MOS管及其外围电路设计

R7作用:防静电影响MOS,管子的DG,GS之间分别有结电容,DS之间电压会给电容充电,这样G极积累的静电电压就会抬高直到mos管导通,电压高时可能会损坏管子.同时为结电容提供泄放通道,可以加快MOS开关速度。阻值一般为几千左右。R6和D3作用:在MOS关断时,这个回路快速放掉栅极结电容的电荷,栅极电位快速下降,因此可以加快...

MOS管烧了,可能是这些原因

如果用太高的电压驱动MOS管栅极,则栅极氧化物绝缘层可能会被击穿,从而导致MOS管无法使用。超过+/-15V的栅极-源极电压可能会损坏栅极绝缘并导致故障,应注意确保栅极驱动信号没有任何可能超过最大允许栅极电压的窄电压尖峰。栅极驱动不足(不完全开启)MOS管只能切换大量功率,因为它们被设计为在开启时消耗最少的...

翠展微:IGBT模块关断电阻对关断尖峰的非单调性影响

很明显电压尖峰的产生与电流的快速下降有关,即与IGBT中等效MOS的关断行为和载流子抽取行为有关,而Trench结构IGBT中做出调整的就是其等效MOS管的结构(图5),所以在关断特性上表现出了明显的不同。图5:FSIGBT(左)与Trench-FSIGBT(右)可以看到,Trench结构最大的特点就是栅极进行了向下延申,原有的平面栅在导通...

MOS管在BMS中的应用方案

一般确定电池组的电压,通常按20%余量选择MOS管的电压,在实际应用中锂电池对温度的要求比较高,因此需要内阻较低的MOS管。在选型上需注意:01通过热设计来确定并联的MOSFET数量和合适的RDS(ON)02选择较小RDS(ON)的MOSFET,在多个MOSFET并联时能够进一步减小导通内阻03最后考虑在关断后期的电压尖峰,MOSFET的雪崩...

如何让MOS管快速开启和关闭

对于一个MOS管,如果把GS之间的电压从0拉到管子的开启电压所用的时间越短,那么MOS管开启的速度就会越快。与此类似,如果把MOS管的GS电压从开启电压降到0V的时间越短,那么MOS管关断的速度也就越快。由此我们可以知道,如果想在更短的时间内把GS电压拉高或者拉低,就要给MOS管栅极更大的瞬间驱动电流。

当开关电源输入过压,如何防护?

最恶劣的情况是雷电直接击中电网电线,导致电网电压瞬间上升到电源和设备无法承受的值,电源直接损坏(www.e993.com)2024年11月13日。如下图所示,当感应电压进入到电源内部时,输入大电解电容两端会产生一个很高的浪涌尖峰电压。此尖峰电压会导致大电容过压失效。二、输入过压时电源的元器件电压应力分析...

MOS管防护电路解析实测

虽然漏源击穿电压VDS一般都很大,但如果漏源极不加保护电路,同样有可能因为器件开关瞬间电流的突变而产生漏极尖峰电压,进而损坏MOS管,功率管开关速度越快,产生的过电压也就越高。为了防止器件损坏,通常采用齐纳二极管钳位(图中D901)和RC缓冲电路(图中C916,R926)等保护措施,实测加上稳压管(D901)的效果要比加上RC...

干货| MOS管防护电路解析

虽然漏源击穿电压VDS一般都很大,但如果漏源极不加保护电路,同样有可能因为器件开关瞬间电流的突变而产生漏极尖峰电压,进而损坏MOS管,功率管开关速度越快,产生的过电压也就越高。为了防止器件损坏,通常采用齐纳二极管钳位(图中D901)和RC缓冲电路(图中C916,R926)等保护措施,实测加上稳压管(D901)的效果要比加上RC...

LED驱动电源电路分析

内置高电压功率MOS管650/1.9欧姆,支持通用交流输入电压AC85V--265V,该IC的驱动电路通过脉冲检测漏电流峰值,在D/ST(7脚,8脚)端电压高于OCP电压时关闭功率MOS管,漏电流保护连接在s/ocp(1脚)和GND(3脚)间的电流采样电阻。当采样电阻的压降达到OCP电压阀值,就关闭功率MSG管。

MOS管手册解读

1.VDSS漏极电压这第一个电气参数,即DS击穿电压,也就是我们关心的MOS管耐压,最高不能超过500V,测试条件为25℃。往下翻有个VDSS随温度变化的曲线,如图:可看出VDSS是正温度系数,只有在温度为25℃时,管子电压为500V是安全的。要是在寒冷的场合,比如-50℃,耐压低于500V,所以一般在电路设计时会保留至少10%的...