几张动图搞懂三极管
当发射结正偏时,电荷分布会发生变化,发射结宽度会变窄;相当于给电子打开了一扇e到b的大门集电结反偏时,电荷分布会也发生变化,集电结宽度会变宽。相当于打开了阻碍电子从c级跑出去的大门,如下方动画所示:b级会接一个大电阻RB限制电流Ib的大小,跑到b极的那些多余的电子就只好穿越集电结,形成电流Ic,如下方动画...
【E问E答】集电结反偏不是截止状态吗,三极管怎么还能放大?
放大状态时,集电结反偏。反偏时,应该由少数载流子导电,而此时,基区里面,恰好有大量的少数载流子。那么,反偏的集电结,会出现很大的电流Ic,就一点也不奇怪了。---由于三极管制作工艺的特点,基区复合的电流Ib,和集电极反偏的电流Ic,存在一个比例关系,即:Ic=/β1*Ib/β是β上面加一横。
晶体管的工作状态判断和工作条件
当A点为0V时,EB通过R1、R2分压使基极处于负电压,发射结反偏;同时集电结也是反偏的,那么三极管T截止;当A点输入为6V时,R1、R2分压使三极管发射结正偏,产生足够大的基极电流使三极管饱和导通,输出端L约为0.3V,此时集电结也为正偏。我们检测电路是否正常时,可以分别使A端输人0V与6V的电压,并分别测量两种...
三极管的工作条件及工作状态的判断
当A点为0V时,EB通过R1、R2分压使基极处于负电压,发射结反偏;同时集电结也是反偏的,那么三极管T截止;当A点输入为6V时,R1、R2分压使三极管发射结正偏,产生足够大的基极电流使三极管饱和导通,输出端L约为0.3V,此时集电结也为正偏。我们检测电路是否正常时,可以分别使A端输人0V与6V的电压,并分别测量两种情况...
10个问题,让你真正学懂三极管
当发射结正偏且集电结反偏时,三极管处于放大工作状态。发射结正偏,发射结导通,由于发射区自由电子浓度较高,所以进入基区P型半导体的自由电子也多,基区电场增大。此时,虽然集电结反偏,但由于基区电场大于集电区,所以基区部分电子突破集电结耗尽层,产生漂移运动,进入集电极,使得集电结导通,产生Ic。
科普:电子技术的主要知识
(2)穿透电流(集-射极穿透电流)Iceo基极开路时集电结处于反偏,发射结处于正偏,此时通过集电极的电流好似直接从发射区穿透到集电区的,故称其为穿透电流(www.e993.com)2024年9月11日。对这种情况下的载流子进行分析,可得到穿透电流Iceo与集-基极反向饱和电流Icbo的关系式Iceo=Iceo+βIcbo=(1+β)Icbo...
「硬见小百科」三极管的放大区、饱和区、截止区如何区分
发射结正偏,集电结反偏——放大状态;发射结正偏,集电结也正偏——饱和状态;发射结反偏,集电结也反偏——截止状态。这些状态之间的转换,可以通过输入电压或者相应的输入电流来控制,例如:在放大状态时,随着输入电流的增大,当输出电流在负载电阻上的压降等于电源电压时,则电源电压就完全降落在负载电阻上,于是...
PNP型三极管基础知识解析
当b点电位高于e点电位零点几伏时,发射结处于正偏状态,而C点电位高于b点电位几伏时,集电结处于反偏状态,集电极电源Ec要高于基极电源Ebo。在制造三极管时,有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的,同时基区做得很薄,而且,要严格控制杂质含量,这样,一旦接通电源后,由于发射结正偏,发射区的多数载流子(电子)基...
【技术专栏】学习MOS管技术知识,这篇文章就够了!
从图1-3-A可以看出,增强型MOS管的漏极D和源极S之间有两个背靠背的PN结。当栅-源电压VGS=0时,即使加上漏-源电压VDS,总有一个PN结处于反偏状态,漏-源极间没有导电沟道(没有电流流过),所以这时漏极电流ID=0。此时若在栅-源极间加上正向电压,图1-3-B所示,即VGS>0,则栅极和硅衬底之间的SiO2绝缘层中...
一位工科男在拿到华为实习生offer后的面经干货
2.(判断题)眼图可以用来分析高速信号的码间干扰、抖动、噪声和衰减。(4分)A.正确B.错误3.(单选题)通常情况下,电磁波在介质中的传播速度比在真空中的传播速度要(4分)A.快B.一样C.慢4.1mV等于0dBmV,等于30dBuV(4分)A.对B.错