光催化半导体中的缺陷态和极化子的时间分辨光谱研究 | 进展
一般来讲,半导体导带和价带相对于标准氢电极的电势,是一项设计相应的光催化氧化-还原反应的判断标准。然而,在半导体纳米光催化材料的制备过程中不可避免地会引入大量的缺陷态,包括表面和体相的缺陷态。表面缺陷工程作为光催化领域一种重要的材料调控手段,可以帮助拓展光催化半导体材料在可见光范围内吸收,也可以帮助构建大...
EMD研究论文丨解锁高性能有机正极:通过调整共价框架中活性基团...
1、揭示了有机正极材料中活性基团的密度与其在水系锌离子电池(AZIBs)中的电化学性能之间并非直接相关。制备出的TB-COF和BB-COF材料含有相同的C=N和C=O活性官能团,活性基团密集的TB-COF展现出较高的初始容量(222mAhg-1@0.5Ag-1),而活性基团较稀疏的BB-COF展现出更优越的循环稳定性(10,000圈)和倍率性能。
钙钛矿电池能在太空中自我修复?是时候好好盘盘它啦!
由于将电子从价带移动到导带的行为需要能量,因此只有能量超过该能量区间的光子才会产生电子-空穴对。在硅中,导带与价带之间的能量差(带隙或能隙)约有1.1eV,这对应波长约1.1微米的红外光。换句话说,红光、黄光、蓝光和一些近红外光子能被吸收转化,而波长更长(能量更低)的无线电波、微波和大多数红外光子则不会...
Nat. Mater.:高迁移率有机半导体的导带结构和部分修饰的极化子形成
尽管在1990年代就发现了价带(最高占据分子轨道(HOMO))带结构,但尚未通过实验观察到导带(最低未占据分子轨道(LUMO))。近日,日本千叶大学HiroyukiYoshida,筑波大学HiroyukiIshii等采用角分辨低能逆光电子能谱来揭示并五苯(一种典型的高迁移率有机半导体)的LUMO能带结构。研究表明,从LUMO导出的传输积分...
高驱动电流的隧穿器件设计
式中,m*为电子的有效质量,EG为隧穿区材料的禁带宽度,q为电子电荷,h为普朗克常数除以2π的值,E为电场强度。通过对导带和价带态密度进行积分可以得到外加偏压V时的隧穿电流:从上述结果可以清楚的看出,为了提高隧穿电流,器件隧穿区的电场强度应很大,而禁带宽度应尽可能的小,即隧穿距离越小,则隧穿电流越大。传...
带隙对决:GaN和SiC,哪个会占上风?
价带的最高占据能量状态与导带的最低未占用状态之间的能量差称为带隙,表示材料的电导率(www.e993.com)2024年9月10日。较大的带隙意味着需要大量能量才能将价电子激发到导带。相反,当价带和导带像金属一样重叠时,电子可以很容易地在两个带之间跳跃,这意味着该材料被归类为高导电性。
为什么HIT转换效率高?拆解HIT电池制造
VD是VOC的上限,VD越高,VOC才有高的可能性。由于内建电场的存在,电子在空间电荷区有附加的电势能,使能带在空间电荷区发生弯曲,能带总的弯曲量就是真空电子能级的弯曲量。同时,当两块半导体材料紧密接触时,电子将从费米能级高的材料流向费米能级低的材料,直到两半导体的费米能级相等为止。因而:...
半导体碳化硅(SiC)行业研究:打开新能源汽车百亿市场空间
同时因宽禁带体系中导带与价带间的高能量差,使得电子与空穴被激发后的复合率大大降低,这就使得更多的电子和空穴可以用于导电或者传热,这也是碳化硅具有更强的导热性与导电能力的一个原因。基于这些特点,碳化硅器件可以在更高强度的环境下进行工作,也能够更快速地进行散热,极限工作温度更高。耐高温特性可以带来功...
...器如何工作的?光敏电阻基础知识介绍|元件|光子|半导体|导带|...
这种分类取决于导带和价带之间的能隙,即电子从价带跃迁到导带所需的能量。对于半导体(假设为LDR),可以通过使用合适的光强度(即光子或光子能量)来克服这种能隙。打开网易新闻查看精彩图片LDR或光敏电阻的半导体材料具有高电阻。LDR的半导体具有高电阻,因为只有很少的电子可用于传导。
光芯片行业专题报告:从II~VI和Lumentum看光芯片国产化
三五族化合物具有直接带隙,进而电子在高低能级间跃迁时效率更高,进而使芯片输出激光的效率更高。带隙是电子从低能级(价带)跃迁高能级(导带)所需吸收的最小能量,对应的是价带顶部与能带底部的能量差距。直接带隙是指在能量-波矢图中,元素电子的价带底与导带顶对应的波矢相同,反之,若二者波矢有异,则称为间接带...