吃透MOS管,看这篇就够了
Mos管用于控制大电流通断,经常被要求数十K乃至数M的开关频率,在这种用途中,栅极信号具有交流特征,频率越高,交流成分越大,寄生电容就能通过交流电流的形式通过电流,形成栅极电流。消耗的电能、产生的热量不可忽视,甚至成为主要问题。为了追求高速,需要强大的栅极驱动,也是这个道理。试想,弱驱动信号瞬间变为高电平,但是...
要想快充能效高,就选这些饱受好评的威兆MOS管
开关频率高,更高效,导阻为8.5m??。这款器件同样采用无铅无卤素工艺,符合RoHS规范,常用于输出VBUS开关管和输出电流采样。1、拆解报告:美富达100WUSBPD桌面快充充电器威兆VS3510AE威兆VS3510AE是一款5V逻辑电平控制的增强型PMOS,耐压30V,采用PDFN3333封装,开关频率高,导阻为10m??。这款器件100%通过雪...
MOS管烧了,可能是这些原因
在某些条件下,由于周围电路中的杂散电感和电容,高压MOS管会以非常高的频率振荡。(频率通常在低MHz),但这样是非常不受欢迎的,因为它是由于线性操作而发生的,并且代表了高耗散条件。这种情况可以通过最小化MOS管周围的杂散电感和电容来防止杂散振荡,还应使用低阻抗栅极驱动电路来防止杂散信号耦合到器件的栅极。“...
华芯邦卓越性能碳化硅SiC MOSFET在新能源汽车充电领域的应用
MOS管具有低开关损耗、高开关速度和良好的热稳定性等特点,适用于高频开关应用。在新能源汽车充电机中,MOS管用于控制充电电流的开关。深圳市华芯邦科技有限公司提供多款高压MOSFET产品和碳化硅功率模块,这些器件具有高可靠性和稳定性,能够满足新能源汽车充电设备的需求。MOSFET是汽车电子中的核心元件,汽车引擎、驱动系统中的...
拆解报告:一加x闪极 Pouch 移动电源10000mAh
南芯科技SC3057采用了功率走线和控制走线分开的设计,降低高频开关对控制回路的影响,并通过优化的焊盘设计,优化充电器走线设计与电气性能,简化设计开发。SC3057内置165mΩ氮化镓开关管,支持175KHz开关频率,并支持X电容放电。变压器磁芯缠绕铜箔屏蔽,并缠绕高温胶带绝缘。
MOS管的导通条件和MOS驱动电流计算
下面我们根据此MOS计算mos管栅极打开时,所需的电流值,公式如下:**此处的FSW代表的为mos管开关频率,QG则代表的是mos管寄生电容值(一般我们取最大值)(www.e993.com)2024年9月9日。以该mos管的QG=170nc,FSW=500K为例计算:IG=500*170=85000uA=85mA(所以从此处可以看出,当开关频率越高时,栅极所需要的驱动电流越大),显然这样的电流不...
从内部结构到电路应用,这篇文章把MOS管讲透了。
Mos管用于控制大电流通断,经常被要求数十K乃至数M的开关频率,在这种用途中,栅极信号具有交流特征,频率越高交流成分越大,寄生电容就能通过交流电流的形式通过电流,形成栅极电流。消耗的电能、产生的热量不可忽视,甚至成为主要问题,为了追求高速,需要强大的栅极驱动,也是这个道理。
支持AMD AM5 CPU,技嘉B650E AORUS PRO X USB4主板拆解
外置的驱动器来自RICHTEK立锜科技,丝印4P=,型号为RT9624FGQW,用于单相同步降压MOS管驱动,可驱动两个NMOS,具备直通保护,芯片内置自举二极管,支持高开关频率,具备三态PWM输入,用于输出关断,采用WDFN8封装。另一颗同驱动器型号相同。两颗同步降压开关管来自安森美,丝印4C10N,型号为NTMFS4C10N,NMOS,耐压30V,导阻6.95...
2024年计算机软考中级【硬件工程师】面试题目汇总(附答案)
上拉电阻是指将不确定的信号钳位在高电平,同时起限流作用的电阻。由于I2C通信是开漏输出的(只能输出低电平不能输出高电平),因此需要加上拉电阻,使其可以输出高电平。11、单片机可以直接驱动MOS管吗?解题思路以stm32单片机为例,其io的输出电流一般在十几毫安到几十毫安之间,驱动器件的时候多采用单片机低电平驱动...
打算设计快充产品?不如先看看这些广受好评的意法半导体器件
意法半导体VIPER28是一颗开关电源主控芯片,芯片内部集成800V高压MOS管,集成高压启动和采样管,采用电流模式控制。芯片开关频率为115kHz,支持抖频提升EMI性能。该器件集成双电平OCP、输出过压、短路过压、短路和热关断等多项保护功能。故障消除后,电路会自动重新启动。