全球存储芯片行业进入复苏周期 我国国产化进程加速下迎新机遇

易失性存储芯片可分为静态随机存储器(简称SRAM)和动态随机存储器(简称DRAM)两类,SRAM不需要周期性地刷新,速度比较快,但成本也较高,是利基存储;DRAM需要周期性地刷新,速度较慢,但成本较低,是大宗存储。非易失性存储芯片主要包括掩膜型只读存储器、可编程只读存储器、快闪存储器(简称Flash)。目前快闪存储器的主...

起底RAMXEED:一场关于铁电随机存储器(FeRAM)的革

在易失性存储器中,SRAM、DRAM最大的特点是,随机覆盖写入,不需要擦除操作,且写入速度很快。在非易失性存储器里,Flash和EEPROM的特点是,下电之后保存重要数据。而FeRAM(铁电随机存取存储器FerroelectricRAM),也称为FRAM(FRAM是Ramtron、Cypress、Infineon的注册商标,富士康注册为FeRAM)。FRAM并非使用铁电材料,只是...

平头哥半导体申请数据压缩相关专利,能够提高处理器访问主存储器的...

金融界2024年11月15日消息,国家知识产权局信息显示,平头哥(上海)半导体技术有限公司申请一项名为“数据压缩单元、数据解压单元、处理器和相关方法”的专利,公开号CN118944672A,申请日期为2023年5月。专利摘要显示,本申请实施例提供了一种数据压缩单元、数据解压单元、处理器和相关方法,该数据压缩单元包括:掩码子单...

2024 年全球存储器市场销售额有望增长 61.3%,新型存储器迎来发

预计2024年全球非易失性存储器市场规模将达到约945.2亿美元，2029年将扩大至1647.9亿美元，在此期间将以11.76%的复合年增长率持续增长。FeRAM依靠铁电材料的独特性能来存储数据。此类内存以其超快的读写速度、出色的写入耐用性和低功耗而闻名。FeRAM的读写速度为纳秒级，远高于NORFlash。读写次数达到1014或...

比拼浮点运算速度 超算排行榜是这样“算”出来的

柴志雷认为,提升超级计算机系统的浮点处理能力,不是单纯让浮点运算本身更快,而是从整个系统的角度,提升芯片工艺,优化系统架构、节点计算性能、存储访问性能、节点间通信等,从而使得系统的整体能力得到提升。目前,还经常采用在系统中增加加速器等方法,来获得更高计算效率。

新存科技公布国产新型 3D 存储器参数:最高 IO 速度 3200MT/s

IT之家10月8日消息，参考IT之家此前报道，新存科技9月23日发布了其自主研发的国产首款最大容量新型3D存储器芯片NM101(www.e993.com)2024年11月23日。该新品采用先进工艺制程结合三维堆叠技术，单芯片容量达64Gb。新存科技官网现在公布了NM101芯片的参数情况：可以看到NM101采用SLC存储单元类型，最高IO速度（I/O...

万润科技:进一步加大力量和加快速度发展半导体存储器业务,切实做...

公司将按照“十四五”发展战略和2024年经营工作计划,加快发挥混合所有制上市公司平台作用与优势,进一步加大力量和加快速度发展半导体存储器业务,切实做大做强以LED、存储半导体电子产业为主的新一代信息技术主产业,加快实现转型升级和高质量发展;公司2024年上半年在半导体存储器业务上所做的主要工作及进展请您关注公司2024...

华为公司申请用于控制存储器的存储控制器和方法专利,提高存储器...

专利摘要显示,提供了一种控制存储器(102、202)的存储控制器(100)。所述存储器(102、202)包括至少一个缓冲存储器(104、204)、至少一个第一层级存储器(106、206)和至少一个第二层级存储器(108、208)。所述第一层级存储器(106、206)具有比所述第二层级存储器(108、208)更快的访问速度。所述存储器(102、20...

如何全面评估电脑性能的关键指标与方法

CrystalDiskMark是一款用于测试存储设备读写速度的工具。它能够帮助用户了解SSD和HDD的性能,便于选择合适的存储设备。6.4PassMarkPerformanceTestPassMarkPerformanceTest是一款综合性能测试工具,能够对处理器、内存、显卡和存储设备进行全面评估。通过该工具,用户可以获得详细的性能评分和比较结果。

【深度】相变存储器(PCM)应用前景广阔 3D PCM为其代表产品

新型存储器包括相变存储器(PCM)、阻变存储器(RRAM)、磁变存储器(MRAM)、铁电存储器(FRAM)等类型。相变存储器(PCM)指利用硫族化合物或氧化物等特殊材料在不同相态之间的转换来存储数据的非易失性存储器。PCM具有快速读写速度快、功耗低、存储密度高、使用寿命长等优势,在人工智能、电子产品以及无线通信等领域拥有...