【新华社】我国科学家开发出可规模制造的光子芯片材料

钽酸锂薄膜有优异的电光转换特性,可规模化制造,应用价值极高。“相较于被广泛看好的潜在光子芯片材料铌酸锂,钽酸锂薄膜制备效率更高、难度更低、成本更低,同时具有强电光调制、弱双折射、更宽的透明窗口、更强的抗光折变等特性,极大扩展了光学设计自由度。”欧欣说。欧欣团队与瑞士洛桑联邦理工学院托比亚斯·基彭...

下一代芯片用什么半导体材料

据介绍，第一代半导体材料是指硅、锗为代表的元素半导体材料，应用极为普遍，目前90%以上的半导体产品是用硅基材料制作的；第二代半导体材料是以砷化镓、磷化铟为代表的化合物材料。李颖锐认为，从材料的角度说，未来发展方向必然是宽禁带半导体。禁带宽度是半导体的一个重要特征参量，其大小主要决定于半导体的能带结构...

3D芯片,续写摩尔定律

硅通孔(ThroughSiliconVia,TSV)互连技术是指在硅中介板(Interposer)、晶圆或裸芯片上制作微通孔,然后填充导电材料以实现芯片之间的互连导通;载体、晶圆或裸芯片在硅通孔间进行相互连接即可成为硅通孔互连。通过TSV工艺,可以获得尺寸更小、质量更轻的封装,大幅度提高封装密度;显著减少互连长度,增加信号传输速度;有...

产业观察丨芯片的诞生,晶圆是如何从“沙子”炼成的?

相对而言,单晶硅材料以其规则且单一的晶体结构,确保了晶体的均匀性与完整性,对于集成电路芯片的性能具有至关重要的作用。因此,需将多晶硅材料经过特定工艺转化为单晶硅材料。其中,最具代表性的加工工艺为柴可拉斯基法(CzochralskiProcess,简称CZ法),此法源于波兰化学家扬·柴可拉斯基在1916年对金属结晶速率的研究,后来...

...2英寸二硫化钼单晶薄膜,开关比接近10的9次方,推动亚纳米芯片...

作为一种二维半导体材料,二硫化钼凭借多种优点成为解决硅基器件微缩瓶颈、以及构筑集成度更高、速度更快、功耗更低的下一代新型芯片的理想材料。为了实现二维半导体全部潜力及其在高性能芯片上的应用,非常有必要在通用商业衬底上,以可控的方式合成二维半导体单晶晶圆。

先进封装材料深度报告:先进封装材料国产替代加速

除封装基板和包封材料外,传统封装和先进封装过程中均需要用到的材料有:1)芯片粘接材料(DieAttach):用于粘接芯片与基板的封装材料,在先进封装工艺中主要在芯片堆叠、多芯片粘接和FC芯片粘接等工艺中,芯片堆叠工艺中导电胶使用较多,20μm以下的芯片厚度情况下,一般使用DAF膜(DieAttachFilm)粘接(www.e993.com)2024年11月13日。DAF...

我国科学家开发出可规模制造的光子芯片材料

钽酸锂薄膜有优异的电光转换特性，可规模化制造，应用价值极高。“相较于被广泛看好的潜在光子芯片材料铌酸锂，钽酸锂薄膜制备效率更高、难度更低、成本更低，同时具有强电光调制、弱双折射、更宽的透明窗口、更强的抗光折变等特性，极大扩展了光学设计自由度。”欧欣说。欧欣团队与瑞士洛桑联邦理工学院托比亚斯·...

如果说7nm是制程工艺物理极限 那么1nm是什么概念?

上述做法在栅长大于7nm的时候一定程度上能有效解决漏电问题。不过,在采用现有芯片材料的基础上,晶体管栅长一旦低于7nm,晶体管中的电子就很容易产生隧穿效应,为芯片的制造带来巨大的挑战。针对这一问题,寻找新的材料来替代硅制作7nm以下的晶体管则是一个有效的解决之法。

光刻技术的过去、现在与未来

此外,光刻胶和掩模等材料技术的不断创新也是促进光刻技术应用进展的重要因素。新型光刻胶的开发和改良,以及掩模制作工艺的提升,为更高性能和更高密度的芯片制造提供了支持。3.2其他行业中的光刻技术应用(如生物医学、光学等)光刻技术的应用领域远不止于芯片制造。在生物医学领域,光刻技术被用于制造微流控芯片...

江丰电子2023年年度董事会经营评述

公司已建立以超高纯金属溅射靶材为核心,半导体精密零部件、第三代半导体关键材料共同发展的多元产品体系与业务主线。相关行业的发展情况如下:1、半导体领域靶材超大规模集成电路芯片的制作过程可分为硅片制造、晶圆制造和芯片封装三大环节,超高纯金属溅射靶材则主要用于“晶圆制造”和“芯片封装”两个环节,在晶圆制造环...