相场模拟与SHG技术解析铁电材料动态行为!

铁电材料是现代电子器件中关键的组成部分,因其在传感器、存储器和能源转换等领域的广泛应用而备受关注。与传统的钛酸铅(PbTiO3)等铁电材料相比,新型铁电薄膜在结构稳定性和极化性能方面具有更优越的特点。然而,这些材料在实际应用中仍面临如制备工艺复杂性和性能一致性等问题,因此带来了材料优化和工艺改进的挑战。近日,...

AI大模型需要新型存储器!北京大学唐克超老师谈FeRAM铁电存储器...

针对铁电材料在集成电路领域的应用前景,唐克超老师介绍,目前有三种主流的铁电存储器技术:FeRAM、FeFET和FTJ,它们各自具有独特的特性和应用前景。FeRAM,即基于电容型的铁电存储器,因其与现有DRAM结构的相似性而最接近产业化应用。它旨在提供非易失性存储解决方案,以结合DRAM的快速访问和低功耗特性,特别适合需要频繁刷...

抗疲劳!中国科学家解决铁电材料疲劳之痛,有望实现存储器无限次数...

铁电材料虽然名字中有“铁”，但实际上和金属“铁”一点关系都没有。这里的“铁电”是指一种绝缘材料。在外加电场的作用下，它的电荷能够重排产生电极化。即使撤掉电场，排列后的电荷依然能保持原状，也就是存在记忆功能。铁电材料像十多年前常见的卡式磁带上的材料一样，可以被用作非易失性存储器，具有低功耗...

Adv. Mater.: 揭开无机铁电材料中手性的面纱

手性铁电材料由于兼具手性光学特性和铁电性,被视为极具潜力的电控光学手性材料,在集成光电子学及信息存储等领域展现出了广阔的应用前景。然而,与具有手性碳原子中心的有机铁电材料相比,如何在无机铁电材料中引入手性是铁电领域长期以来所面临的挑战。近日,清华大学材料学院研究团队在无机铁电材料中的光学手性及其电场调控...

在位移型铁电材料中实现磁场对电极化的调控与大磁电耦合效应 | 进展

位移型铁电材料(如BaTiO??、PbTiO??等)因其优异的性能在电容器、传感器和驱动器等众多领域得到了广泛的应用。但是,这些材料的自发电极化往往由非磁性的d??或6s??离子的位移引起,使得外磁场几乎不能调控材料的电极化强度。尽管在少数位移型铁电材料中发现磁性离子直接参与了电极化的形成,但是这些材料大多具有稳定...

科学家成功调控反铁电材料的热导率,响应时间小于150纳秒,有望用于...

近日,哈尔滨工业大学教授和合作者,在反铁电材料锆酸铅中,通过结构相变的方法,成功实现了热导率的调控,借此获得2.2的大开关比,小于150纳秒的响应时间,以及1000万次的稳定循环(www.e993.com)2024年11月17日。(来源:Science)研究中,课题组论证了反铁电热开关器件的大开关比、快速响应和循环稳定等特点,借此为反铁电热开关器件的设计和性能...

全球闪存峰会预热:铁电存储器观察

全球闪存峰会预热:铁电存储器观察铁电存储器(FerroelectricRandomAccessMemory,被称为FRAM或FeRAM)利用铁电晶体材料的电压-电储流关系具有滞后回路的特点来存储数据。并且铁电材料的极化特性使其能够在没有电源的情况下保持数据。其技术特点包括:1.读写速度快:FRAM的读写速度接近SRAM,显著快于NAND闪存。

高速高容量铁电存储器有望诞生

(Fer-ro-RRAM)的研究中取得重大进展,他带领的研究小组与中科院物理所,首尔大学,剑桥大学等合作,证明了一种铁电自发极化方向调制的p-n结电流,可运用于高密度信息的非挥发存储.这也就意味着,在存储器领域中,读写速度更快,可靠性更强,体积更小的存储器有望诞生,其原...

无锡又有两家企业融资成功,其中一个是全球铁电存储器龙头!

舜铭存储成立于2023年3月,这是一家有着领先新型存储技术的芯片设计企业。公司在美国湾区设有设计中心,在上海拥有材料研发中心。目前公司拥有发明专利申请90多项,实用新型4件。公司实现了第一颗国产新型铁电随机存取存储器(英文简称:FRAM)的量产,也是全球唯一的新型FRAM的供应商。公司也成为了国内领先的存储芯片供应商...

聚焦下一代信息存储技术 中国科学家研究铁电隧道结存储器获新进展

中新网北京3月15日电(记者孙自法)记者3月15日从中国科学院金属研究所获悉，该所沈阳材料科学国家研究中心胡卫进研究员与同事等合作，聚焦下一代信息存储技术——铁电隧道结存储器开展研究，提出新策略、取得新进展。在此次最新完成的研究中，研究团队提出利用缓冲层定量调控薄膜应变，延迟铁电薄膜晶格弛豫从而增强铁...