存储芯片行业深度报告:存储市场柳暗花明
相比于Flash与Nor,DRAM具有较高读写速度、存储时间短等优势,但单位成本更高,主要用于PC内存(如DDR)、手机内存(如LPDDR)和服务器等设备等。1.2.垂直分工和并购加速产业链整合(1)存储芯片是半导体产业的重要分支,下游应用空间广阔。存储芯片行业产业链上游参与者包括硅片、光刻胶、靶材、抛光材料、...
半导体行业专题报告:封测产业链机遇将至
面积墙:目前光刻机所能支持的最大曝光区域面积是26mm*33mm,增加光罩面积来提升晶体管集成数量的话方案成本极高,而采用先进封装技术集成多颗芯片则是目前主流的低成本破局方案。功耗墙:随着芯片算力需求的提升,GPU/CPU芯片热设计功耗逐年增大,或将突破千瓦级,需更为先进的冷却技术以支持散热需要。功能墙...
江波龙2023年年度董事会经营评述
在NANDFlash产品方面,随着5G、AI、云技术等的高速发展,下游重要终端场景(如手机、PC、服务器、新能源汽车等)对存储器的性能、功耗和单位容量等提出了更高的要求,NANDFlash继续向高存储密度方向演进,报告期内全球NANDFlash已经基本进入了200层时代,NANDFlash单位成本不断得到优化。在DRAM产品方面,报告期内随着各...
东芯半导体股份有限公司2023年年度报告摘要
而MLC/TLC/QLCNAND等数据型闪存主要用于存储系统运行过程中的大容量数据信息,对芯片的容量和成本要求较高。NANDFlash行业集中度有所回落,但仍保持较高水平。全球NANDFlash行业前六大厂商市场份额总和逐年提高,目前NAND主要通过3D堆叠方式大幅提升存储容量,而堆叠层数的持续提升带来的技术难度也迅速增长。头部厂商...
中信建投:半导体产业链投资前景_网易
AI提升光模块行业景气度,重视光模块板块性投资机会01HBM:AI的内存瓶颈,高壁垒高增速HBM是限制当前算力卡性能的关键因素,海力士、三星、美光正加大研发投入和资本开支,大力扩产并快速迭代HBM,预计2024年HBM3e24GB/36GB版本将量产/发布,内存性能进一步提高。HBM供需将持续紧俏,市场规模高速增长。通过分析生产工艺(TSV...
半导体周报:半导体周期仍在相对底部区间,存储厂业绩有望兑现此前...
23.美光将首先采用佳能纳米压印光刻机,降低DRAM生产成本;24.投资近百亿元,格力SiC芯片工厂将于6月投产;25.澜起科技与英特尔签订采购协议,拟购买不超1.06亿元CPU;26.小马智行与GemVaxLink成立合资公司为韩国市场提供智驾服务;27.宝马集团在泰国启动高压电池组装厂建设;...
半导体何时复苏?分析师:无法预测!
消费电子芯片厂商财报|半导体行业观察制图高通:积极削减成本显然高通在2023财年第三财季的表现并不太理想,手机芯片业务是其占比最高的一项,但因消费电子市场不景气,安卓系统设备销售低迷,拖累了整体表现,直接影响了业绩。据其财报信息,在高通负责销售智能手机、汽车和其他智能设备芯片的QCT部门中,汽车芯片及其软件...
汇金增持托底市场,供需改善多周期反转——全球产业趋势跟踪周报...
不过由于复合铜箔制备工艺更复杂,设备投入、制造费用更高且在产业化初期生产良率较低,当前复合铜箔综合成本高于传统铜箔,但若考虑大规模量产化后良率、效率的提升,理想状态下,复合铜箔成本有望比传统铜箔降低20-30%,技术成熟后可能形成大规模替代。而对于铝箔而言,铝金属成本低,占比较小,复合铝箔成本会高于传统...
中金看海外 | Marvell:计算连接齐发力,AI时代弄潮人
PAMDSP以数据中心短途应用为主,速率最高可达800G,受AI驱动较明显;相干DSP适用于电信运营商长途传输及数据中心互联(DCI),速率最高为400G。在PAM4DSP领域,Marvell与博通呈现“双寡头”格局,竞争力强。(2)网络传输产品方面,公司产品主要包括以太网交换芯片和以太网PHY芯片。其中,交换芯片分为Prestera和Teralynx两个...
澜起科技2023年年度董事会经营评述
净利润下降的主要原因包括:(1)营业收入较上年同期减少37.76%;(2)投资收益及公允价值变动收益总额较上年同期减少4.62亿元;(3)公司保持高强度研发投入,报告期内研发费用为6.82亿元,较上年同期增加21.00%;(4)公司计提的资产减值损失为1.93亿元,较上年同期增加1.66亿元。