有关,也与芯片容量有关。存储容量通常我们将存储容量表示为:字数X位数,比如64KX8位,其含义为,以8位构成一个字,一共有64个字。这个概念要相当熟悉,后面理解题目很有用。

大容量存储的NOR FLASH的原理及应用

从图1可以看出,每个片选控制了每一Block的写保护信号#WP,另外芯片中的每一个Block的其他控制端口、地址线和数据线都是共用的。图2为VDRF256M16中的任一Block的结构框图,它主要由控制逻辑、存储整列等组成。下面为VDRF256M16的主要特性。-总容量:256Mbit;...

基于SRAM芯片立体封装大容量的应用

VDSR16M32作为32位存储器时与S698-T微处理器的电路连接图如图7所示,其中Data31:0为微处理器S698-T的32位数据线,Address19:2是S698-T中28位地址线中的第2位至20位,S698-T在32位总线访问时,地址线从A2开始选址(www.e993.com)2024年11月17日。OE*是S698-T的外部存储器输出使能信号低电平有效。WE*是S698-T的外部存储器写操作使...

S3c2440处理器中nor flash启动和nand flash启动问题

首先四字节对其寻址(32位数据线),那么DAT0DAT1的寻址线肯定是0,所以没有接上的必要,242526决定最高位,如果为64Mr601r604接上,地址线24-25连接,CPU设置0x30000000为基地址的话,最高地址是0x33FFFFFF,(0x30000000-0x33ffffff)=0x3ffffff个字节,一共就是64M字节...

深入理解计算机系统 ——CAEer 视角

如图所示,在地址#1~#4所指向的内存中,存储16进制数据01234567H,其中“01”表示数据的高有效位(8bit),“67”表示数据的低有效位,则将高有效位放在前面为大端模式;将高有效位放在后面为小端模式。1.5字符串字符串是由一个个字符组成的,而在计算机中,每一个字符与“0/1”建立联系是通过ASCII编码(8...

数字存储完全指南 05:运行内存都在运行什么?

我们上面提到DRAM需要动态刷新保持数据,按照JEDEC标准是每64ms刷新一次,那么一天就要刷新100多万次,换成NAND颗粒早就挂了。然后这些储存单元用并联的方式串在地址线数据线上,和我们前一章介绍到的NOR闪存类似,也是可以单独读写到每一个储存单元数据的。这样做的好处是优秀的随机读写能力,单个储存...

芯人必读|一文看懂NOR Flash

与主流的NANDFlash相比,NORFlash容量密度小、写入速度慢、擦除速度慢、价格高,但是NORFlash由于其地址线和数据线分开的特性,不必再把代码读到系统RAM中,应用程序可以直接在NOR上运行(XIP,eXecuteInPlace),且NORFlash还具备更快的读取速度、更强的可靠性和更长的使用寿命,这些因素的存在也注定了NORFlash...