光谷攻克芯片光刻胶关键技术

10月15日,中国光谷诞生重大科技成果:武汉太紫微光电科技有限公司在全国率先攻克合成光刻胶所需的原料和配方,我国芯片制造关键原材料取得瓶颈性突破。该公司新型光刻胶产品已通过半导体工艺量产验证,即将量产。太紫微公司成立于2024年5月,由华中科技大学武汉光电国家研究中心团队创立。团队主攻关键光刻胶底层技术研发,已...

想要解决国产EUV光刻机卡脖子情况,必须要攻克两个核心难点

首先，我们来探讨EUV光源技术。光刻机依赖反射镜来引导光线，但极紫外光的反射效率极低，通常需要经过十多次反射才能将光源导入到晶圆上。当光源最终到达晶圆后，其整体能量已不足2%，因此无法进行晶圆制造，这就要求一个非常强大的光源。极紫外线技术最初由英特尔提出，美国政府随后成立了一个名为EUVLLC的技术联盟。

项立刚:中国技术生态链在美重压下快速形成

项立刚:中国技术生态链在美重压下快速形成近日,据知情人士透露,美国正在施压荷兰,要求全球最大的光刻机生产企业阿斯麦公司(ASML)禁止向中国出售深紫外线光刻机(DUV),从而把对中国光刻机的禁售范围从先进制程的极紫外线光刻机(EUV)扩大到普遍使用的DUV,目的就是全力遏制正在崛起的中国芯片产业。短期而言,一旦ASML...

中国科学院大学在面向高数值孔径极紫外光刻的光源-掩模联合优化...

高数值孔径(HighNA,NA=0.55)极紫外(EUV)光刻是实现5nm及以下技术代先进集成电路制造的关键技术,其成像性能受到诸多因素的限制。光源-掩模联合优化(SMO)是先进光刻工艺中提升成像质量的一项重要技术,并在14nm及以下技术代中实现成功应用。因此,建立面向HighNAEUV光刻系统的SMO算法具有明确且重要的实际应用价值。

国家新材料大数据中心:撬动千亿级研发投入 打造一流材料大国

美国、荷兰、日本先后对光刻机等半导体制造设备出口进行限制。想要不被“卡脖子”,在关键环节我国实现自主可控是必经之路。目前,全球能生产光刻机的厂商寥寥无几,荷兰阿斯麦、日本尼康和佳能占据了主要市场。其中,阿斯麦技术最为领先,它是唯一能生产极紫外线光刻机的厂家,这种光刻机可实现7纳米甚至5纳米工艺。

我国EUV光刻机光源实现突破,7nm关键技术已掌握

这表明国内光刻机技术与国际先进水平至少存在5年以上的差距(www.e993.com)2024年11月22日。但值得欣慰的是，我国在EUV光刻机关键技术领域也已实现突破。上海微电子公司最近公布的一系列专利中，有一项关于“极紫外线辐射发生装置及光刻设备”的发明专利尤其引人注目，这一专利已于9月10日由国家知识产权局公开。这一发明表明，上海微电子已掌握了...

上海微电子公开“极紫外辐射发生装置及光刻设备”的发明专利

由于极紫外光被几乎所有光学材料强烈吸收,因此EUV光刻机的光学系统必须采用全反射光学系统。此外,极紫外光刻技术的关键在于高功率激光击打金属锡,产生等离子体,从而辐射出极紫外光。不过,如果采用激光轰击锡滴产生极紫外光,被轰击所产生的锡碎屑(带电粒子)向周围扩散,极易污染收集器镜,严重影响收集器镜的使用寿命。

重大突破!极紫外光刻新技术问世,超越半导体制造业标准界限,功耗比...

日前,据日本冲绳科学技术大学院大学(OIST)官网最新报告,该校的津守教授设计了一种极紫外(EUV)光刻技术,超越了半导体制造业的标准界限。基于此设计的光刻设备可采用更小的EUV光源,其功耗还不到传统EUV光刻机的十分之一,从而降低成本并大幅提高机器的可靠性和使用寿命。

极紫外光刻技术获突破:可大幅提高能源效率,降低半导体制造成本

8月2日,冲绳科学技术大学院大学(OIST)的教授新竹俊(TsumoruShintake)提出了一种极紫外(EUV)光刻技术。基于这种设计的EUV光刻技术可以使用更小的EUV光源工作,从而降低成本,显著提高机器的可靠性和使用寿命。而在消耗电量上不到传统EUV光刻机的十分之一,有助于半导体行业变得更加环境可持续。

极紫外光刻新技术问世

据日本冲绳科学技术大学院大学(OIST)官网最新报告,该校设计了一种极紫外(EUV)光刻技术,超越了半导体制造业的标准界限。基于此设计的光刻设备可采用更小的EUV光源,其功耗还不到传统EUV光刻机的十分之一,从而降低成本并大幅提高机器的可靠性和使用寿命。