存储器新技术:FeRAM的高可靠性和无延迟

EEPROM在非易失性存储器市场占有一定地位,但其写入次数有限,通常在百万级,而FeRAM则可支持万亿级的写入次数。高耐久性的FeRAM在电网、表计和医疗监控等场景中具备较大优势。此外,FeRAM的写入速度也远超EEPROM,满足了更高的实时性需求。MRAM是一种基于磁性材料的存储器,与FeRAM相比,MRAM的速度更快、功耗更低,...

2024 年全球存储器市场销售额有望增长 61.3%,新型存储器迎来发

FeRAM和ReRAM代表了非易失性存储器技术的两项重要创新，旨在提供比SRAM、DRAM和闪存等传统存储器解决方案更高的性能和更小的尺寸。随着过去十年便携式系统市场的迅速扩张，半导体行业对大容量非易失性存储器（NVM）技术越来越感兴趣。市场对更高效率、更快内存访问速度和更低功耗的需求持续推动着NVM技术的进步。预计...

意法半导体取得每易失性位具有单个非易失性位的非易失性静态随机...

金融界2024年9月30日消息,国家知识产权局信息显示,意法半导体(鲁塞)公司取得一项名为“每易失性位具有单个非易失性位的非易失性静态随机存取存储器架构”的专利,授权公告号CN110782932B,申请日期为2019年7月。本文源自:金融界作者:情报员

国芯思辰| 易与SRAM替换的国产铁电存储器SF25C20,兼容MB85RS2MT

SRAM兼容的非易失性存储器可以通过铁电存储器(FRAM)来实现非易失性。FRAM铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元,这种材料即使在断电后也能保持其状态。铁电存储器是一种具有非易失性和随机访问特性的存储器,非易失性允许在断电时保留数据,随机访问则能够实现快速数据写入。由于铁电存储器能够在电源故...

三星申请非易失性存储器件专利,实现多条字线具有阶梯形状,并且...

金融界2024年2月23日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社申请一项名为“非易失性存储器件“,公开号CN117596884A,申请日期为2023年8月。专利摘要显示,一种非易失性存储器件包括

...带文件系统的非易失性存储器件的数据段存储异常检查、报告和恢复

当域控制器开机后,进行非易失性存储器件的数据块的加载,并统计异常数据块的数量;若异常数据块的数量满足预设的异常门限值,确定从第一次出现异常数据块到最后一次出现异常数据块的时间段之内发生的总异常次数;若所述总异常次数大于或等于预设的单位时间内异常发生次数门限值,则确定非易失性存储器件数据段存储异常...

三星申请存储控制器专利,能有效纠正非易失性存储器设备的数据错误

该方法包括向非易失性存储器设备提供读取命令,从非易失性存储器设备接收与读取命令相对应的第一读取数据和第一分布信息,确定第一读取数据的错误是否可纠正,以及响应于确定第一读取数据的错误可纠正,基于第一分布信息更新存储控制器中的历史表的偏移信息。

华东师大Nat. Commun.:一种铁电鳍式二极管的新型非易失性存储器

华东师范大学段纯刚教授和田博博教授团队提出了一种基于铁电调控的鳍式二极管结构的新型非易失存储器---铁电鳍式二极管(ferroelectricfindiode,FFD)。与目前众多的非易失性存储器相比,这种FFD存储器表现出优秀的性能:如超过1010次循环的耐久性、~102的开/关比、30纳米的特征尺寸、~20fJ的操作能耗和100ns的...

三星取得非易失性存储器设备专利,当确定存储块有缺陷时实现存储块...

金融界2023年12月1日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“非易失性存储器设备和包括其的存储系统”，授权公告号CN108628757B，申请日期为2018年2月。专利摘要显示，非易失性存储器设备包括存储单元阵列和坏块重映射电路。存储单元阵列包括彼此配对的第一片和第二片。第一片包括多个第一存储块...

兆易创新取得非易失性存储器的数据读取装置及方法专利,可减少非易...

确定存储单元为偏移存储单元，则记录偏移存储单元的偏移单元地址；读取纠正单元，用于如果接收到的读取请求命中偏移单元地址时，确定对偏移存储单元的读取结果为设定值，并抑制读取比较器的输出。本发明可减少非易失性存储器读操作中的误读，提高可靠性。本文源自：金融界作者：情报员...