重磅!国产DUV光刻机研制成功!美国啥反应?
就在所有人都以为我国芯片产业将陷入沉寂之时,一款国产氟化氩光刻机横空出世,犹如破局之光,照亮了前行的道路。这款光刻机的光源波长达到193nm,分辨率小于或等于65nm,套刻精度小于或等于8nm。这些专业术语或许让人一头雾水,但它们背后的意义却足以令国人振奋。这款国产光刻机的问世,不仅打破了ASML公司的市场...
EUV光刻机突破中的科技与产业创新是如何融合的?
例如,在EUV光源方面,光刻机光源供应商Cymer为ASML所提供的EUV光源方案整合了3家德国公司的先进技术,包括ZEISSSMT全球领先的光学反射镜、弗劳恩霍夫光机所精确的镀膜,以及通快公司(TRUMPF)的超高功率二氧化碳激光。在光学系统方面,ZEISSSMT于2010年研发全球第一套EUV光学系统并在EUV光刻领域形成绝对的技术壁垒,是ASML...
揭秘:光刻厂是绕开了光刻机什么难点?
光刻机使用的极紫外激光光源技术中有一大堆的美国的专利。ASML的极紫外光是这么来的:先把纯锡熔化,然后将熔化的纯锡用一个特制的喷嘴喷出来,形成锡雾。锡雾里面每个锡滴直径要控制在27纳米左右。3、内部架构与材料光刻机的复杂内部结构和使用的材料也是技术上的难点。例如,光刻机中的光学镜片需要特殊的材料来...
成本可降低数倍!EUV光源的替代方案来了!
目前的EUV光刻机系统当中的EUV光源,被称为激光等离子体EUV光源(EUV-LPP),是通过30千瓦功率的二氧化碳激光器轰击以每秒50000滴的速度从喷嘴内喷出的锡金属液滴,每滴两次轰击(即每秒需要10万个激光脉冲),将它们蒸发成等离子体,通过高价锡离子能级间的跃迁获得13.5nm波长的EUV光线。由于EUV光线波长非常短,所以它们会...
日本提出EUV光刻新方案:光源功率可降低10倍,成本将大幅降低!
从EUV光刻机的结构来看,其内部主要由“照明光学模组”(Illuminator)、“投影光学模组”(Projectionoptics)、“光罩传输模组”(ReticleHandler)、“光罩平台模组”(ReticleStage)、“晶圆传送模组”(WaferHandler)、“晶圆平台模组”(WaferStage)及“光源模组”(Soure)这七大模组组成。△ASMLEUV光刻机...
没有EUV光刻机,怎么做5nm芯片?
目前ArF光刻机的镜头可将sinθ值做到0.93,EUV光刻机目前只能达到0.33,Hyper-NAEUV的目标值是0.75,也是ASML的终极项目(www.e993.com)2024年10月18日。如果未来没有新技术发明出来,这很可能是芯片物理光刻技术的终结。2)缩短波长:材料与镜头的精准搭配缩短波长主要依靠光源的改变,比如g-Line,i-Line的UV(紫外光),KrF,ArF的DUV(深紫外光)...
EUV光刻机,大结局?
众所周知,当前,EUV光刻机的镜头系统由蔡司公司所制造,镜头系统采用的超低热膨胀玻璃来自于肖特公司。1896年,英国物理学家瑞利以“Airy斑”理论为基础,对“Abbe光学衍射极限理论”进行了进一步的延伸和细化,建立了“瑞利判据”(RayleighCriterion)。如果一个点光源的衍射图像的中央最亮处刚好与另一个点光源的衍射图...
High-NA EUV光刻机入场,究竟有多强?
High-NAEUV光刻机对英特尔来说意味什么?High-NAEUV被认为是可以降低工艺复杂性和制造成本,并是制造2nm及以下的尖端制程的关键设备。High-NA不仅需要新的光学器件,还需要新的光源材料,例如德国蔡司在真空中制造的一个由抛光、超光滑曲面镜组成的光学系统,甚至还需要新的更大的厂房来容纳这种机器,这都将...
光刻技术的过去、现在与未来
光刻技术作为一项精密的微纳米加工工艺,通过将设计好的微小图案转移到光敏感的材料表面,为各个领域的微细结构制造提供了技术支持。其核心在于利用光刻机,将精准的图案投射到光敏感材料上,从而实现微小结构的精确制造。在当今科技时代,光刻技术是推动半导体制造、光学器件、生物医学等领域发展的重要技术支撑。在半导体制...
天价EUV光刻,何去何从?|纳米|掩膜|euv|电子束_网易订阅
简单来说就是,原本需要两次EUV曝光才能完成的过程,现在借助应用材料公司的CenturaSculpta图案化系统,就只需要一次EUV曝光就能完成。与此同时,EUV双重图案化需要许多额外的制造工艺步骤,通常包括CVD图案化薄膜沉积,CMP清洁,光刻胶沉积和去除,EUV光刻,电子束计量,图案化薄膜蚀刻和晶圆清洁等。