MOS管烧了,可能是这些原因
由于导通电阻相对较高,高平均电流会在MOS管中引起相当大的热耗散。如果电流非常高且散热不良,则MOS管可能会因温升过高而损坏。MOS管可以直接并联以共享高负载电流。瞬态电流过载持续时间短、大电流过载会导致MOS管器件逐渐损坏,但是在故障发生前MOS管的温度几乎没有明显升高,不太能察觉出来。(也可以看下面分析的...
要想快充能效高,就选这些饱受好评的威兆MOS管
要想快充能效高,就选这些饱受好评的威兆MOS管前言随着快充的飞速发展,快充内置的同步整流模块需求也逐渐提升,同步整流管的要求也越来越严格。威兆半导体作为一家专业从事MOSFET等分立器件系列的设计及半导体微电子相关产品研发的高科技企业,拥有创新,稳定,高效率,低成本的整体解决方案,同时经过长期的努力已经成为少数同时...
【干货】使用 MOS管构建双向逻辑电平转换器
另一种工作状态是MOS管的高侧状态从高电平变为低电平时,这是漏极衬底二极管开始导通的时间,MOS管在低压侧被下拉至低电压电平,直到Vgs跨越阈值点。低压段和高压段母线在相同电压水平下均变低。3、转换器的开关速度设计逻辑电平转换器时要考虑的另一个参数是转换速度。由于大多数逻辑转换器将在USART、I2C...
MOS管在汽车LED 中的应用方案
由于电解电容随工作温度升高,寿命会大幅降低的特性采用Buck电路作为开关电路完成高效电能转换时,用线性电路抑制电路纹波,得到有源纹波补偿Buck电路,实现可靠性高、寿命长的LED驱动。电路的设计参数如下:LED驱动电压电路中MOS管的选择有效选择适合的MOSFET可降低电源电路的开关损耗,提高整个电源系统的效率。选型汽车LED...
NMOS和PMOS详解
MOS英文全称MetalOxideSemiconductor,中文全称是金属-氧化物-半导体场效应晶体管,属于一种电压控制型器件,正如其名,由金属(M),氧化物(O)和半导体(S)构成,和三极管一样,既可以用来放大电路,也可以当作开关使用。MOS管可分为耗尽型和增强型,每种类型又分为P沟道和N沟道。
干货| 用 MOS管构建双向逻辑电平转换器电路
另一种工作状态是MOS管的高侧状态从高电平变为低电平时,这是漏极衬底二极管开始导通的时间,MOS管在低压侧被下拉至低电压电平,直到Vgs跨越阈值点(www.e993.com)2024年7月31日。低压段和高压段母线在相同电压水平下均变低。3、转换器的开关速度设计逻辑电平转换器时要考虑的另一个参数是转换速度。由于大多数逻辑转换器将在USART、I2C...
超详细|开关电源电路图及原理讲解
R1和Q1中的结电容CGS、CGD一起组成RC网络,电容的充放电直接影响着开关管的开关速度。R1过小,易引起振荡,电磁干扰也会很大;R1过大,会降低开关管的开关速度。Z1通常将MOS管的GS电压限制在18V以下,从而保护了MOS管。Q1的栅极受控电压为锯形波,当其占空比越大时,Q1导通时间越长,变压器所储存的能量也就越多;...
基于比较器的过压保护电路设计方案(完整版)
图3.以MOSFET为受控开关2.比较器控制MOS管比较器的输入电阻极高,对电源及负载影响很小。图4.比较器控制MOSFET3.比较器基准电压通过齐纳二极管Z1给比较器反相端提供稳定的基准电压,电阻R1使Z1有合适的反向击穿电流,使其工作于稳压区域。图5.比较器基准电压...
2024年计算机软考中级【硬件工程师】面试题目汇总(附答案)
以stm32单片机为例,其io的输出电流一般在十几毫安到几十毫安之间,驱动器件的时候多采用单片机低电平驱动能力强的特点。但是单片机的io口不能直接驱动MOS管,因为无法提供足够的输出电流,因此想要驱动MOS管,需要在使用低电流驱动的同时再接一个三极管,达到扩充io口输出电流的作用,从而可以驱动MOS管。
干货|如何让MOS管快速开启和关闭?
由此我们可以知道,如果想在更短的时间内把GS电压拉高或者拉低,就要给MOS管栅极更大的瞬间驱动电流。大家常用的PWM芯片输出直接驱动MOS或者用三极管放大后再驱动MOS的方法,其实在瞬间驱动电流这块是有很大缺陷的,比较好的方法是使用专用的MOSFET驱动芯片。