DUV曝光机光阻剂力拼岛内自给 核心材料明年供台积电、联电
微影制程是在晶圆上制作电路图案,随着精细度有DUV、EUV(极紫外光)差别。光阻剂是一种光敏感材料,由树脂、光敏感剂、溶剂和添加剂等组成,乃微影不可或缺重要材料。至于曝光机的光罩部份,岛内像是家登都有生产,比例已不低。但过去晶圆代工制程曾发生过光阻剂大缺货,为了把关键材料掌握在自己手中,岛内推动两期...
国产进入新一轮研发潮:电子束曝光机市场与企业盘点
Nanobeam推出的NB5型电子束光刻机依靠特有双偏转系统和共轭关闸,实现在8英寸晶圆(兼容更小尺寸,任意形状样品)的样品单次曝光制备5nm图形结构。电子束加速电压20-100kV连续可调,束流0.2-120nA,写场拼接精度≤10nm,套刻精度≤10nm。3nm束斑直径时,束流可达到2nA。JEOL日本电子株式会社(JEOLLtd.,董事长:栗...
【技术沙龙】光谱共焦应用之晶圆几何参数测量
当晶圆发生翘曲时,对晶圆边缘光刻的聚焦影响很大,会增加后续光刻机台的对准难度,进而影响套刻精度,导致器件性能发生变化。目前控制晶圆表面平整性的方法主要是优化光阻层厚度的均一性并搭配曝光前进行找平(Leveling)扫描,来确认晶圆表面的形貌,对曝光机进行补偿后曝光,减少翘曲的影响。然而,采用该方法,晶圆表面的平整...
半导体后端工艺|第七篇:晶圆级封装工艺
晶圆级封装通常采用掩模对准曝光机(MaskAligner)4或步进式光刻机(Stepper)5作为光刻工艺设备。4掩模对准曝光机(MaskAligner):一种将掩模上的图案与晶圆进行对准,使光线穿过掩模并照射在晶圆表面的曝光设备。5步进式光刻机(Stepper):一种在工件台逐步移动时,通过开启和关闭快门控制光线以进行光刻的机器。显影...
制作一颗硅晶圆需要多少种半导体设备?光刻机仅仅是九牛一毛
制作一颗硅晶圆需要的半导体设备大致有十个,它们分别是单晶炉、气相外延炉、氧化炉、磁控溅射台、化学机械抛光机、光刻机、离子注入机、引线键合机、晶圆划片机、晶圆减薄机,其实光刻机只是九牛一毛。1、单晶炉单晶炉是一种在惰性气体(氮气、氦气为主)环境中,用石墨加热器将多晶硅等多晶材料熔化,用直拉法生长...
2.5D硅中介层晶圆成本可望降低 薄化製程良率升级
光学边缘对准系统可让晶圆能精确地对准载具(www.e993.com)2024年10月23日。对硅中介层製程而言,覆晶凸块那一面通常是最先产生的(在中介层的前端),而微凸块会在薄薄的中介层背面产生。重分布层的理想Line/Space解析度为1微米/1微米,换言之,重複对准光刻机(Stepper/Scanner)必须用作光刻曝光用途。这些系统的检视范围非常小,晶圆与载具精准的对...
全产业链协同不断加强,核心显示材料国产化进程现状
TFT-LCD显示的高端液晶材料由德国、日本企业长期垄断,曝光机由日本企业垄断,TFT-LCD用玻璃基板大部分依赖美国、日本厂商进口。OLED显示发光材料依赖美国、日本、韩国等企业进口。激光显示商用化的核心材料,包括三基色发光材料、成像材料同样依赖进口。对于印刷显示这一未来大尺寸/柔性OLED显示的主流技术,材料墨水...
晶合集成申请光阻图形的形成方法专利,改善曝光后因烘烤延迟导致的...
枚光罩的曝光顺序;将先曝光的光罩载入曝光机中,执行第一曝光进程,根据先曝光的光罩的设定曝光能量对晶圆进行曝光;将先曝光的光罩替换为后曝光的光罩,并输入修正系数,获得后曝光的光罩的修正曝光能量;执行第二曝光进程,根据后曝光的光罩的修正曝光能量对晶圆进行曝光;执行烘烤工艺,以及执行显影工艺,以获得晶圆上形成的...
关注| 晶圆级封装技术
由于曝光源利用平行光曝光而不依赖焦点,因此可以利用接近式光刻机结合阴影曝光原理来实现。光刻过程对于接近式掩模对准曝光机的要求包括:高强度、高均匀性、紫外光的波长与光刻胶的敏感波长相吻合、亚微米级的对准精度和在曝光过程中掩模和晶圆之间保持准确可控且一致的间隙。
半导体最强产业框架思维导图,一文看懂全产业链结构应用!
半导体材料分为晶圆制造材料(晶圆制造:扩散、光刻、刻蚀、离子注入、薄膜生长、化学机械抛光、金属化)和封装材料。2.1晶圆制造材料2.1.1硅片(37.6%)作为百亿美元级别的行业,半导体材料的市场规模不算很大,但其内部材料种类繁多,单一产品市场规模小、技术要求高、子行业之间差异较大。其中硅片占比半导体材料市场销售...