第三代半导体-氮化镓(GaN)技术洞察报告
2022年1月10日 - 电子工程专辑
2010年:US20100003492A1(SORAA)使用组合生长法形成大面积非极性和半极性GaN衬底;加利福利亚大学使用横向外延技术在完全透明的镜面m面生长GaN薄膜,该薄膜无偏振装置生长的基板;JP2008266064A(日亚化学)通过MOCVD法在蓝宝石衬底上形成GaN缓冲层以形成半导体期间衬底;2015年:US20120000415A1(SORAA)在基础衬底上防止至少两个...
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高中必备化学方程式归纳
2018年8月14日 - 网易
能形成A2B和A2B2型化合物的元素:H、Na与O,其中属于共价化合物(液体)的是H和O[H2O和H2O2];属于离子化合物(固体)的是Na和O[Na2O和Na2O2]。4、常见分子的极性:常见的非极性分子:CO2、CS2、BF3、CH4、CCl4、、SF6、C2H4、C2H2、C6H6等常见的极性分子:双原子化合物分子、H2O、H2S、NH3、H2O2、CH3Cl、CH2Cl...
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